光掩膜承载盒以及光掩膜装置的承载及清洁方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种光掩膜承载盒用以承载光掩膜装置，光掩膜承载盒包括壳体以及抽气装置。壳体包括容置空间、进气孔以及抽气口，光掩膜装置设置于容置空间内，且进气孔经配置以将清洁气体注入壳体的容置空间内。抽气装置设置于壳体上，以对容置空间进行抽气。本发明专利技术实施例更提供一种光掩膜装置的承载及清洁方法。

【技术实现步骤摘要】
光掩膜承载盒以及光掩膜装置的承载及清洁方法
本专利技术实施例涉及一种光掩膜承载盒以及光掩膜装置的承载及清洁方法。
技术介绍
光掩膜(photomasksorreticles)已经普遍被使用于半导体制造的光刻工艺中。典型的光掩膜是使用非常平的石英或玻璃板，并在板体的其中一侧面沉积一层铬所制作而成。在光刻工艺中，会将光掩膜(例如二位明暗度光掩膜(BinaryIntensityMask，BIM)或是相位偏移光掩膜(PhaseShiftMask，PSM)上的图案(pattern)转移成图像到晶片上。然而，光掩膜的洁净程度往往会是一项问题，对于高精确的光掩膜(例如在光刻工艺中，使用波长等于或短于248纳米的光掩膜)特别容易受影响而产生缺陷。造成光掩膜的不洁净的其中一种因素，即是为薄雾污染(hazecontamination)。薄雾污染形成的主要原因，来自于光掩膜清洗剂的残留沉积物、不洁净的晶片制造环境或是暴露于相互影响的设备环境中。举例来说，当使用包含氨盐基(NH4)与硫酸盐(SO4)的溶剂来清洗光掩膜后，若光掩膜曝晒于短波长的紫外光下(如短波248或193纳米)时，光掩膜污染的现象会变得明显。
技术实现思路
本专利技术实施例是针对一种光掩膜承载盒，其可提升光掩膜的清洁效率。根据本专利技术的实施例，光掩膜承载盒用以承载并传送光掩膜装置，光掩膜承载盒包括壳体以及抽气装置。壳体包括容置空间、进气孔以及抽气口，光掩膜装置设置于容置空间内，且进气孔经配置以将清洁气体注入壳体的容置空间内。抽气装置设置于壳体上，以对容置空间进行抽气。本专利技术实施例的一种光掩膜装置的承载及清洁方法包括下列步骤。提供一光掩膜承载盒，其中光掩膜承载盒包括一壳体以及一抽气装置。将一光掩膜装置设置于壳体内。注入一清洁气体至壳体内。以抽气装置对壳体内部进行抽气，以使清洁气体充满壳体。附图说明结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本专利技术实施例的各个方面。应注意，根据本行业中的标准实务，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。图1是依照本专利技术的一实施例的一种光掩膜承载盒的剖面示意图；图2是依照本专利技术的一实施例的一种光掩膜承载盒的剖面示意图；图3是依照本专利技术的一实施例的一种光掩膜承载盒的组件分解示意图；图4是依照本专利技术的一实施例的一种光掩膜承载盒的局部示意图；图5是依照本专利技术的一实施例的一种光刻工艺系统的示意图。附图标号说明10：光掩膜储存柜；20：控制器；30：工艺区；100、100a：光掩膜承载盒；110、110a：壳体；112、112a：上壳体；114：下壳体；116：把手部；120：抽气装置；122：转子；124：静子；130：光掩膜装置；132：上罩体、罩体；134：下罩体、罩体；136：光掩膜；138：侧支撑架；139：过滤装置；140：抽气开关；142：驱动件；144：阻挡件；150：传感器；CT：污染物质；OP1：进气孔；OP2：抽气口；R1：旋转方向；S1：容置空间。具体实施方式以下公开内容提供用于实作所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件及排列的具体实例以简化本公开内容。当然，这些仅为实例且不旨在进行限制。举例来说，以下说明中将第一特征形成于第二特征“之上”或第二特征“上”可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中所述第一特征与所述第二特征之间可形成有附加特征进而使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。另外，本公开内容可能在各种实例中重复使用参考编号及/或字母。这种重复是出于简洁及清晰的目的，而不是自身表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。此外，为易于说明，本文中可能使用例如“之下(beneath)”、“下面(below)”、“下部(lower)”、“上方(above)”、“上部(upper)”等空间相对性用语来阐述图中所示的一个组件或特征与另一(其他)组件或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所绘示的取向外还囊括装置在使用或操作中的不同取向。