封装结构及封装方法、电致发光器件、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种封装结构及封装方法、电致发光器件、显示装置，属于显示技术领域。该方法包括：在待封装结构外侧形成包覆待封装结构的无机膜层，无机膜层包括至少两个子膜层，至少两个子膜层中，远离待封装结构的子膜层的致密性大于靠近待封装结构的子膜层的致密性。本发明专利技术有助于解决封装结构的封装性能较差的问题，有助于提高封装结构的封装性能。本发明专利技术用于封装。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及封装方法、电致发光器件、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种封装结构及封装方法、电致发光器件、显示装置。
技术介绍
近年来，有机发光二极管(英文：OrganicLight-EmittingDiode；简称：OLED)器件的发展取得了突破性的进展，为了提高OLED器件的稳定性和使用寿命，通常需要采用封装结构对OLED器件进行封装，以将OLED器件与外界隔离。目前，OLED器件的封装方式主要包括胶材封装和薄膜封装(英文：ThinFilmEncapsulation；简称：TFE)，根据封装材料的不同，薄膜封装又可以分为无机薄膜封装、有机薄膜封装以及无机有机复合薄膜封装。采用TFE形成的封装结构通常包括无机膜层，在TFE中，通常以氮化硅(SiNx)为材料，采用等离子体增强化学气相沉积(英文：PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition；简称：PECVD)工艺在OLED器件外侧形成无机膜层。但是，无机膜层容易出现缝隙，因此封装结构的封装性能较差。
技术实现思路
本专利技术提供一种封装结构及封装方法、电致发光器件、显示装置，可以解决封装结构的封装性能较差的问题。本专利技术的技术方案如下：第一方面，提供一种封装方法，所述方法包括：在待封装结构外侧形成包覆所述待封装结构的无机膜层，所述无机膜层包括至少两个子膜层，所述至少两个子膜层中，远离所述待封装结构的子膜层的致密性大于靠近所述待封装结构的子膜层的致密性。可选地，所述至少两个子膜层中，每个子膜层的致密性采用折射率来表征，所述每个子膜层的致密性与所述每个子膜层的折射率正相关。可选地，所述至少两个子膜层中，每个子膜层的致密性采用腐蚀速率来表征，所述每个子膜层的致密性与所述每个子膜层的腐蚀速率负相关。可选地，所述在待封装结构外侧形成无机膜层，所述无机膜层包括至少两个子膜层，所述至少两个子膜层中，远离所述待封装结构的子膜层的致密性大于靠近所述待封装结构的子膜层的致密性，包括：采用等离子混合气体在所述待封装结构外侧依次形成至少两个子膜层，使形成远离所述待封装结构的子膜层的等离子混合气体中的预设气体的量大于形成靠近所述待封装结构的子膜层的等离子混合气体中的预设气体的量，得到所述无机膜层。可选地，所述等离子混合气体中的预设气体的量按照所述至少两个子膜层的形成顺序梯度增加。可选地，所述等离子混合气体中的预设气体的量按照所述至少两个子膜层的形成顺序以5％a的梯度等梯度增加，所述a表示形成所述至少两个子膜层中距离所述待封装结构最近的子膜层的等离子混合气体中的所述预设气体的量。可选地，所述等离子混合气体为氢化硅、氨气和氢气的混合气体，所述预设气体为氢气。可选地，形成所述至少两个子膜层中距离所述待封装结构最近的子膜层的等离子混合气体中，氢化硅、氨气和氢气的比例的取值范围为[0.90，1.10]：[0.78,0.98]：[8.20，8.40]。可选地，所述方法还包括：对所述至少两个子膜层中的每个子膜层的表面进行粗造化处理。可选地，所述对所述至少两个子膜层中的每个子膜层的表面进行粗造化处理，包括：采用预设等离子体轰击所述至少两个子膜层中的每个子膜层的表面，以对所述至少两个子膜层中的每个子膜层的表面进行粗造化处理。可选地，所述预设等离子体为氩等离子体。可选地，所述至少两个子膜层中每个子膜层的表面粗糙度的取值范围为0.04微米～0.06微米。可选地，所述方法还包括：在形成有所述无机膜层外侧形成包覆所述无机膜层的有机膜层。第二方面，提供一种封装结构，所述封装结构包括：包覆在待封装结构外侧的无机膜层，所述无机膜层包括至少两个子膜层，所述至少两个子膜层中，远离所述待封装结构的子膜层的致密性大于靠近所述待封装结构的子膜层的致密性。可选地，所述至少两个子膜层中，每个子膜层的致密性采用折射率来表征，所述每个子膜层的致密性与所述每个子膜层的折射率正相关。可选地，所述至少两个子膜层中，每个子膜层的致密性采用腐蚀速率来表征，所述每个子膜层的致密性与所述每个子膜层的腐蚀速率负相关。可选地，所述至少两个子膜层的致密性按照从靠近所述待封装结构到远离所述待封装结构梯度增加。可选地，所述至少两个子膜层中每个子膜层的表面为凹凸不平的微结构。第三方面，提供一种电致发光器件，所述电致发光器件包括第二方面所述的封装结构。可选地，所述至少两个子膜层中每个子膜层的表面粗糙度的取值范围为0.04微米～0.06微米。可选地，所述封装结构还包括：包覆在所述无机膜层外侧的有机膜层。