一种Micro LED阵列结构、显示面板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种Micro LED阵列结构、显示面板和显示装置，所述阵列结构包括基板；设置在所述基板上的像素单元阵列，其中每个像素单元包括3个显示子像素和1个待机子像素；控制电路，响应于第一指令控制所述显示子像素发光，响应于第二指令控制所述待机子像素发光。本发明专利技术提供的实施例根据不同的指令控制像素单元中不同的子像素发光，从而实现节能目的，能够提高Micro LED阵列结构的待机时间。同时通过在Micro LED阵列结构中加入感光元件根据环境亮度补偿显示亮度，有效提高使用者的用户体验。

【技术实现步骤摘要】
一种MicroLED阵列结构、显示面板和显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种MicroLED阵列结构、显示面板和显示装置。
技术介绍
随着移动、可穿戴设备的普及，提高设备续航能力和多功能化是亟待解决的两大问题。MicroLED作为新一代显示技术，比现有的OLED技术亮度更高、发光效率更好、但功耗更低，被逐渐应用于移动、可穿戴设备中。另外，在待机状态时，往往要求移动、可穿戴设备显示时间、日期、电量和通信状态等信息，需要消耗大量电量，从而导致设备的待机时间较短。
技术实现思路
为了解决上述问题至少之一，本专利技术第一方面提供一种MicroLED阵列结构，包括基板；设置在所述基板上的像素单元阵列，其中每个像素单元包括3个显示子像素和1个待机子像素；控制电路，响应于第一指令控制所述显示子像素发光，响应于第二指令控制所述待机子像素发光。进一步的，还包括形成在所述基板上的多列阴极结构和与所述阴极结构电绝缘的多行第一阳极结构和多行第二阳极结构；所述4个子像素的阴极分别与对应的阴极结构电连接，所述显示子像素的阳极与对应的第一阳极结构电连接，所述待机子像素的阳极与对应的第二阳极结构电连接。进一步的，还包括形成在所述基板上的多行阳极结构和与所述阳极结构电绝缘的多列第一阴极结构和多列第二阴极结构；所述4个子像素的阳极分别与对应的阳极结构电连接，显示子像素的阴极与对应的第一阴极结构电连接，待机子像素的阴极与对应的第二阴极结构电连接。进一步的，所述控制电路包括：启动单元；时序控制单元；以及输出单元，其中所述启动单元响应于第一指令指示所述时序控制单元生成第一时序控制信号从而通过输出单元向所述显示子像素输出所述第一时序控制信号；所述启动单元响应于第二指令指示所述时序控制单元生成第二时序控制信号从而通过输出单元向所述待机子像素输出所述第二时序控制信号。进一步的，还包括用于感测外部的光线强度的感光元件，所述控制电路将所感测的光线强度与预设光线强度阈值进行比对，若所述光线强度大于光线强度阈值则所述控制电路控制所述待机子像素发光。进一步的，每个像素单元对应两行第一阳极结构和一行第二阳极结构，其中两行第一阳极结构相邻。进一步的，所述每个像素单元的4个子像素呈田字形排列；所述待机子像素的阳极设置为相对于所述像素单元中心的第一远端，与第二阳极结构投影位置对应；与所述待机子像素同行的显示子像素的阳极设置为相对于所述像素单元中心的近端，与和所述第二阳极结构相邻的第一阳极结构投影位置对应；另外两个显示子像素的阳极设置为相对于所述像素单元中心的第二远端，与另一所述第一阳极结构投影位置对应，其中所述第一远端和第二远端相对。进一步的，每个像素单元对应两行第一阳极结构和一行第二阳极结构，其中所述一行第二阳极结构形成在所述两行第一阳极结构之间。进一步的，所述每个像素单元的4个子像素呈田字形排列；所述待机子像素的阳极设置为相对于所述像素单元中心的第一近端，与第二阳极结构投影位置对应；与所述待机子像素同行的显示子像素的阳极设置为相对于所述像素单元中心的远端，与一行第一阳极结构投影位置对应；另外两个显示子像素的阳极设置为相对于所述像素单元中心的第二近端，与另一行所述第一阳极结构投影位置对应，其中所述第一近端和第二近端相邻。进一步的，所述显示子像素和待机子像素的LED均包括：衬底；形成在衬底上的N型GaN层，所述N型GaN层包括台面部和露出部；形成在所述台面部上的量子阱层；形成在所述量子阱层上的P型GaN层；形成在所述P型GaN层上的荧光层；形成在所述荧光层上的透明导电金属层；形成在所述透明导电金属层上的阳极；形成在所述露出部上的阴极，其中所述待机子像素的LED的阳极与其阴极的垂直投影距离与所述显示子像素的LED的阳极与其阴极的垂直投影距离不同。进一步的，所述待机子像素的LED的阳极在远离其阴极的透明导电金属层上的位置处；所述显示子像素的LED的阳极在靠近其阴极的透明导电金属层上的位置处。进一步的，所述3个显示子像素分别为红色、绿色和蓝色子像素，所述1个待机子像素为白色子像素。本专利技术第二方面提供一种显示面板，包括第一方面所述的MicroLED阵列结构。本专利技术第三方面提供一种显示装置，包括第二方面所述的显示面板。本专利技术的有益效果如下：本专利技术针对目前现有的问题，制定一种MicroLED阵列结构，所述阵列结构包括阵列排布的像素单元，所述像素单元包括显示子像素和待机子像素，通过控制电路分别控制显示子像素和待机子像素，使得显示子像素和待机子像素分时独立发光，以实现节能的效果，从而弥补了现有技术中问题，有效提高MicroLED显示面板的待机时间。