设备可具有其他取向(旋转90度或处于其他取向)且本文中所用的空间相对性描述语可同样相应地进行解释。现将详细地参考本专利技术的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同组件符号在图式和描述中用来表示相同或相似部分。图1是依照本专利技术的一实施例的一种光掩膜承载盒的组件分解示意图。请参照图1，本实施例的光掩膜承载盒100可用以承载并清洁至少一光掩膜装置130。在本实施例中，光掩膜装置130可包括罩体132、134以及光掩膜136。进一步而言，光掩膜装置130更可包括多个侧支撑架138，其可设置于光掩膜136的周缘位置，以支撑光掩膜136，并可藉由胶体或是框架黏着剂等形式固定。光掩膜136可包括光掩膜板(reticleblank)以及光掩膜图案。在一实施例中，光掩膜图案可附着于光掩膜板的其中一侧面，且光掩膜图案会被曝光以及显影至半导体晶片上。如此，光掩膜装置130整体可被置放于另一储存结构，例如本实施例的光掩膜承载盒100中。在本实施例中，光掩膜136可为极紫外(ExtremeUltravioletLight,EUV)光掩膜。也就是说，光掩膜136上的光掩膜图案是由使用波长约为157nm的极紫外光的光刻工艺所形成，以使光掩膜图案复制于半导体晶片表面时能达到更小的分辨率。使用这种EUV光掩膜时，相对地，对于光掩膜承载盒100的洁净要求会更加提高。并且，一般来说，为了防止环境中的污染物质掉落在光掩膜136上，通常会在光掩膜上方设置光掩膜护膜(pellicle)，其可为一种透光薄膜。然而，这种光掩膜护膜容易在极紫外线的照射下产生褶皱现象(wrinklephenomenon)，因而使EUV光掩膜较难使用此种光掩膜护膜来进行保护。因此，在光掩膜装置130中的光掩膜136是EUV光掩膜的实施例中，对于光掩膜承载盒100的洁净要求会更加严苛。当然，本实施例并不以此为限，在其他实施例中，光掩膜装置130中的光掩膜136也可例如为浸润式(immersion)光掩膜等以其他光刻工艺所形成的光掩膜。在本实施例中，光掩膜承载盒100包括壳体110以及抽气装置120。壳体110包括容置空间S1、进气孔OP1以及抽气口OP2。光掩膜装置130可设置于此壳体110所定义出的容置空间S1内。一般来说，污染物质CT可能是由空气中漂浮的污染物所造成，这些空气中漂浮的污染物其可能来自于环境中、护膜胶、光掩膜承载盒本身的挥发物质、残留物、反应过程中的化学成长与沉积物以及化学溶剂的混合物等。当使用由例如氨盐基与硫酸盐所构成的溶剂来清洗光掩膜136上的光掩膜图案时，许多残留离子会聚集于容置空间S1中(例如靠近光掩膜图案附近的空间)，甚至污染物质CT可能会成长以及沉淀于光掩膜136上。此外，光刻工艺中会反复不断地使用光掩膜，此时，来自于光源的能量更会加速污染物质CT的成长。有鉴于此，为了要将污染物质CT的成长与沉积情形降至最小，本实施例的壳体110具有至少一进气孔OP1以及抽气口OP2，以藉由进气孔OP1将清洁气体注入壳体110的容置空间S1内，以对光掩膜装置130进行清洁。并且，在本实施例中，抽气装置120设置于壳体110的抽气口本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光掩膜承载盒，用以承载光掩膜装置，其特征在于，包括：壳体，包括容置空间、进气孔以及抽气口，所述光掩膜装置设置于所述容置空间内，且所述进气孔经配置以将清洁气体注入所述壳体的所述容置空间内；以及抽气装置，设置于所述壳体上并对应所述抽气口，以对所述容置空间进行抽气。

【技术特征摘要】
1.一种光掩膜承载盒，用以承载光掩膜装置，其特征在于，包括：壳体，包括容置空间、进气孔以及抽气口，所述光掩膜装置设置于所述容置空间内，且所述进气孔经配置以将清洁气体注入所述壳体的所述容置空间内；以及抽气装置，设置于所述壳体上并对应所述抽气口，以对所述容置空间进行抽气。2.根据权利要求1所述的光掩膜承载盒，所述抽气装置包括螺旋式泵。3.根据权利要求1所述的光掩膜承载盒，所述壳体更包括把手部，凸出于所述壳体，所述抽气口设置于所述把手部上并连通所述容置空间。4.根据权利要求3所述的光掩膜承载盒，所述壳体包括彼此固定的上壳体以及下壳体，以共同定义出所述容置空间，所述进气孔设置于所述下壳体上，且所述把手部设置于所述上壳体上。5.根据权利要求1所述的光掩膜承载盒，所述光掩膜装置包括极紫外光掩膜。6.根据权利要求1所述的光掩膜承载盒，更包括抽气开关，设置于所述壳体并用以覆盖或暴露所述抽气口。7.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘子汉，林重宏，温志伟，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71