导电性膜和导电性膜的制造方法技术

本发明专利技术提供一种导电性膜，具有：高分子膜、形成在高分子膜的至少一面的基底树脂层、以及，包含平均直径为1～100nm且长宽比的平均为100～2000的金属纳米线、和粘结剂树脂且形成在基底树脂层之上的导电层。导电层的表面电阻值为1.0×10

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】导电性膜和导电性膜的制造方法
本专利技术涉及导电性膜和导电性膜的制造方法。
技术介绍
作为使用于触控面板等的透明电极的ITO(氧化铟锡)膜的代替品的高透明性、高导电性薄膜的原料，金属纳米线近年来正受到瞩目。这种金属纳米线通常通过在聚乙烯吡咯烷酮和乙二醇等多元醇存在的情况下加热金属化合物来制造(非专利文献1)。在专利文献1～3中公开在聚酯等高分子膜上直接形成了包含颗粒金属棒涂膜或金属纳米线的导电层的透明导电体。在这种情况下，通过将分散有颗粒状金属棒或金属纳米线的溶液直接涂敷在聚酯等高分子膜上，此后干燥去除溶剂成分从而形成导电层。此外，在专利文件3中也公开了一种用于形成透明导电膜的墨，其包含银纳米线、水性溶剂、纤维素系粘结剂树脂和表面活性剂。在专利文献4中，公开了作为形成透明导电体的材料等而有效的银纳米线墨。在专利文献5中公开了一种导电层形成用的组合物，其包含金属纳米线、聚乙烯乙酰胺、水/醇溶剂。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2008-279434号公报；专利文献2：日本特开2006-111675号公报；专利文献3：日本特表2009-505358号公报；专利文献4：日本特开2015-174922号公报；专利文献5：日本特开2009-253016号公报。非专利文献非专利文献1：Ducamp-Sanguesa,etal.,J.SolidStateChem.,1992,100,272。
技术实现思路
专利技术要解决的课题例如，根据专利文献1～3公开的现有技术，可认为能够将导电层制成低电阻的导电层。但是，在这样的现有技术中，难以降低导电材料的使用量，因此有成本方面、透明性的改善困难或导电性显现出各向异性的问题。此外，如专利文献1～5所述的现有技术那样，在涂敷包含棒状金属颗粒或金属纳米线的稀释涂敷液的技术中，棒状金属颗粒、金属纳米线在涂敷液中、涂敷后的溶液干燥工序中产生凝结，其结果是有表面电阻值产生偏差的问题。本专利技术的目的在于提供一种能够抑制金属纳米线的使用量并且在宽的表面电阻值区域抑制表面电阻值的偏差的导电性膜。进而，提供一种适于生产性优异的导电性膜的制造方法。用于解决课题的方案为了达到上述目的，本专利技术的实施方式涉及的导电性膜具有：高分子膜、形成在所述高分子膜的至少一面的基底树脂层、以及形成在所述基底树脂层之上的导电层，该导电层包含平均直径为1～100nm且长宽比的平均为100～2000的金属纳米线、和粘结剂树脂，所述导电层的表面电阻值为1.0×102～1.0×106Ω/□且所述表面电阻值的偏差为15％以下。此外，本专利技术的实施方式涉及的导电性膜的制造方法具有在高分子膜的至少一面形成基底树脂层的工序；以及将包含平均直径为1～100nm且长宽比的平均为100～2000的金属纳米线、和粘结剂树脂、溶剂的金属纳米线墨涂敷在所述基底树脂层并使其干燥的工序，其中，该基底树脂层形成于所述高分子膜上。专利技术效果根据本专利技术的实施方式，能够提供一种金属纳米线的使用量少且表面电阻值为1.0×102～1.0×106Ω/□的偏差少的导电性膜及其制造方法。此外，本专利技术的实施方式涉及的导电性膜能够适于用于低成本且电阻值稳定性优异的面向触控面板、数码纸的导电性膜用途。附图说明图1为概要地示出实施方式涉及的导电性膜的结构的一个示例的图。图2为示出实施方式涉及的导电性膜的制造方法的一个示例的流程图。具体实施方式以下，参考图1、2对本专利技术的实施方式进行说明。如图1所示，实施方式的导电性膜10构成为包括高分子膜11、基底树脂层12及导电层13。基底树脂层12设置在高分子膜11的至少一面。导电层13是通过将金属纳米线墨涂敷在基底树脂层12上、即与高分子膜11的相反侧的面上且使其干燥而形成的。金属纳米线墨包含平均直径为1～100nm且长宽比的平均为100～2000的金属纳米线、粘结剂树脂和溶剂。另外，在图1中，为了容易理解，在表现上夸张地绘制了高分子膜11、基底树脂层12及导电层13的厚度，这与实际的厚度不同。此外，在本申请说明书中“金属纳米线”包含下述两种概念：形成实心的线状即丝状的纳米级的金属纤维，以及形成中空的线状即管状的纳米级的金属纤维、即所谓的金属纳米管。在这种情况下，将线状和管状的金属纤维统称为金属纳米纤维。以下，针对各结构进行详细地说明。(1)高分子膜高分子膜11只要与基底树脂层12具有充分的密合性，则没有特别限定。