一种宽带混沌振荡电路制造技术

技术编号:21437924 阅读:19 留言:0更新日期:2019-06-22 13:45
一种宽带混沌振荡电路,包括射频三极管、选频网络模块、偏置模块和输出模块;选频网络模块与射频三极管的基极相连构成Colpitts振荡器,偏置模块连接射频三级管的基极和发射极,射频三极管的集电极为信号输出节点,与输出模块相连。该电路基于Colpitts振荡电路,利用双电阻分压偏置,对射频三极管的基极供电。位于基极和发射极的谐振网络配合射频三极管实现混沌信号的发生。信号输出节点位于集电极,输出模块的负载电阻与集电极串联的电感形成RLC串联谐振网络,此谐振网络不影响电路状态,且可以通过调节谐振频率来改善信号频谱,进而实现宽带信号的输出。该电路具有较强的负载能力,可以产生连续的宽带混沌信号,且信号频谱较为平坦,适用于宽带射频无线通讯。

【技术实现步骤摘要】
一种宽带混沌振荡电路
本专利技术属于射频无线通讯
,具体涉及一种宽带混沌振荡电路。
技术介绍
混沌信号具有内在随机性、非线性、类噪声的特性,且频谱具有宽带特征,是解决保密通讯、宽带通信的有效途径之一,具有广泛的应用前景。混沌信号一般由振荡电路产生,以往的混沌振荡电路有文氏桥振荡器,蔡氏电路。此类型的电路一般会用到运算放大器作为基础元件,然而受制于运算放大器的运行速率,电路所产生的混沌信号的基频一般较低,为KHz和MHz级别。因此不能满足更高基频要求的场景应用。Colpitts振荡电路结构简单,选频网络由无源器件组成,非线性元件选取的是截止频率更高的三极管或场效应管,因此可以提供较高基频的混沌信号。但受制于非线性元件本身的寄生参数影响,难以获取较高基频的混沌信号。同样受制于非线性器件本身的截止频率及寄生参数,获取连续的宽带混沌信号也变得困难。
技术实现思路
本专利技术的目的在于:提供一种宽带混沌振荡电路,由选频网络模块提供基频。在提升负阻便于电路起振的同时,由高频谐振对混沌信号频谱进行补偿,提高带宽。为了达到以上目的,提供一种宽带混沌振荡电路,包括射频三极管、选频网络模块、偏置模块和输出模块;选频网络模块与射频三极管的基极相连构成Colpitts振荡器,偏置模块连接射频三级管的基极和发射极,射频三极管的集电极为信号输出节点,与输出模块相连。本专利技术的优选方案是:选频网络模块包括第一电阻R1、第一电感Lb、第一电容C1、第二电容C2和第一耦合电容Cb;第一耦合电容Cb的一端连接射频三极管的基极,其另一端分为两路,一路连接相串联的第一电感Lb和第一电阻R1后接地;另一路连接第一电容C1的一端,第一电容C1的另一端分别连接射频三极管的发射极与第二电容C2的一端,第二电容C2的另一端接地。优选地,偏置模块包括第二电阻Rb1、第三电阻Rb2、第二电感Lc、第四电阻Re和第三电感Le;第二电阻Rb1的一端连接射频三极管的基极,其另一端与电源端VDD相连,电源端VDD通过第二电感Lc连接射频三极管的集电极;第三电阻Rb2的一端连接射频三极管的基极,其另一端接地;第三电感Le的一端与射频三极管的发射极相连,其另一端串联第四电阻Re后接地。优选地,输出模块包括第二耦合电容Cc和负载电阻RD,第二耦合电容Cc和负载电阻RD串联,第二耦合电容Cc的一端连接射频三极管的集电极。优选地,射频三极管为BFG520双极结型晶体管。本专利技术有益效果为:本电路基于Colpitts振荡电路,利用双电阻分压偏置,对射频三极管的基极供电。位于基极和发射极的谐振网络配合射频三极管实现混沌信号的发生。信号输出节点位于集电极,输出模块的负载电阻与集电极串联的电感形成RLC串联谐振网络,此谐振网络不影响电路状态,且可以通过调节谐振频率来改善信号频谱,进而实现宽带信号的输出。该电路具有较强的负载能力,可以产生连续的宽带混沌信号,且信号频谱较为平坦,适用于宽带射频无线通讯。附图说明下面结合附图对本专利技术作进一步的说明。图1为本专利技术的电路结构示意图;图2为本专利技术的电路在第二电感Lc为3nH和0.5nH时输出信号的频谱比较图;具体实施方式实施例一请参阅图1,本实施例提供一种宽带混沌振荡电路,包括射频三极管、选频网络模块、偏置模块和输出模块;选频网络模块与射频三极管的基极相连构成colpitts振荡器,偏置模块连接射频三级管的基极和发射极,射频三极管的集电极为信号输出节点,与输出模块相连。选频网络模块包括第一电阻R1、第一电感Lb、第一电容C1、第二电容C2和第一耦合电容Cb;第一耦合电容Cb的一端连接射频三极管的基极,其另一端分为两路,一路连接相串联的第一电感Lb和第一电阻R1后接地;另一路连接第一电容C1的一端,第一电容C1的另一端分别连接射频三极管的发射极与第二电容C2的一端,第二电容C2的另一端接地。