同时通过在MicroLED阵列结构中加入感光元件，根据环境亮度启动待机子像素对MicroLED显示器件的显示亮度进行补偿，从而提高使用者的用户体验。附图说明下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步详细的说明。图1示出本专利技术的一个实施例所述MicroLED阵列结构的结构示意图；图2示出本专利技术的一个实施例所述像素单元的结构示意图；图3a-3b示出本专利技术的一个实施例所述子像素的结构示意图；图4示出本专利技术的另一个实施例所述MicroLED阵列结构的结构示意图；图5a-5b示出本专利技术的一个实施例所述子像素的结构示意图；图6示出本专利技术的一个实施例所述像素单元对应的阳极结构的结构示意图；图7示出本专利技术的另一个实施例所述像素单元对应的阳极结构的结构示意图；图8a-8b示出本专利技术的一个实施例所述像素单元的子像素的截面图。具体实施方式为了更清楚地说明本专利技术，下面结合可选实施例和附图对本专利技术做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本专利技术的保护范围。如图1所示，本专利技术的一个实施例提供了一种MicroLED阵列结构，包括基板；设置在所述基板上的像素单元阵列，其中每个像素单元包括3个显示子像素和1个待机子像素；控制电路，响应于第一指令控制所述显示子像素发光，响应于第二指令控制所述待机子像素发光。在一个具体的示例中，如图1所示，所述MicroLED阵列结构包括像素单元10和控制电路(图中未示出)。如图2所示，所述像素单元包括阵列排布的4个子像素11、12、13和14，其中3个子像素为显示子像素，1个子像素为待机子像素。控制电路用于控制子像素发光，当控制电路接收到显示指令(第一指令)时，控制电路控制显示子像素发光；当控制电路接收到待机指令(第二指令)时，控制电路控制待机子像素发光。所述控制电路根据接收的指令使得显示子像素和待机子像素分时独立发光，从而实现节能效果，弥补了现有技术中问题，有效提高MicroLED显示面板的待机时间。在本实施例中，所述MicroLED阵列结构还包括形成在所述基板上的多列阴极结构和与所述阴极结构电绝缘的多行第一阳极结构和多行第二阳极结构；所述4个子像素的阴极分别与对应的阴极结构电连接，所述显示子像素的阳极与对应的第一阳极结构电连接，所述待机子像素的阳极与对应的第二阳极结构电连接。具体的，如图1所示，所述MicroLED阵列结构还包括形成在所述基板上的多列阴极结构20和与所述阴极结构20电绝缘的多行第一阳极结构31和多行第二阳极结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Micro LED阵列结构，其特征在于，包括基板；设置在所述基板上的像素单元阵列，其中每个像素单元包括3个显示子像素和1个待机子像素；控制电路，响应于第一指令控制所述显示子像素发光，响应于第二指令控制所述待机子像素发光。

【技术特征摘要】
1.一种MicroLED阵列结构，其特征在于，包括基板；设置在所述基板上的像素单元阵列，其中每个像素单元包括3个显示子像素和1个待机子像素；控制电路，响应于第一指令控制所述显示子像素发光，响应于第二指令控制所述待机子像素发光。2.根据权利要求1所述的MicroLED阵列结构，其特征在于，还包括形成在所述基板上的多列阴极结构和与所述阴极结构电绝缘的多行第一阳极结构和多行第二阳极结构；所述4个子像素的阴极分别与对应的阴极结构电连接，所述显示子像素的阳极与对应的第一阳极结构电连接，所述待机子像素的阳极与对应的第二阳极结构电连接。3.根据权利要求1所述的MicroLED阵列结构，其特征在于，还包括形成在所述基板上的多行阳极结构和与所述阳极结构电绝缘的多列第一阴极结构和多列第二阴极结构；所述4个子像素的阳极分别与对应的阳极结构电连接，显示子像素的阴极与对应的第一阴极结构电连接，待机子像素的阴极与对应的第二阴极结构电连接。4.根据权利要求1-3中任一项所述的MicroLED阵列结构，其特征在于，所述控制电路包括：启动单元；时序控制单元；以及输出单元，其中所述启动单元响应于第一指令指示所述时序控制单元生成第一时序控制信号从而通过输出单元向所述显示子像素输出所述第一时序控制信号；所述启动单元响应于第二指令指示所述时序控制单元生成第二时序控制信号从而通过输出单元向所述待机子像素输出所述第二时序控制信号。5.根据权利要求1所述的MicroLED阵列结构，其特征在于，还包括用于感测外部的光线强度的感光元件，所述控制电路将所感测的光线强度与预设光线强度阈值进行比对，若所述光线强度大于光线强度阈值则所述控制电路控制所述待机子像素发光。6.根据权利要求2所述的MicroLED阵列结构，其特征在于，每个像素单元对应两行第一阳极结构和一行第二阳极结构，其中两行第一阳极结构相邻。7.根据权利要求6所述的MicroLED阵列结构，其特征在于，所述每个像素单元的4个子像素呈田字形排列；所述待机子像素的阳极设置为相对于所述像素单元中心的第一远端，与第二阳极结构投影位置对应；与所述待机子像素同行的显示子像素的阳极设置为相对...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晶，姜晓宁，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11