高分子膜11能够优选使用例如聚酯(聚对苯二甲酸乙二醇酯[PET]、聚萘二甲酸乙二醇酯[PEN]等)、聚碳酸酯、丙烯酸树脂、环烯烃树脂、聚砜、聚醚砜、聚酰胺、聚酰亚胺等高分子膜。通过使用聚酯(聚对苯二甲酸乙二醇酯[PET]膜、聚萘二甲酸乙二醇酯[PEN]膜等)、聚碳酸酯、丙烯酸树脂、环烯烃树脂中任一种的高分子膜，从而能够获得透明性优异的导电性膜10。此外，高分子膜11的厚度没有特别限定，可以根据用途、种类适合地选择，但从机械强度、处理性等观点出发，通常为25～500μm，更优选为38～400μm，进一步优选为50～300μm。此外，对于高分子膜11也可以在不使其特性恶化的程度内添加各种添加剂，例如，抗氧化剂、耐热稳定剂、耐候稳定剂、紫外线吸收剂、有机润滑剂、颜料、染料、有机或无机微粒、填充剂、成核剂等。高分子膜11可不进行表面处理而直接使用。此外，为了提高形成在高分子膜11上的基底树脂层12的均匀性、密合性，也可以针对高分子膜11的基底树脂层12侧进行电晕处理、等离子处理等表面处理。(2)基底树脂层基底树脂层12是在成为基材的高分子膜11上形成的树脂层。基底树脂层12发挥提高高分子膜11和导电层13的密合性、提高形成在高分子膜11上的导电层13的均匀性等作用。作为在基底树脂层12中使用的树脂即基底树脂，只要是能够均匀地涂膜在高分子膜11上且显示出与高分子膜11及导电层13良好的密合性的树脂即可。在这种情况下，在基底树脂层12中使用的基底树脂能够使用热可塑性、热固化性或紫外线固化性树脂等任意的树脂。基底树脂可将例如聚酯树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、三聚氰胺树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、尿素树脂等树脂单独或混合使用。在这种情况下，特别优选聚酯树脂作为使用于基底树脂层12的基底树脂。此外，在使用聚酯树脂作为基底树脂的情况下，也可以用丙烯酸等其它的成分改性，基底树脂也可以具有-COOH、-SO3Na等官能团。进而，为了提高与导电层13的密合力并且提高导电层13的厚度、导电率的均匀性，基底树脂优选包含与使用于导电层13的粘结剂树脂相同的树脂。在这种情况下，基底树脂和粘结剂树脂包含相同的树脂，当然意味着基底树脂和粘结剂树脂包含完全相同成分、相同等级的树脂的概念，但是不限定于基底树脂和粘结剂树脂包含完全相同成分、相同等级的树脂这一概念。即，在这种情况下，优选基底树脂层12和导电层13均包含具有选自-SO3H或其金属盐、-COOH，-OH、-NH2中的任一个亲水基的树脂成分，更优选基底树脂层12和导电层13由具有-SO3H或其金属盐或-COOH中的任一个亲水基的树脂构成。进而，基底树脂层12和导电层13均更优选由具有上述亲水基中的相同的亲水基的树脂构成。此外，在基底树脂中，可在不使其树脂特性、与高分子膜及导电层的密合性恶化的程度内本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导电性膜，其具有：高分子膜；基底树脂层，其形成在所述高分子膜的至少一面；以及导电层，其形成在所述基底树脂层之上，包含平均直径为1～100nm且长宽比的平均为100～2000的金属纳米线和粘结剂树脂，所述导电层的表面电阻值为1.0×10

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.28 JP 2016-2301221.一种导电性膜，其具有：高分子膜；基底树脂层，其形成在所述高分子膜的至少一面；以及导电层，其形成在所述基底树脂层之上，包含平均直径为1～100nm且长宽比的平均为100～2000的金属纳米线和粘结剂树脂，所述导电层的表面电阻值为1.0×102～1.0×106Ω/□且所述表面电阻值的偏差为15％以下。2.根据权利要求1所述的导电性膜，其中，所述导电层中的所述金属纳米线的占有面积率的范围为1.5～4.5％。3.根据权利要求1所述的导电性膜，其中，总透光率为80％以上且雾度值为0.1～1.5％。4.根据权利要求1至3中任一项所述的导电性膜，其中，所述基底树脂层和所述导电层均包含树脂成分，所述树脂成分具有选自-SO3H或其金属盐、-COOH、-OH、-NH2中的任一个亲水基。5.根据权利要求4所述的导电性膜，其中，所述基底树脂层和所述导电层均由具有-SO3H或其金属盐或者-CO...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤平惠，清水诚吾，山田俊辅，山木繁，基里达·古纳努鲁克萨蓬，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP