在一个实施例中公开了一种半导体器件，包括：发光结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、和设置在第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层；第一电极，与第一导电半导体层电连接；第二电极，与第二导电半导体层电连接；反射层，设置在第二电极上；以及覆盖层，设置在反射层上并包括多个层，其中，覆盖层包括直接设置在所述反射层上的第一层，并且第一层包括Ti。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装
本专利技术涉及一种半导体器件及包括该半导体器件的半导体器件封装。
技术介绍
包括诸如GaN和AlGaN的化合物的半导体器件具有许多优点，例如有宽且可调节的带隙能量，因此可以用多种方式用于发光器件、受光器件、各种二极管等。特别地，由III-V族或II-VI族化合物半导体材料形成的发光装置，例如发光二极管或激光二极管，由于薄膜生长技术和器件材料的发展，可以实现各种颜色，例如红色、绿色、蓝色，或发出紫外光。发光装置还可以通过使用荧光材料或组合颜色而发射有效的白光，并且与现有光源例如荧光灯和白炽灯相比具有低功耗、半永久寿命、高响应速度、安全和环境友好的优点。此外，由于器件材料的发展，当用III-V族或II-VI族化合物半导体材料制造诸如光电探测器或太阳能电池的受光器件时，受光器件通过吸收各种波长区域的光来产生光电流。因此，可以使用从伽马射线区域到无线电波区域的各种波长区域内的光。而且，由于高响应速度、安全、环境友好且器件材料易于调节的优点，受光器件可以容易地用于功率控制或超高频电路或通信模块。因此，半导体器件的应用正在扩展到光通信装置的传输模块、取代冷阴极荧光灯(CCFL)(其构成液晶显示器(LCD)装置的背光源)的发光二极管背光源、可替代荧光灯或白炽灯的白色发光二极管照明器件、车辆前灯、交通灯、感测气体或火灾的传感器、等等。而且，半导体器件的应用可以扩展到高频应用电路、功率控制设备和通信模块。特别地，在紫外波长区域发光的发光装置具有固化作用或灭菌作用，因而可被用于固化、医疗和消毒。目前正在对紫外发光装置进行积极的研究。然而，垂直型紫外发光装置难以被制造，并且光提取效率相对较低。
技术实现思路
技术问题本专利技术旨在提供一种具有改善的光提取效率的半导体器件。本专利技术还旨在提供一种具有优异电流注入效率的半导体器件。本专利技术还旨在提供一种半导体器件，其中通过抑制球化(ball-up)现象来改善第一电极的特性。本专利技术的目的不限于此，并且本专利技术可以包括可从下面描述的技术方案或实施例中得出的目的和效果。技术方案本专利技术的一个方面提供了一种半导体器件，包括：发光结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及设置在第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层；第一电极，电耦接到第一导电半导体层；第二电极，电耦接到第二导电半导体层；反射层，设置在第二电极上；以及覆盖层，设置在反射层上并包括多个层。覆盖层包括设置在反射层上的第一层，并且第一层包含Ti。覆盖层还可以包括中间层，设置在第一层上并包括多个层，中间层可以包括第一中间层，直接设置在第一层上并包含Ni，第一层与第一中间层的厚度比可以在1：1至3：1的范围内。覆盖层还可以包括设置在第一层上的第二层，第二层可以包含Au。第一层可以设置在覆盖层的一侧，第二层可以设置在覆盖层的另一侧。中间层可以包括至少一个包含Ni的第一中间层。至少一个第一中间层中的一个可以设置在第一层上。第一层与第一中间层的厚度比可以在1：1至3：1的范围内。中间层还可以包括至少一个包含Ti的第二中间层。可以在第二电极和反射层之间另外设置接合层。发光结构还可以包括多个凹槽，穿过第二导电半导体层和有源层，并且延伸到第一导电半导体层的部分区域，并且多个第一电极可以设置在多个凹槽中。本专利技术的另一方面提供了一种半导体器件，包括：发光结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层；第一电极，电耦接到第一导电半导体层；以及第二电极，电耦接到第二导电半导体层。第一电极包括第一层、第二层和第三层，第一层包括包含第一金属的第一金属层，第一金属的扩散系数大于包含在第三层中的第三金属的扩散系数，第二层的厚度在第一金属层的厚度的0.4至0.53倍的范围内。第二层可以设置在第一金属层和第三层之间。第一层还可以包括第1-1层和设置在第1-1层与第一金属层之间的第1-2层，第一金属层的厚度可以在第1-1层和第1-2层厚度总和的1.5到2.5倍的范围内。第1-1层可以包含Cr，第1-2层可以包含Ti。半导体器件还可包括：反射层，设置在第二电极上；以及覆盖层，设置在反射层上并包括多个层。发光结构还可以包括多个凹槽，穿过第二导电半导体层和有源层，并且延伸到第一导电半导体层的部分区域，并且第一电极可以设置在多个凹槽中。本专利技术的另一方面提供了一种半导体器件，包括：发光结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层；第一电极，电耦接到第一导电半导体层并包括多个层；以及第二电极，电耦接到第二导电半导体层。第一电极包括第一层、第二层和第三层，第一层包括第一区域和第二区域，第一层中包含的第一金属的扩散系数大于第三层中包含的第三金属的扩散系数，包含在第二区域中的第一金属的比率大于包含在第一区域中的第一金属的比率，并且第一区域与第二区域的厚度比率在3：7到6.3：3.5的范围内。第二层可以设置在第二区域和第三层之间。第一金属可以是Al，并且第一区域的Al比率与第二区域的Al比率之比可以在1：1.5至1：2.5的范围内。本专利技术的另一方面提供了一种半导体器件封装，包括：主体和半导体器件。