显示装置及显示装置的驱动方法制造方法及图纸

提供一种能够切换通常显示与透视显示的显示装置。提高透视显示时的可见度。液晶元件与发光元件重叠。与液晶元件重叠的发光元件及晶体管等使可见光透过。在液晶元件遮蔽外光时，用发光元件显示图像。在液晶元件使外光透过时，用发光元件显示的图像重叠于透过液晶元件的透过图像上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置及显示装置的驱动方法
本专利技术的一个实施方式涉及一种显示装置、显示装置的制造方法及显示装置的驱动方法。本专利技术的一个实施方式不局限于上述
作为本说明书等所公开的本专利技术的一个实施方式的
的例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置、输入/输出装置、其驱动方法以及其制造方法。在本说明书等中，半导体装置通常是指能够通过利用半导体特性而工作的装置。晶体管、半导体电路、运算装置及存储装置等都是半导体装置的实施方式。另外，摄像装置、电光装置、发电装置(例如，薄膜太阳能电池、有机薄膜太阳能电池)以及电子设备有时包括半导体装置。
技术介绍
近年来，对显示装置的多样化有需求。作为可能的显示装置，有具有透视功能的显示装置。该显示装置包括可以看到背后景物的光透过显示部。这种透视显示装置被期待例如应用于：车辆的挡风玻璃；房屋及高楼等建筑物的窗玻璃；店铺的橱窗的玻璃或陈列柜；移动电话及平板终端等信息终端装置；头戴显示器等可戴显示器；以及用于汽车和飞机的平视显示器。已知应用有机电致发光(electroluminescent：EL)元件或液晶元件的显示装置。作为显示装置的例子，还可以举出具备发光二极管(LED)等发光元件的发光装置、利用电泳方式等进行显示的电子纸。有机EL元件通常具有在一对电极之间设置有包含发光性有机化合物的层的结构。通过对该元件施加电压，发光性有机化合物可以发光。包括这种有机EL元件的显示装置可以实现薄型、轻量且具有高对比度及低功耗。已知有将其沟道形成区域包含金属氧化物的晶体管用作连接到像素电极的开关元件的有源矩阵型液晶显示装置(参照专利文献1及专利文献2)。[参考文献][专利文献][专利文献1]日本专利申请公开第2007-123861号公报[专利文献2]日本专利申请公开第2007-096055号公报
技术实现思路
近年来，已经对虚拟现实(VR：virtualreality)或增强现实(AR：augmentedreality)等各种图像显示技术展开了积极的开发。因此，显示装置不仅需要具有显示影像的功能而且还需要具有各种各样的功能。本专利技术的一个实施方式的一个目的是提供一种能够切换显示方法的显示装置。另一个目的是提高透视显示时的可见度。另一个目的是提供一种能够切换通常显示与透视显示的显示装置。另一个目的是提供一种提供高用户安全性的显示装置。另一个目的是提供一种新颖的显示装置或新颖的显示装置的驱动方法。另一个目的是提供一种可靠性高的显示装置。另一个目的是提供一种轻量的显示装置。另一个目的是提供一种厚度薄的显示装置。注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。在本专利技术的一个实施方式中，并不需要实现所有上述目的。另外，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载抽取上述以外的目的。本专利技术的一个实施方式是一种包括发光元件、液晶元件及第一晶体管的显示装置。第一晶体管与发光元件电连接，且包括第一栅电极、第一半导体层、第一源电极及第一漏电极。第一栅电极、第一半导体层、第一源电极及第一漏电极中的至少一个具有使可见光透过的功能。液晶元件与第一晶体管重叠。液晶元件在被施加电场时使光透过，在不被施加电场时遮蔽光。在上述实施方式中，发光元件优选包括第一电极、第二电极以及所述第一电极与所述第二电极之间的发光层。所述第一电极和第二电极优选具有使可见光透过的功能。在上述实施方式中，第一半导体层、第一栅电极、第一源电极及第一漏电极中的至少一个优选包含金属氧化物。在上述实施方式中，显示装置优选包括与液晶元件电连接且与液晶元件重叠的第二晶体管。第二晶体管优选包括第二栅电极、第二半导体层、第二源电极及第二漏电极。第二栅电极、第二半导体层、第二源电极及第二漏电极中的至少一个优选具有使可见光透过的功能。在上述实施方式中，第一晶体管和第二晶体管优选位于同一面上。在上述实施方式中，液晶元件也可以为无源矩阵型液晶元件或段码型液晶元件。在上述实施方式中，显示装置优选包括第一衬底、第二衬底及绝缘层。优选的是，绝缘层位于第一衬底与第二衬底之间，发光元件位于第一衬底与绝缘层之间，液晶元件位于第二衬底与绝缘层之间。此外，第一栅电极、第一半导体层、第一源电极及第一漏电极中的至少一个优选与绝缘层接触。在上述实施方式中，显示装置优选包括与液晶元件电连接的布线。第一晶体管和布线优选位于绝缘层与第一衬底之间，布线优选在绝缘层的开口中与液晶元件电连接。显示装置优选还包括与所述布线电连接的第二晶体管。所述布线优选具有使可见光透过的功能。在上述实施方式中，显示装置优选包括互相交叉的第一布线及第二布线。第一布线优选与第一晶体管的第一栅电极电连接，第二布线优选与第一晶体管的第一源电极和第一漏电极中的一个电连接。第一布线及第二布线可以具有遮蔽可见光的功能。另外，第一布线及第二布线也可以具有使可见光透过的功能。根据本专利技术的一个实施方式，可以提供一种能够切换显示方法的显示装置。可以提高透视显示时的可见度。可以提供一种能够切换通常显示与透视显示的显示装置。可以提供一种提供高用户安全性的显示装置。可以提供一种新颖的显示装置或新颖的显示装置的驱动方法。可以提供一种可靠性高的显示装置。可以提供一种轻量的显示装置。可以提供一种厚度薄的显示装置。注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。本专利技术的一个实施方式并不需要实现所有上述效果。可以从说明书、附图、权利要求书等的记载抽取上述以外的效果。附图说明图1A至图1C示出显示装置的结构例子。图2A和图2B示出显示装置的结构例子。