低电压高西格玛多端口存储器控制制造技术

在本公开的一方面，提供了一种装置。在一个方面，该装置是包括逻辑电路的存储器控制器，逻辑电路被配置为根据第一和第二端口信号来生成选择信号，选择信号用于在存储器的第一和第二端口之间进行选择。另外，存储器控制器包括开关，开关被配置为将第一和第二端口信号连接和断开。在本公开的另一方面，该装置是包括存储器和存储器控制器的存储装置。存储器控制器包括锁存器，锁存器被配置为锁存第一端口选择信号以产生第一端口信号，并且锁存第二端口选择信号以产生第二端口信号。存储器控制器还包括开关和逻辑电路，开关被配置为将第一和第二端口信号连接和断开，逻辑电路被配置为生成选择信号。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】低电压高西格玛多端口存储器控制相关申请的交叉引用本申请要求2016年11月15日提交的题为“LOWVOLTAGEHIGHSIGMAMULTI-PORTMEMORYCONTROL”的美国专利申请No.15/352,197的权益，该美国专利申请以其整体通过引用明确地并入本文。
本公开一般地涉及存储器电路系统，并且更特别地，涉及存储器控制电路系统。
技术介绍
示例静态随机访问存储器(SRAM)单元可以包括成对的交叉耦合的反相器，例如，每个由成对的晶体管形成。交叉耦合的反相器可以用于将位存储在两个稳定逻辑状态(例如，逻辑“1”或逻辑“0”)之一中。可以形成反相器的每对晶体管可以是一个P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管和一个N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。通过使用PMOS晶体管和NMOS晶体管的组合，静态功耗可以减小，因为在两个逻辑状态中，每个交叉耦合的反相器中的晶体管之一总是关断。“位单元”(例如，单端口SRAM单元)可以由六个晶体管形成。例如，位单元可以具有四个晶体管，例如，每两个用于成对的交叉耦合的反相器。位单元还可以具有两个附加的晶体管。两个附加的晶体管用作访问晶体管。在读取操作和写入操作期间，访问晶体管可以控制对位单元中的数据的访问。访问晶体管可以连接到字线。字线可以用于启用访问晶体管。多端口存储器单元可以提供附加的特征，附加的特征可以使存储器单元的操作更灵活。换言之，多端口存储器单元可以提供比单端口SRAM单元更多的读取能力和写入能力。例如，多端口存储器可以包括附加的访问晶体管。每个存储器单元处的附加的访问晶体管可以向存储器单元提供附加的访问端口。在多端口存储器系统中，存储器端口选择信息可以针对每个操作周期利用脉冲锁存器被锁存。多端口存储器可以使用多个脉冲锁存器来记录它们各自的端口选择状态。通常，归因于局部环境和布局效果，每个脉冲锁存器之间可能存在变化。布局效果和硅变化可能对最新半导体器件技术中的信号完整性具有显著影响。布局效果和硅变化在低电压操作时可能更加敏感。脉冲锁存器之间的变化可能引起功能故障，导致被配置具有低电压操作的多端口存储器系统的低产量。因此，最小化脉冲锁存器之间的操作变化可能是有利的。
技术实现思路
下文呈现一个或多个方面的简化概述，以便提供对这些方面的基本理解。该概述不是对所有设想到的方面的广泛综述，并且既不旨在标识所有方面的关键或重要元素，也不旨在界定任何或所有方面的范围。其唯一目的是以简化的形式呈现一个或多个方面的一些概念，作为稍后呈现的更详细描述的序言。在本公开的一方面，提供了一种装置。该装置可以是存储器控制器。存储器控制器可以包括逻辑电路，逻辑电路被配置为根据第一端口信号和第二端口信号来生成选择信号，该选择信号用于在存储器的第一端口与第二端口之间进行选择。另外，存储器控制器可以包括开关，开关被配置为将第一端口信号与第二端口信号连接和断开。在本公开的另一方面，提供了另一种装置。该装置可以是存储器控制器。存储器控制器可以包括锁存器。锁存器可以被配置为锁存第一端口选择信号以产生第一端口信号，并且锁存第二端口选择信号以产生第二端口信号。存储器控制器可以包括开关，开关被配置为将第一端口信号与第二端口信号连接和断开。在本公开的另一方面，提供了另一种装置。该装置可以是存储装置。存储装置可以包括存储器和存储器控制器。存储器控制器可以包括锁存器。锁存器可以被配置为锁存第一端口选择信号以产生第一端口信号，并且锁存第二端口选择信号以产生第二端口信号。存储器控制器还可以包括开关。开关可以被配置为将第一端口信号与第二端口信号连接和断开。存储器控制器还可以包括逻辑电路。逻辑电路可以被配置为根据第一端口信号和第二端口信号来生成选择信号，该选择信号用于在存储器的第一端口与第二端口之间进行选择。所理解的是，从以下详细描述，装置和方法的其他方面对本领域的技术人员将容易变得明显，其中通过说明的方式示出和描述了装置和方法的各种方面。如将认识到的，这些方面可以按其他形式和不同形式来实施，并且这些方面的若干细节能够在各种其他方面中进行修改。因此，附图和详细描述将被认为在性质上是说明性的，而不是在性质上是限制性的。附图说明图1是示例读/写地址复用选择电路。图2是图示了示例脉冲锁存器的示图。图3A是图示了脉冲锁存器波形的示例的示图。图3B是图示了脉冲锁存器波形的示例的另一示图。图4是图示了示例脉冲锁存器的另一示图。图5是图示了脉冲锁存器波形的示例的另一示图。图6是图示了示例存储器装置的示图。具体实施方式下面关于附图阐述的详细描述旨在作为各种配置的描述，而非旨在表示可以实践本文中描述的概念的仅有配置。详细描述包括具体细节以用于提供对各种概念的透彻理解的目的。然而，对本领域的技术人员将明显的是，这些概念可以被实践而没有这些具体细节。在一些实例中，以框图形式示出了公知的结构和组件以便避免使这样的概念模糊不清。