该半导体器件包括：发光结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层；第一电极，电耦接到第一导电半导体层；第二电极，电耦接到第二导电半导体层；反射层，设置在第二电极上；以及覆盖层，设置在反射层上并包括多个层。覆盖层包括设置在反射层上的第一层，第一层包含Ti。有益效果根据本专利技术的实施例，可以通过最小化半导体器件的反射层中的暗点来提高光提取效率。而且，通过将半导体器件的覆盖层堆叠成多层，可以减轻应力并且还可以提高电流注入效率。此外，通过抑制第一电极的球化现象，可以改善半导体器件的第一电极(欧姆电极)的特性。本专利技术的各种有用的优点和效果不限于上面提到的那些，并且将从本专利技术实施例的详细描述中容易地理解。附图说明图1是根据本专利技术第一实施例的半导体器件的概念图。图2a是图1的A部分的放大图。图2b示出图2a的改型例。图3a至图3d示出了根据本专利技术第一实施例的半导体器件中的覆盖层的各种改型例。图4是根据本专利技术第二实施例的半导体器件的概念图。图5a和图5b是用于描述根据凹槽数量的变化而改善光输出的配置图。图6a是图4的B部分的放大图。图6b示出图6a的改型例。图7a和图7b示出了在改变半导体器件中的覆盖层结构之前和之后观察到的反射层。图8a和图8b示出了根据本专利技术实施例的半导体器件中的第一电极的各种改型例。图9a至图9d示出了在根据本专利技术实施例的半导体器件中的第一电极的不同配置中观察到的球化现象。图10是基于传输线测量(TLM)示出图9a至图9d的第一电极的电压和电流值的曲线图。图11是根据本专利技术实施例的半导体封装的概念图。具体实施方式可以将本专利技术的实施例修改为其他形式，并且可以将若干实施例彼此组合。本专利技术的范围不限于下面描述的每个实施例。即使当在另一个实施例中不重复对特定实施例的描述时，该描述也可以被理解为与另一个实施例有关，除非在另一个实施例中存在相反陈述或某些矛盾。例如，假设在特定本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：发光结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、和设置在第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层；第一电极，电耦接到所述第一导电半导体层；第二电极，电耦接到所述第二导电半导体层；反射层，设置在所述第二电极上；以及覆盖层，设置在所述反射层上并包括多个层，其中，所述覆盖层包括设置在所述反射层上的第一层，并且所述第一层包括Ti。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.03 KR 10-2016-0145902;2016.11.09 KR 10-2011.一种半导体器件，包括：发光结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、和设置在第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层；第一电极，电耦接到所述第一导电半导体层；第二电极，电耦接到所述第二导电半导体层；反射层，设置在所述第二电极上；以及覆盖层，设置在所述反射层上并包括多个层，其中，所述覆盖层包括设置在所述反射层上的第一层，并且所述第一层包括Ti。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述覆盖层还包括中间层，设置在所述第一层上并包括多个层，所述中间层包括第一中间层，直接设置在所述第一层上并包括Ni，并且所述第一层与第一中间层的厚度比在1：1至3：1的范围内。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述覆盖层还包括设置在所述第一层上的第二层，并且所述第二层包括Au。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一层设置在所述覆盖层的一侧，并且所述第二层设置在所述覆盖层的另一侧。5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述中间层包括至少一个包括Ni的第一中间层。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述至少一个第一中间层中的一个设置在所述第一层上。7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一层与第一中间层的厚度比在1：1至3：1的范围内。8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述中间层还包括至少一个包括Ti的第二中间层。9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括接合层，设置在所述第二电极和所述反射层之间。10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述发光结构还包括多个凹槽，穿过所述第二导电半导体层和有源层，并延伸到所述第一导电半导体层的部分区域，并且所述第一电极设置在所述多个凹槽中。11.一种半导体器件，包括：发光结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、和设置在所述第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层；第一电极，电耦接到所述第一导电半导体层；以及第二电极，电耦...
【专利技术属性】
技术研发人员：成演准，姜基晩，金珉成，朴修益，李容京，李恩得，林显修，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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