图3A1、图3A2、图3B1和图3B2示出显示装置的结构例子。图4A1、图4A2、图4B1和图4B2示出显示装置的结构例子。图5A和图5B示出显示装置的结构例子。图6A至图6D示出显示装置的结构例子。图7A至图7D示出显示装置的结构例子。图8A和图8B示出显示装置的结构例子。图9A和图9B示出显示装置的结构例子。图10是电子设备的方框图。图11A1、图11A2、图11B1和图11B2示出电子设备的用途的例子。图12是示出电子设备的驱动方法的流程图。图13A1、图13A2、图13B、图13C和图13D示出电子设备的结构例子。图14A、图14B、图14C、图14D、图14E1及图14E2示出电子设备的结构例子。图15示出显示面板的结构例子。图16A至图16D示出显示面板的结构例子。图17示出显示面板的结构例子。图18示出显示面板的结构例子。图19示出显示面板的结构例子。图20示出显示面板的结构例子。图21A和图21B示出根据实施例1的晶体管的结构及晶体管的电特性。图22示出根据实施例1的导电膜的薄层电阻。图23示出根据实施例2的发光元件的结构。图24示出根据实施例2的液晶元件的电压-透过率特性。图25A至图25F示出根据实施例2的显示装置的制造方法。图26A至图26C示出根据实施例2的透过率的测定结果。图27是根据实施例2的显示面板的照片。图28A至图28D是根据实施例2的显示面板的照片及示出拍摄时的状态的示意图。图29A至图29D是根据实施例3的光学系统的示意图及该光学系统的显示状态的照片。具体实施方式参照附图对实施方式进行详细说明。注意，本专利技术不局限于以下说明。所属
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【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：发光元件；与所述发光元件电连接的第一晶体管；以及与所述第一晶体管重叠的液晶元件，其中，所述第一晶体管包括第一栅电极、第一半导体层、第一源电极及第一漏电极，所述第一栅电极、所述第一半导体层、所述第一源电极及所述第一漏电极中的至少一个被构成为使可见光透过，所述发光元件包括第一电极、第二电极以及所述第一电极与所述第二电极之间的发光层，所述第一电极和所述第二电极被构成为使可见光透过，并且，所述液晶元件在被施加电场时使光透过，在不被施加电场时遮蔽光。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.10 JP 2016-219350;2016.11.30 JP 2016-233421.一种半导体装置，包括：发光元件；与所述发光元件电连接的第一晶体管；以及与所述第一晶体管重叠的液晶元件，其中，所述第一晶体管包括第一栅电极、第一半导体层、第一源电极及第一漏电极，所述第一栅电极、所述第一半导体层、所述第一源电极及所述第一漏电极中的至少一个被构成为使可见光透过，所述发光元件包括第一电极、第二电极以及所述第一电极与所述第二电极之间的发光层，所述第一电极和所述第二电极被构成为使可见光透过，并且，所述液晶元件在被施加电场时使光透过，在不被施加电场时遮蔽光。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一半导体层、所述第一栅电极、所述第一源电极及所述第一漏电极中的至少一个包含金属氧化物。3.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：与所述液晶元件电连接且与所述液晶元件重叠的第二晶体管，其中所述第二晶体管包括第二栅电极、第二半导体层、第二源电极及第二漏电极，并且所述第二栅电极、所述第二半导体层、所述第二源电极及所述第二漏电极中的至少一个被构成为使可见光透过。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管位于同一面上。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述液晶元件是无源矩阵型液晶元件或段码型液晶元件。6.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：第一衬底；第二衬底；以及绝缘层，其中所述绝缘层位于所述第一衬底与所述第二衬底之间，所述发光元件位于所述第一衬底与所述绝缘层之间，所述液晶元件位于所述第二衬底与所述绝缘层之间，并且所述第一晶体管的所述第一栅电极、所述第一半导体层、所述第一源电极及所述第一漏电极中的至少一个与所述绝缘层接触。7.根据权利要求6所述的显示装置，还包括：与所述液晶元件电连接的布线，其中所述第一晶体管和所述布线位于所述绝缘层与所述第一衬底之间，并且所述布线在所述绝缘层的开口中与所述液晶元件电连接。8.根据权利要求7所述的显示装置，还包括与所述布线电连接的第二晶体管。9.根据权利要求7所述的显示装置，其中所述布线被构成为使可见光透过。10.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：第一布线；以及与所述第一布线交叉的第二布线，其中所述第一布线与所述第一晶体管的所述第一栅电极电连接，所述第二布线与所述第一晶体管的所述第一源电极和所述第一漏电极中的一个电连接，并且所述第一布线及所述第二布线被构成为遮蔽可见光。11.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：第一布线；以及与所述第一布线交叉的第二布线，其中所述第一布线与所述第一晶体管的所述第一栅电极电连接，所述第二布线与所述第一晶体管的所述第一源电极和所述第一漏电极中的一个电连接，并且所述第一布线及所述第二布线被构成为使可见光透过。12.一种半导体装置，包括：液晶元件；在所述液晶元件上且与所述液晶元件重叠的第一晶体管；在所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，横山浩平，永田贵章，作石达哉，山下晃央，神保安弘，宍户英明，石谷哲二，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本,JP