可选地，所述封装结构包括：交替叠加包覆在所述待封装器件外侧的所述无机膜层和所述有机膜层，任意两个无机膜层的结构相同。第四方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括第三方面所述的电致发光器件。本专利技术提供的技术方案带来的有益效果是：本专利技术提供的封装结构及封装方法、电致发光器件、显示装置，由于封装结构的无机膜层包括至少两个子膜层，至少两个子膜层中，远离待封装结构的子膜层的致密性大于靠近待封装结构的子膜层的致密性，因此，可以降低无机膜层出现裂缝的概率，有助于解决封装结构的封装性能较差的问题，提高封装结构的封装性能。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本专利技术。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是相关技术提供的一种封装结构的应用场景图；图2是本专利技术实施例提供的一种封装结构的应用场景图；图3是本专利技术实施例提供的另一种封装结构的应用场景图；图4是本专利技术实施例提供的再一种封装结构的应用场景图；图5是本专利技术实施例提供的一种封装方法的方法流程图；图6是本专利技术实施例提供的一种在待封装结构外侧形成无机膜层的方法流程图；图7是本专利技术实施例提供的一种在待封装结构外侧形成子膜层0311后的示意图；图8是本专利技术实施例提供的一种对子膜层0311的表面进行粗造化处理后的示意图；图9是本专利技术实施例提供的一种在子膜层0311上形成子膜层0312后的示意图；图10是本专利技术实施例提供的一种对子膜层0312的表面进行粗造化处理后的示意图；图11是本专利技术实施例提供的一种在子膜层0312上形成子膜层0313后的示意图；图12是本专利技术实施例提供的一种在无机膜层外侧形成有机膜层后的示意图。此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。为了提高OLED器件的稳定性和使用寿命，通常需要采用封装结构对OLED器件进行封装。请参考图1，其示出了相关技术提供的一种封装结构02的应用场景图，参见图1，OLED器件00设置在衬底基板01上，封装结构02包括设置在OLED器件00外侧的无机膜层021，该无机膜层0本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装方法，其特征在于，所述方法包括：在待封装结构外侧形成包覆所述待封装结构的无机膜层，所述无机膜层包括至少两个子膜层，所述至少两个子膜层中，远离所述待封装结构的子膜层的致密性大于靠近所述待封装结构的子膜层的致密性。

【技术特征摘要】
1.一种封装方法，其特征在于，所述方法包括：在待封装结构外侧形成包覆所述待封装结构的无机膜层，所述无机膜层包括至少两个子膜层，所述至少两个子膜层中，远离所述待封装结构的子膜层的致密性大于靠近所述待封装结构的子膜层的致密性。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少两个子膜层中，每个子膜层的致密性采用折射率来表征，所述每个子膜层的致密性与所述每个子膜层的折射率正相关。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少两个子膜层中，每个子膜层的致密性采用腐蚀速率来表征，所述每个子膜层的致密性与所述每个子膜层的腐蚀速率负相关。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在待封装结构外侧形成无机膜层，所述无机膜层包括至少两个子膜层，所述至少两个子膜层中，远离所述待封装结构的子膜层的致密性大于靠近所述待封装结构的子膜层的致密性，包括：采用等离子混合气体在所述待封装结构外侧依次形成至少两个子膜层，使形成远离所述待封装结构的子膜层的等离子混合气体中的预设气体的量大于形成靠近所述待封装结构的子膜层的等离子混合气体中的预设气体的量，得到所述无机膜层。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述等离子混合气体中的预设气体的量按照所述至少两个子膜层的形成顺序梯度增加。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述等离子混合气体中的预设气体的量按照所述至少两个子膜层的形成顺序以5％a的梯度等梯度增加，所述a表示形成所述至少两个子膜层中距离所述待封装结构最近的子膜层的等离子混合气体中的所述预设气体的量。7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述等离子混合气体为氢化硅、氨气和氢气的混合气体，所述预设气体为氢气。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述至少两个子膜层中距离所述待封装结构最近的...

【专利技术属性】
技术研发人员：全威，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11