偏置模块包括第二电阻Rb1、第三电阻Rb2、第二电感Lc、第四电阻Re和第三电感Le;第二电阻Rb1的一端连接射频三极管的基极,其另一端与电源端VDD相连,电源端VDD通过第二电感Lc连接射频三极管的集电极;第三电阻Rb2的一端连接射频三极管的基极,其另一端接地;第三电感Le的一端与射频三极管的发射极相连,其另一端串联第四电阻Re后接地。输出模块包括第二耦合电容Cc和负载电阻RD,第二耦合电容Cc和负载电阻RD串联,第二耦合电容Cc的一端连接射频三极管的集电极。射频三极管为BFG520双极结型晶体管。电路中,选频网络模块基于Colpitts振荡电路,与三极管相连产生振荡信号。选频网络模块决定了电路状态,由此推导的电路状态方程为非线性微分方程,在选频网络参数满足一定条件时,此方程存在无穷解,即电路处于混沌状态。振荡的基频公式如下:为提高振荡基频,应适当降低选频网络的电感电容值,但如此会导致电路的Q值降低,进而导致电路难以起振。为使电路更易起振,在三极管集电极串联调节电感Lc。加入此电感之后,一方面提升了电路的负阻,弥补基频较高带来的起振困难问题。另一方面可配合输出模块起到调节带宽的作用。输出节点位于三极管集电极,第二电感Lc、第二耦合电容Cc和负载电阻RD形成RLC串联谐振。由于第二电感Lc的作用在于提升电路负阻,不参与电路状态方程的运算,因此第二电感Lc的大小在保证电路振荡的情况下是不影响电路进入混沌状态的。综上,可以适当调节第二电感Lc的值,在一定频率下产生谐振,此频率下的信号功率谱密度较高,可用于补偿此频率下的混沌信号的谱密度。因此,在某频率下若混沌信号的频谱较低,可调节上述谐振网络中的第二电感Lc的值,使谐振频率处于混沌信号的谱密度较低处,这样就起到功率补偿作用,从而提升连续带宽。值得注意的是,第二电感Lc不消耗信号能量,因此在电源电压恒定的情况下,在调节第二电感Lc的过程中不会改变整个输出信号的总功率。如图2所示,相比于第二电感Lc为3nH时的输出频谱,第二电感Lc为0.5nH时由于谐振频率更高,谐振的能量补偿了10GHz左右的高频部分的信号功率,相应的低频部分的功率谱密度会下降,总的输出信号功率保持不变。这样做会使输出信号的频谱变得平坦,实际上是提升了信号的带宽。此电路通过集电极串联的第二电感Lc提升电路负阻,令电路在基频较高的情况下更易起振,进入混沌状态。位于集电极的输出节点存在谐振网络,可通过调节第二电感Lc的值对输出信号的频谱作相应的功率补偿,进而调整信号平坦度,提升了连续带宽,实现宽带混沌信号的输出。本专利技术电路拥有较强的负载能力,保持其余参数不变,负载在50-200Ω范围内变化时,电路都能处于混沌状态。仿真结果可以看到输出信号为混沌信号,且30dBm内的信号带宽约为10GHz(1.5-11.5GHz)。除上述实施例外,本专利技术还可以有其他实施方式。凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案,均落在本专利技术要求的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.种宽带混沌振荡电路,其特征在于,包括射频三极管、选频网络模块、偏置模块和输出模块;所述选频网络模块与所述射频三极管的基极相连构成Colpitts振荡器,所述偏置模块连接所述射频三级管的基极和发射极,所述射频三极管的集电极为信号输出节点,与所述输出模块相连。

【技术特征摘要】
1.种宽带混沌振荡电路,其特征在于,包括射频三极管、选频网络模块、偏置模块和输出模块;所述选频网络模块与所述射频三极管的基极相连构成Colpitts振荡器,所述偏置模块连接所述射频三级管的基极和发射极,所述射频三极管的集电极为信号输出节点,与所述输出模块相连。2.根据权利要求1所述的一种宽带混沌振荡电路,其特征在于,所述选频网络模块包括第一电阻R1、第一电感Lb、第一电容C1、第二电容C2和第一耦合电容Cb;所述第一耦合电容Cb的一端连接所述射频三极管的基极,其另一端分为两路,一路连接相串联的所述第一电感Lb和所述第一电阻R1后接地;另一路连接所述第一电容C1的一端,所述第一电容C1的另一端分别连接所述射频三极管的发射极与第二电容C2的一端,所述第二电容C2的另一端接地。3.根据权利要求1所述的一种宽带混...

【专利技术属性】
技术研发人员:胡善文于澍胡云清宋海瑞王子轩
申请(专利权)人:南京邮电大学南京邮电大学南通研究院有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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