阵列基板及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。该阵列基板包括衬底基板和有机层，以及位于该衬底基板和有机层之间的隔离柱，该隔离柱沿远离衬底基板的方向层叠设置的第一隔离条、第二隔离条以及第三隔离条能够形成工字形断面，有效避免了有机层的形成材料在隔离柱底部堆积的情况，进而也避免了被阻断的有机层再次连通的情况，因此，有效阻断了水氧入侵路径，也提高了自发光显示装置的寿命。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制造方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
技术介绍
自发光显示装置具有自发光、反应快、视角广以及轻薄等优点，已广泛应用于显示
自发光显示装置易受到环境中水氧的侵蚀，导致其寿命降低。其中，自发光显示装置中形成的有机层(例如发光层(英文：Electro-Luminescence，简称：EL)或者阴极层等)是主要的水氧入侵路径。采用在水氧入侵路径中设置隔离柱的方式可以有效阻隔水氧，使自发光显示装置的内部材料免受水氧的侵蚀。相关技术中，在形成有机层之前，在衬底基板上形成倒梯形的隔离柱，使得在形成有该倒梯形的隔离柱的衬底基板上再形成有机层时，有机层会被倒梯形的隔离柱阻断，达到了阻断水氧入侵路径的效果。但是，相关技术中，在形成有倒梯形的隔离柱的基板上制备有机层时，有机层的形成材料在重力的作用下会沿着倒梯形两侧的坡面延伸至倒梯形的底部，导致被阻断的有机层再次连通，形成一条水氧入侵路径，严重影响自发光显示装置的寿命。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，可以解决相关技术中发光显示装置的寿命较低的问题。所述技术方案如下：第一方面，提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：衬底基板和有机层，以及位于所述衬底基板和所述有机层之间的隔离柱，所述隔离柱包括沿远离所述衬底基板的方向层叠设置的第一隔离条、第二隔离条以及第三隔离条；所述第二隔离条在所述第一隔离条的正投影位于所述第一隔离条的边界区域内，所述第二隔离条在所述第三隔离条上的正投影在所述第三隔离条的边界区域内；所述第二隔离条的宽度小于所述第一隔离条的宽度，且所述第二隔离条的宽度小于所述第三隔离条的宽度。可选的，所述第一隔离条、所述第二隔离条以及所述第三隔离条均由无机材料制成。可选的，所述第一隔离条、所述第二隔离条以及所述第三隔离条均由金属材料制成；所述第一隔离条的金属材料的金属活动性以及所述第二隔离条的金属材料的金属活动性均弱于所述第二隔离条的金属材料的金属活动性。可选的，所述隔离柱还包括支撑隔离条，所述支撑隔离条设置于所述第三隔离条远离所述第二隔离条的一侧，所述支撑隔离条的形成材料的硬度大于所述第三隔离条的形成材料的硬度，和/或，所述支撑材料图案设置于所述第一隔离条远离所述第二隔离条的一侧，所述支撑隔离条的形成材料的硬度大于所述第一隔离条的形成材料的硬度。可选的，所述第一隔离条和所述第三隔离条均由钛制成，所述第二隔离条由铝制成；所述支撑隔离条的形成材料包括氧化铟锡ITO、有机材料以及钼中的至少一种。可选的，所述阵列基板还包括：薄膜晶体管，所述阵列基板中每个隔离柱中的至少一层隔离条与所述薄膜晶体管中的源漏极图案的至少一层图案层同层设置。可选的，所述薄膜晶体管中的源漏极图案包括至少三层图案层，每个所述隔离柱包括至少三层隔离条，所述至少三层图案层中的三层图案层与所述至少三层隔离条中的三层隔离条分别同层设置。第二方面，提供了一种阵列基板的制备方法，所述方法包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上依次形成层叠的第一隔离图案、第二隔离图案以及第三隔离图案；在形成有所述第三隔离图案的衬底基板上形成有机层；其中，第一隔离图案包括n个第一隔离条，所述第二隔离图案包括n个第二隔离条，所述第三隔离图案中包括n个第三隔离条，n为正整数；n个第一隔离条、n个第二隔离条和n个第三隔离条一一对应，每组对应的第一隔离条、第二隔离条和第三隔离条中，所述第二隔离条在所述第一隔离条的正投影位于所述第一隔离条的边界区域内，所述第二隔离条在所述第三隔离条上的正投影在所述第三隔离条的边界区域内，所述第二隔离条的宽度小于所述第一隔离条的宽度，且所述第二隔离条的宽度小于所述第三隔离条的宽度。可选的，所述在所述衬底基板上依次形成层叠的第一隔离图案、第二隔离图案以及第三隔离图案，包括：依次在衬底基板上形成第一材料层、第二材料层以及第三材料层；在所述第三材料层上形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光和显影，形成光刻胶图案；通过刻蚀工艺，对所述第一材料层、所述第二材料层以及所述第三材料层进行刻蚀，得到第一隔离图案、刻蚀后的第二材料层以及第三隔离图案；通过湿刻工艺，对所述刻蚀后的第二材料层进行刻蚀，得到第二隔离图案；剥离所述光刻胶图案。第三方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括第一方面所述的阵列基板。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果包括：本专利技术实施例提供的阵列基板包括衬底基板和有机层，以及位于该衬底基板和有机层之间的隔离柱，该隔离柱沿远离衬底基板的方向层叠设置的第一隔离条、第二隔离条以及第三隔离条能够形成工字形断面，由于该工字型断面具有多拐点(也称弯折点)，有效避免了有机层的形成材料在隔离柱底部堆积的情况，进而也避免了被阻断的有机层再次连通的情况，因此，有效阻断了水氧入侵路径，也提高了自发光显示装置的寿命。