像素单元及其制造方法、显示基板技术

一种像素单元及其制造方法、显示基板。该像素单元包括电介质层、开关元件和第一遮光结构。开关元件包括有源层且位于所述电介质层上，第一遮光结构至少部分与所述电介质层同层，所述第一遮光结构在所述有源层所在面上的正投影位于所述有源层在所述有源层所在面上的正投影之外。该第一遮光结构设置在所述有源层的周围，可以对沿所述电介质层射向所述有源层的侧表面的光进行遮挡，从而减少因光照射有源层产生的光生载流子导致的漏电流增加，提高开关元件的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
像素单元及其制造方法、显示基板
本公开至少一个实施例涉及一种像素单元及其制造方法、显示基板。
技术介绍
通常，薄膜晶体管被用作显示面板的驱动元件。薄膜晶体管中的有源层受到光照射后会产生光生载流子，导致薄膜晶体管的漏电流增加，从而影响显示面板的显示画面的质量，例如会产生串扰、残像等现象。
技术实现思路
本公开至少一个实施例提供一种像素单元，该像素单元包括电介质层、开关元件和第一遮光结构。开关元件包括有源层且位于所述电介质层上，第一遮光结构至少部分与所述电介质层同层，所述第一遮光结构在所述有源层所在面上的正投影位于所述有源层在所述有源层所在面上的正投影之外。例如，在本公开至少一实施例提供的像素单元中，所述电介质层设置在所述第一遮光结构的与所述电介质层同层的部分的至少相对的两侧。例如，在本公开至少一实施例提供的像素单元中，所述电介质层的与所述第一遮光结构同层且面向所述第一遮光结构的侧壁的至少一部分形成为凸凹结构。例如，在本公开至少一实施例提供的像素单元中，在平行于所述电介质层的面上，所述电介质层设置有围绕所述开关元件的开口或槽，所述开口或槽的侧壁形成为所述凸凹结构。例如，在本公开至少一实施例提供的像素单元中，所述电介质层为由至少两个子电介质层构成的叠层。例如，在本公开至少一实施例提供的像素单元中，相邻的所述子电介质层中的所述开口连通或者相邻的所述子电介质层之一的开口与另一个的槽连通，以及相邻的所述子电介质层中的所述开口或者相邻的所述子电介质层之一的开口与另一个的槽在所述有源层所在面上的正投影至少部分不交叠。例如，在本公开至少一实施例提供的像素单元中，所述电介质层包括第一子电介质层和第二子电介质层，所述第一子电介质层位于所述第二子电介质层和所述有源层之间，所述第一子电介质层中设置有第一开口，所述第二子电介质层中设置有第二开口或者第二槽，所述第一开口和所述第二开口或者第二槽连通，并且所述第一开口在所述有源层所在面上的正投影位于所述第二开口或者第二槽在所述有源层所在面上的正投影之内。例如，在本公开至少一实施例提供的像素单元中，所述电介质层包括至少三个所述子电介质层，位于两侧的所述子电介质层的所述开口或槽在所述有源层所在面上的正投影的投影位于中间的所述子电介质层的开口在所述有源层所在面上的正投影之内。例如，在本公开至少一实施例提供的像素单元中，所述第一遮光结构包括第一部分和第二部分，所述第一部分与所述电介质层同层，所述第二部分与所述电介质层位于不同层。例如，在本公开至少一实施例提供的像素单元中，所述第二部分的背离所述电介质层的一端至所述电介质层所在面的距离大于或等于所述有源层的背离所述电介质层的表面至所述电介质层所在面的距离。例如，本公开至少一实施例提供的像素单元还包括黑矩阵，所述像素单元包括显示区和位于所述显示区周围的非显示区，所述黑矩阵和所述第一遮光结构位于所述非显示区，所述黑矩阵与所述第二部分同层且为一体化结构。例如，本公开至少一实施例提供的像素单元还包括第二遮光结构，所述第二遮光结构位于所述电介质层背离所述有源层的一侧，所述有源层在所述有源层所在面上的正投影与所述第二遮光结构在所述有源层所在面上的正投影重合，或者所述有源层在所述有源层所在面上的正投影位于所述第二遮光结构在所述有源层所在面上的正投影之内。例如，在本公开至少一实施例提供的像素单元中，所述第二遮光结构在所述有源层所在面上的正投影位于所述第一遮光结构在所述有源层所在面上的正投影的内侧。例如，在本公开至少一实施例提供的像素单元还包括发光器件，所述发光器件位于所述开关元件的背离所述电介质层的一侧，所述发光器件包括依次叠置在所述开关元件上的第一电极层、发光功能层和第二电极层，所述第一电极层和所述第二电极层之一为反射电极层。本公开至少一实施例提供一种显示基板，包括上述任一实施例中所述的像素单元。本公开至少一实施例提供一种像素单元的制造方法，包括：形成电介质层；在所述电介质层上形成包括有源层的开关元件；形成至少部分与所述电介质层同层的第一遮光结构；其中，所述第一遮光结构在所述有源层所在面上的正投影位于所述有源层在所述有源层所在面上的正投影之外。例如，在本公开至少一实施例提供的像素单元的制造方法中，形成所述电介质层包括：对所述电介质层进行构图以在所述电介质层中形成至少一部分为凹凸结构的侧壁。例如，在本公开至少一实施例提供的像素单元的制造方法中，对所述电介质层构图以在所述电介质层中形成开口或槽，所述开口或槽的侧壁形成为所述凸凹结构，形成所述第一遮光结构包括：在所述电介质层上沉积遮光材料层以填充所述开口或槽，构图所述遮光材料层以形成所述第一遮光结构；其中，所述电介质层围绕所述开关元件。