首字母缩略词和其他描述性术语可以仅为了方便和清楚而使用，而非旨在限制本文中公开的任何概念。贯穿本公开所提出的各种存储器可以实施为独立存储器或者实施在独立存储器中。这些方面还可以被包括在以下各项中：集成电路(IC)或系统、或者集成电路或系统的一部分(例如，驻留在集成电路或集成电路的一部分中的模块、组件、电路等)、或者集成电路或系统与其他集成电路或系统组合的中间产品(例如，视频卡、主板等)、或者最终产品(例如，移动电话、个人数字助理(PDA)、台式计算机、膝上型计算机、掌上计算机、平板计算机、工作站、游戏控制台、媒体播放器、基于计算机的模拟器、用于膝上型计算机的无线通信附件，等等)。本文中使用词语“示例性”来意指用作示例、实例或说明。本文中描述为“示例性”的任何实施例不必然被解释为相对于其他实施例是优选的或有利的。类似地，装置的术语“实施例”不要求本专利技术的所有实施例包括所描述的组件、结构、特征、功能、过程、优点、益处、或操作模式。术语“连接”、“耦合”、或它们的任何变体意指两个或更多元件之间的直接或间接的任何连接或耦合，并且可以涵盖“连接”或“耦合”在一起的两个元件之间的一个或多个中间元件的存在。元件之间的耦合或连接可以是物理的、逻辑的、或它们的组合。如本文中使用的，作为若干非限制性和非穷举性示例，通过使用一个或多个接线、电缆、和/或印刷电连接、以及通过使用电磁能量，诸如具有在射频区域、微波区域和光(可见和不可见两者)区域中的波长的电磁能量，两个元件可以被认为“连接”或“耦合”在一起。本文中使用诸如“第一”、“第二”等名称对元件的任何引用不限制这些元素的数量或顺序。相反，这些名称在本文中用作区分两个或更多元素或元素的实例的便利方法。因此，对第一和第二元素的引用并不意味着可以仅采用两个元素，或者第一元素必须在第二元素之前。如本文中使用的，对复数的引用包括单数，并且对单数的引用包括复数。存储器可以包括随机访问存储器(RAM)、静态随机访问存储器(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、双数据速率RAM(DDRAM)、只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除PROM(EPROM)、电可擦除PROM(EEPROM)、处理器上的通用寄存器、闪存、或任何其他合适的存储器。因此，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器控制器，包括：逻辑电路，被配置为根据第一端口信号和第二端口信号来生成选择信号，所述选择信号用于在存储器的第一端口与第二端口之间进行选择；以及开关，被配置为将所述第一端口信号与所述第二端口信号连接和断开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.15 US 15/352,1971.一种存储器控制器，包括：逻辑电路，被配置为根据第一端口信号和第二端口信号来生成选择信号，所述选择信号用于在存储器的第一端口与第二端口之间进行选择；以及开关，被配置为将所述第一端口信号与所述第二端口信号连接和断开。2.根据权利要求1所述的存储器控制器，还包括开关控制器，所述开关控制器被配置为根据所述第一端口信号和所述第二端口信号来控制所述开关。3.根据权利要求1所述的存储器控制器，还包括复用器，所述复用器被配置为基于所述选择信号，来复用与所述第一端口相关联的第一地址和与所述第二端口相关联的第二地址。4.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中所述开关包括耦合在所述第一端口信号与所述第二端口信号之间的晶体管。5.根据权利要求1所述的存储器控制器，还包括锁存器，所述锁存器被配置为锁存第一端口选择信号以产生所述第一端口信号，并且锁存第二端口选择信号以产生所述第二端口信号。6.根据权利要求5所述的存储器控制器，其中所述锁存器包括重置电路，所述重置电路被配置为在存储器访问周期之前，重置所述第一端口信号和所述第二端口信号中的每个端口信号，所述存储器控制器还包括端口选择电路，所述端口选择电路被配置为在所述存储器访问周期的起始处，设置所述第一端口信号和所述第二端口信号中的每个端口信号。7.根据权利要求6所述的存储器控制器，其中所述逻辑电路还被配置为：当所述第一端口信号和所述第二端口信号中的每个端口信号被设置时，将所述选择信号驱动到第一逻辑状态，并且当所述第一端口信号或所述第二端口信号中的任何端口信号被重置时，将所述选择信号驱动到第二逻辑状态。8.一种存储器控制器，包括：锁存器，被配置为锁存第一端口选择信号以产生第一端口信号，并且锁存第二端口选择信号以产生第二端口信号；以及开关，被配置为将所述第一端口信号与所述第二端口信号连接和断开。9.根据权利要求8所述的存储器控制器，还包括开关控制器，所述开关控制器被配置为根据所述第一端口信号和所述第二端口信号来控制所述开关。10.根据权利要求8所述的存储器控制器，其中所述开关包括耦合在所述第一端口信号与所述第二端口信号之间的晶体管。11.根据权利要求8所述的存储器控制器，其中所述锁存器包括重置电路，所述重置电路被配置为在存储器访问周期之前，重置所述第一端口信号和所述第二端口信号中的每个端口信号，所述存储器控制器还包括端口选择电路，所述端口选择电路被配置为在所述存储器访问周期的起始处，设置所述第一端口信号和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：T·C·Y·郭，晶昌镐，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US