附图说明图1是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的断面结构的示意图；图2是图1所示的阵列基板中的隔离柱的俯视结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的一种隔离柱的断面结构的示意图；图4是本专利技术实施例提供的又一种隔离柱的断面结构的示意图；图5是本专利技术实施例提供的又一种隔离柱的断面结构的示意图；图6是本专利技术实施例提供的一种隔离柱的制备方法的流程图；图7是本专利技术实施例提供的一种开口周围设置有四个隔离柱的俯视结构示意图；图8是本专利技术实施例提供的一种在衬底基板上形成层叠的第一隔离图案、第二隔离图案以及第三隔离图案的方法流程图；图9是本专利技术实施例提供的一种在衬底基板上形成第一材料层、第二材料层以及第三材料层的示意图；图10是本专利技术实施例提供的一种在第三材料层上形成光刻胶层的示意图；图11是本专利技术实施例提供的一种对光刻胶层进行曝光显影，形成光刻胶图案的示意图；图12是本专利技术实施例提供的一种得到第一隔离图案、刻蚀后的第二材料层以及第三隔离图案的示意图；图13是本专利技术实施例提供的一种得到第二隔离图案的示意图；图14是本专利技术实施例提供的一种剥离光刻胶图案之后得到2个隔离柱的示意图；图15是本专利技术实施例提供的一种在衬底基板上形成第四材料层、第一材料层、第二材料层、第三材料层以及第五材料层的示意图；图16是本专利技术实施例提供的一种在第五材料层上形成光刻胶层的示意图；图17是本专利技术实施例提供的一种对光刻胶层进行曝光和显影，形成光刻胶图案的示意图；图18是本专利技术实施例提供的一种得到第二隔离支撑图案、第一隔离图案、刻蚀后的第二材料层以及第三隔离图案的示意图；图19是本专利技术实施例提供的一种得到第二隔离图案的示意图；图20是本专利技术实施例提供的一种剥离光刻胶图案之后得到2个隔离柱的示意图；图21是本专利技术实施例提供的一种在形成有第五材料层的衬底基板上通过构图工艺形成第三隔离支撑图案以及第四支撑图案的示意图；图22是本专利技术实施例提供的另一种隔离柱的断面结构的示意图；图23是本专利技术实施例提供的一种在隔离柱上形成阴极层、发光层以及经过TFE后的示意图；图24是本专利技术实施例提供的另一种在隔离柱上形成阴极层、发光层以及经过TFE后的示意图；图25是本专利技术实施例提供的又一种在隔离柱上形成阴极层、发光层以及经过TFE后的示意图；图26是本专利技术实施例提供的一种隔离柱在采用TFE后出本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板和有机层，以及位于所述衬底基板和所述有机层之间的隔离柱，所述隔离柱包括沿远离所述衬底基板的方向层叠设置的第一隔离条、第二隔离条以及第三隔离条；所述第二隔离条在所述第一隔离条的正投影位于所述第一隔离条的边界区域内，所述第二隔离条在所述第三隔离条上的正投影在所述第三隔离条的边界区域内；所述第二隔离条的宽度小于所述第一隔离条的宽度，且所述第二隔离条的宽度小于所述第三隔离条的宽度。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板和有机层，以及位于所述衬底基板和所述有机层之间的隔离柱，所述隔离柱包括沿远离所述衬底基板的方向层叠设置的第一隔离条、第二隔离条以及第三隔离条；所述第二隔离条在所述第一隔离条的正投影位于所述第一隔离条的边界区域内，所述第二隔离条在所述第三隔离条上的正投影在所述第三隔离条的边界区域内；所述第二隔离条的宽度小于所述第一隔离条的宽度，且所述第二隔离条的宽度小于所述第三隔离条的宽度。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一隔离条、所述第二隔离条以及所述第三隔离条均由无机材料制成。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一隔离条、所述第二隔离条以及所述第三隔离条均由金属材料制成；所述第一隔离条的金属材料的金属活动性以及所述第二隔离条的金属材料的金属活动性均弱于所述第二隔离条的金属材料的金属活动性。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述隔离柱还包括支撑隔离条，所述支撑隔离条设置于所述第三隔离条远离所述第二隔离条的一侧，所述支撑隔离条的形成材料的硬度大于所述第三隔离条的形成材料的硬度，和/或，所述支撑材料图案设置于所述第一隔离条远离所述第二隔离条的一侧，所述支撑隔离条的形成材料的硬度大于所述第一隔离条的形成材料的硬度。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一隔离条和所述第三隔离条均由钛制成，所述第二隔离条由铝制成；所述支撑隔离条的形成材料包括氧化铟锡ITO、有机材料以及钼中的至少一种。6.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：薄膜晶体管，所述阵列基板中每个隔离柱中的至少一层隔离条与所述薄膜晶体管中的源漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：张慧娟，陈善韬，王品凡，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11