一种籽晶托制造技术

本实用新型专利技术提供一种籽晶托，涉及晶体制备技术领域。一种籽晶托，主要用于夹持籽晶，该籽晶托能够提高籽晶上获得的晶体的质量。该籽晶托主要包括相互连接的底座和夹持组件，底座与夹持组件共同限定形成用于夹持籽晶的籽晶夹持槽。籽晶夹持好以后，即位于该籽晶夹持槽内。籽晶固定后位于底座与夹持组件之间，且籽晶远离底座的一侧能与夹持组件共同限定形成空腔。籽晶靠近底座的一侧能从底座露出，以便于晶体生长。当带有籽晶的籽晶托放入坩埚内后，由于籽晶托的夹持、固定作用，籽晶不会与坩埚直接接触。由于籽晶与籽晶托的直接接触面积较小，籽晶也不与坩埚直接接触，使得获得的晶体各部分质量更为均一，获得的晶体的开裂几率更小。

【技术实现步骤摘要】
一种籽晶托
本技术涉及晶体制备
，具体而言，涉及一种籽晶托。
技术介绍
气相晶体生长法是一种常用的晶体生长法，在ZnO、ZnSe、CdS等多种II-VI族化合物半导体单晶的生长中有重要应用。该方法通过加热使生长原料气化，利用温度场和气流将气相组分输运到坩埚低温端进行晶体生长。利用这种方法生长出的单晶体成分均一性、纯度和结晶质量较好，适合制作高品质的光电子器件。在气相晶体生长法中，往往在晶体生长区加入籽晶以提高单晶生长的成晶率。即在坩埚中晶体生长区域预先放置具有一定形状的单晶体做为籽晶，使源区物质气相输运到籽晶表面外延生长出新的单晶体。在籽晶气相生长法中，籽晶在坩埚中的放置和固定状态是籽晶气相法的关键技术要点，极大的影响获得的晶体的质量。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种籽晶托，在籽晶气相生长法中，该籽晶托能够提高所获得的晶体的质量。本技术的实施例是这样实现的：一种籽晶托，用于夹持籽晶，其包括相互连接的底座和夹持组件，底座与夹持组件共同限定形成用于夹持籽晶的籽晶夹持槽，籽晶位于底座与夹持组件之间，且籽晶远离底座的一侧能与夹持组件共同限定形成空腔，籽晶靠近底座的一侧能从底座露出。在本技术的一种实施例中，底座与夹持组件通过二氧化硅层键合连接。在本技术的一种实施例中，底座设有第一通孔，部分籽晶能从第一通孔露出。在本技术的一种实施例中，夹持组件包括相互连接的第一固定件和第二固定件，第一固定件设有用于容纳籽晶的第二通孔，第一固定件与底座通过二氧化硅层键合连接。在本技术的一种实施例中，第一固定件远离底座的一侧与第二固定件通过二氧化硅层键合连接。在本技术的一种实施例中，第二固定件包括相互连接的支撑件和连接件，连接件设有第三通孔使得籽晶与支撑件之间能共同限定形成空腔。在本技术的一种实施例中，支撑件的一侧与连接件通过二氧化硅层键合连接，支撑件的另一侧与第一固定件通过二氧化硅层键合连接。在本技术的一种实施例中，底座、第一固定件、连接件、支撑件为硅片或石英片。在本技术的一种实施例中，第一通孔、第三通孔的直径均为10-55毫米，底座、连接件的厚度均为0.4-1毫米，第一固定件的厚度为0.4-2.5毫米，支撑件的厚度为0.4-1毫米。在本技术的一种实施例中，通过二氧化硅层键合连接形成的键合层的厚度均为0.2-4微米。本技术实施例至少具有如下优点或有益效果：本技术实施例提供一种籽晶托，其主要用于夹持籽晶，由于夹持位置合适，该籽晶托能够提高籽晶上获得的晶体的质量(即品质)。该籽晶托主要包括相互连接的底座和夹持组件，底座与夹持组件共同限定形成用于夹持籽晶的籽晶夹持槽。籽晶夹持好以后，即位于该籽晶夹持槽内。籽晶固定以后是位于底座与夹持组件之间的，且籽晶远离底座的一侧能与夹持组件共同限定形成空腔，使得籽晶与夹持组件的接触面积仅仅只有一小部分，该侧大部分籽晶位于空腔内，不与夹持组件直接接触。籽晶靠近底座的一侧能从底座露出，以便于当带有籽晶的籽晶托放入坩埚内进行晶体生长时，晶体能够生长在籽晶靠近底座的一侧。当带有籽晶的籽晶托放入坩埚内后，由于籽晶托的夹持、固定作用，籽晶不会与坩埚直接接触。由于籽晶与籽晶托的直接接触面积较小，籽晶也不与坩埚直接接触，籽晶的有效生长部分悬空，实现无接触生长，使得获得的晶体各部分质量更为均一，获得的晶体的开裂几率更小。利用该籽晶托生长的晶体无应力集中现象、无开裂现象，生长过程中温度均匀，生长速率一致，且籽晶和生长晶体背面(指远离晶体生长面的一侧)均无挥发、无气孔，最终晶体质量更为均一。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本技术实施例1提供的籽晶托的结构示意图；图2为本技术实施例1提供的籽晶托夹持了籽晶后的结构示意图；图3为本技术实施例1提供的籽晶托形成之前，底座、第一固定件、连接件和支撑件的结构示意图；图4为本技术实施例1提供的籽晶托与坩埚的连接结构示意图；图5为本技术实施例2提供的生长获得的晶体与籽晶的相对结构示意图；图6为本技术试验例提供的生长所得的氧化锌晶体的光线照片；图7为本技术试验例提供的氧化锌晶体的X射线衍射图谱。图标：100-籽晶托；102-空腔；110-底座；112-第一通孔；130-第一固定件；132-第二通孔；150-支撑件；170-连接件；172-第三通孔。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。在本技术实施例的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本技术实施例的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。实施例1请参照图1和图2，图1所示为籽晶托100的结构示意图，图2所示为籽晶托100夹持了籽晶后的结构示意图。本实施例提供一种籽晶托100，其主要用于夹持固定籽晶，以便在籽晶气相生长法中获得质量更好的晶体。籽晶托100主要包括相互连接的底座110和夹持组件。底座110与夹持组件共同限定形成用于夹持籽晶的籽晶夹持槽。籽晶夹持好以后，即位于该籽晶夹持槽内。籽晶固定以后是位于底座110与夹持组件之间的，且籽晶远离底座110的一侧能与夹持组件共同限定形成空腔102，使得籽晶与夹持组件的接触面积仅仅只有一小部分，该侧大部分籽晶位于空腔102内，不与夹持组件直接接触。籽晶靠近底座110的一侧能从底座110露出，以便于当带有籽晶的籽晶托100放入坩埚内进行晶体生长时，晶体能够生长在籽本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种籽晶托，用于夹持籽晶，其特征在于，包括相互连接的底座和夹持组件，所述底座与所述夹持组件共同限定形成用于夹持所述籽晶的籽晶夹持槽，所述籽晶位于所述底座与所述夹持组件之间，且所述籽晶远离所述底座的一侧能与所述夹持组件共同限定形成空腔，所述籽晶靠近所述底座的一侧能从所述底座露出。