例如，在本公开至少一实施例提供的像素单元的制造方法中，所述电介质层形成为由至少两个子电介质层构成的叠层。例如，在本公开至少一实施例提供的像素单元的制造方法中，所述电介质层为由至少两个子电介质层构成的叠层，形成所述电介质层包括：形成第二子电介质层，并在所述第二子电介质层上形成第一子电介质层；对所述第一子电介质层和所述第二子电介质层进行构图，以在所述第一子电介质层中形成第一开口；在所述第一子电介质层中形成所述第一开口后，以所述第一子电介质层为掩模，利用气氛刻蚀所述第二子电介质层以在所述第二子电介质层中形成第二开口或第二槽；其中，形成所述第一子电介质层和所述第二子电介质层的材料不同，所述气氛对所述第二子电介质层的材料的刻蚀比大于对所述第一子电介质层的材料的刻蚀比。在本公开至少一个实施例提供的像素单元及其制造方法、显示基板中，第一遮光结构位于有源层周围且至少部分与电介质层同层，因此至少对于沿着电介质层且从有源层的侧面射向有源层的光线，第一遮光结构可以对该光线的至少部分进行遮挡，从而减少因光照射有源层产生的光生载流子导致的漏电流增加，提高开关元件的稳定性。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本专利技术的一些实施例，而非对本专利技术的限制。图1为本公开一些实施例提供的一种像素单元的部分结构的截面图；图2A为本公开一些实施例提供的另一种像素单元的部分结构的截面图；图2B为图2A所示像素单元的一种结构的平面图；图2C为图2A所示像素单元的另一种结构的平面图；图3为本公开一些实施例提供的另一种像素单元的部分结构的截面图；图4为本公开一些实施例提供的另一种像素单元的部分结构的截面图；图5为本公开一些实施例提供的另一种像素单元的部分结构的截面图；图6为本公开一些实施例提供的另一种像素单元的部分结构的截面图；图7为本公开一些实施例提供的另一种像素单元的截面图；图8A为本公开一些实施例提供的另一种像素单元的截面图；图8B为图8A所示像素单元的平面图；图9为本公开一些实施例提供的一种显示基板的平面图；以及图10A～图10F为本公开一些实施例提供的一种像素单元的制造方法的过程图。具体实施方式为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素单元，包括：电介质层；开关元件，包括有源层且位于所述电介质层上；以及第一遮光结构，至少部分与所述电介质层同层；其中，所述第一遮光结构在所述有源层所在面上的正投影位于所述有源层在所述有源层所在面上的正投影之外。

【技术特征摘要】
1.一种像素单元，包括：电介质层；开关元件，包括有源层且位于所述电介质层上；以及第一遮光结构，至少部分与所述电介质层同层；其中，所述第一遮光结构在所述有源层所在面上的正投影位于所述有源层在所述有源层所在面上的正投影之外。2.根据权利要求1所述的像素单元，其中，所述电介质层设置在所述第一遮光结构的与所述电介质层同层的部分的至少相对的两侧。3.根据权利要求2所述的像素单元，其中，所述电介质层的与所述第一遮光结构同层且面向所述第一遮光结构的侧壁的至少一部分形成为凸凹结构。4.根据权利要求3所述的像素单元，其中，在平行于所述电介质层的面上，所述电介质层设置有围绕所述开关元件的开口或槽，所述开口或槽的侧壁形成为所述凸凹结构。5.根据权利要求4所述的像素单元，其中，所述电介质层为由至少两个子电介质层构成的叠层。6.根据权利要求5所述的像素单元，其中，相邻的所述子电介质层中的所述开口连通或者相邻的所述子电介质层之一的开口与另一个的槽连通，以及相邻的所述子电介质层中的所述开口或者相邻的所述子电介质层之一的开口与另一个的槽在所述有源层所在面上的正投影至少部分不交叠。7.根据权利要求6所述的像素单元，其中，所述电介质层包括第一子电介质层和第二子电介质层，所述第一子电介质层位于所述第二子电介质层和所述有源层之间，所述第一子电介质层中设置有第一开口，所述第二子电介质层中设置有第二开口或者第二槽，所述第一开口和所述第二开口或者第二槽连通，并且所述第一开口在所述有源层所在面上的正投影位于所述第二开口或者第二槽在所述有源层所在面上的正投影之内。8.根据权利要求6所述的像素单元，其中，所述电介质层包括至少三个所述子电介质层，位于两侧的所述子电介质层的所述开口或槽在所述有源层所在面上的正投影的投影位于中间的所述子电介质层的开口在所述有源层所在面上的正投影之内。9.根据权利要求1-8任一所述的像素单元，其中，所述第一遮光结构包括第一部分和第二部分，所述第一部分与所述电介质层同层，所述第二部分与所述电介质层位于不同层。10.根据权利要求9所述的像素单元，其中，所述第二部分的背离所述电介质层的一端至所述电介质层所在面的距离大于或等于所述有源层的背离所述电介质层的表面至所述电介质层所在面的距离。11.根据权利要求9所述的像素单元，还包括黑矩阵，其中，所述像素单元包括显示区和位于所述显示区周围的非显示区，所述黑矩阵和所述第一遮光结构位于所述非显示区，所述黑矩阵与所述第二部分同层且...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘军，闫梁臣，周斌，苏同上，刘宁，宋威，刘融，冯波，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34