【技术特征摘要】
1.一种籽晶托，用于夹持籽晶，其特征在于，包括相互连接的底座和夹持组件，所述底座与所述夹持组件共同限定形成用于夹持所述籽晶的籽晶夹持槽，所述籽晶位于所述底座与所述夹持组件之间，且所述籽晶远离所述底座的一侧能与所述夹持组件共同限定形成空腔，所述籽晶靠近所述底座的一侧能从所述底座露出。2.根据权利要求1所述的籽晶托，其特征在于，所述底座与所述夹持组件通过二氧化硅层键合连接。3.根据权利要求1所述的籽晶托，其特征在于，所述底座设有第一通孔，部分所述籽晶能从所述第一通孔露出。4.根据权利要求3所述的籽晶托，其特征在于，所述夹持组件包括相互连接的第一固定件和第二固定件，所述第一固定件设有用于容纳所述籽晶的第二通孔，所述第一固定件与所述底座通过二氧化硅层键合连接。5.根据权利要求4所述的籽晶托，其特征在于，所述第一固定件远离所述底座的一侧与所述第二固定件通过二氧化硅层...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊龙，彭丽萍，王雪敏，吴卫东，蒋涛，沈昌乐，湛治强，张颖娟，李佳，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心，
类型：新型
国别省市：四川,51