阵列基板及其制作方法和显示装置制造方法及图纸

技术编号:21402976 阅读:26 留言:0更新日期:2019-06-19 08:07
本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制作方法和显示装置,其中阵列基板包括:驱动电源线、辅助金属层和第一电容;薄膜晶体管层包括依次层叠设置的有源层、栅极和与有源层连接的源/漏极,第一电容的第一极板与栅极位于同一层,电容的第二极板与源/漏极位于同一层。将第一电容的第一极板与栅极设置在同一层,并且采用源/漏极所在层的金属作为第一电容的第二极板,无需单独制作的作为电容另一个极板的金属层,可以省去一层金属层,即可以省去一层掩膜。在增加辅助金属层减小电源Vdd的进线的阻抗的情况下,无需增加更多的掩膜。可以减小电源Vdd的进线压降的同时,减少掩膜的数量,从而减少生产成本,降低制作工艺的复杂程度。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法和显示装置
本专利技术涉及显示
,具体涉及一种阵列基板及其制作方法和显示装置。
技术介绍
有机发光二极管(OLED,OrganicLight-EmittingDiode)是一种有机薄膜电致发光器件,其因具有制备工艺简单、成本低、功耗小、亮度高、视角宽、对比度高及可实现柔性显示等优点,而受到人们极大的关注。其中,有源矩阵有机发光二极管(Active-matrixOrganicLightEmittingDiode,AMOLED)是主动发光器件,AMOLED驱动电压信号(VDD)线中,电流流经VDD线时,由于VDD线的自身电阻分压产生电源压降(IR-drop),会影响AMOLED显示屏亮度均匀性。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术实施例提供了一种阵列基板及其制作方法和显示装置,以解决现有技术中由于VDD线的自身电阻分压产生电源压降,会影响AMOLED显示屏亮度均匀性的问题。为此,本专利技术实施例提供了如下技术方案:本专利技术第一方面,本专利技术实施例提供了一种阵列基板,包括:层叠设置的基板、薄膜晶体管层,还包括:驱动电源线、与所述驱动电源线连接的辅助导电层和与所述薄膜晶体管层同层且间隔设置的第一电容;其中,所述薄膜晶体管层包括依次层叠设置的有源层、栅极和与所述有源层连接的源/漏极或依次层叠设置的栅极、有源层和与所述有源层连接的源/漏极,所述第一电容的第一极板与所述栅极位于同一层,所述电容的第二极板与所述源/漏极位于同一层。可选地,所述驱动电源线与所述源/漏电极位于同一层。可选地,阵列基板还包括第二电容;所述辅助导电层形成所述第二电容的第一极板,所述第二电容的第二极板为所述源漏极。可选地,所述辅助导电层设置在所述源/漏极所在层背离所述基板的一侧;或,所述辅助导电层与所述栅极同层设置;或,所述辅助导电层设置在所述栅极所在层与所述基板之间;或,所述栅极设置在所述有源层所在层和所述基板之间,所述辅助导电层设置在所述栅极所在层和所述源/漏极所在层之间。可选地,阵列基板还包括第三电容;所述辅助导电层形成所述第二电容的第一极板,所述第二电容的第二极板与所述栅极位于同一层;优选的,所述辅助导电层设置在所述源/漏极所在层背离所述基板的一侧;或,所述辅助导电层设置在所述栅极所在层与所述基板之间;或,所述栅极设置在所述有源层所在层和所述基板之间,所述辅助导电层设置在所述栅极所在层和所述源/漏极所在层之间。可选地,阵列基板还包括:绝缘层,设置在所述辅助导电层与所述驱动电源线之间;通孔,贯穿所述绝缘层,所述辅助导电层和所述驱动电源线通过所述通孔连接。根据第二方面,本专利技术实施例提供了一种阵列基板制作方法,包括:在基板上形成有源层和第一导电层,并将所述第一导电层至少图形化为所述有源层对应的第一区域和与所述第一区域间隔设置的第二区域,其中,第一区域作为栅极;形成第二导电层,图形化所述第二导电层得到源/漏极,所述源/漏极在所述基板上的正投影与所述第二区域在所述基板上的正投影至少部分重叠,所述源/漏极层与所述第二区域构成第一电容;形成驱动电源线并形成与所述驱动电源线连接且位于不同层的辅助导电层。可选地,所述形成驱动电源线包括:将所述第二导电层图形化为所述驱动电源线。可选地,所述形成与所述驱动电源线连接且位于不同层的辅助导电层包括:将所述辅助导电层图形化为彼此不连接的第一部分和第二部分,其中,所述第一部分与所述第二导电层或第一导电层的部分导电层构成第二电容,第二部分与所述驱动电源线连接;优选的,所述形成与所述驱动电源线连接且位于不同层的辅助导电层包括:在所述源/漏极所在层背离所述基板的一侧形成所述辅助导电层;或,在所述栅极所在层形成所述辅助导电层;或,在所述栅极所在层与所述基板之间形成所述辅助导电层;或,所述栅极位于在所述有源层所在层和所述基板时,在所述栅极所在层和所述源/漏极所在层之间形成所述辅助导电层;优选的,所述形成与所述驱动电源线连接且位于不同层的辅助导电层还包括:在所述驱动电源线与所述辅助导电层之间形成绝缘层;在所述绝缘层上形成连通于所述驱动电源线的通孔所述辅助导电层的第二部分通过所述通孔与所述驱动电源线连接;根据第三方面,本专利技术实施例提供了一种显示装置,包括:上述第一第三方面所述的显示面板。本专利技术实施例提供的阵列基板及其制作方法和显示装置,将第一电容的第一极板与栅极设置在同一层,并且采用源/漏极作为第一电容的第二极板,无需单独制作的作为电容另一个极板的金属层,可以省去一层金属层,即可以省去一层掩膜。本实施例中在增加辅助金属层减小电源Vdd的进线的阻抗的情况下,相比于现有技术中无需增加过多的掩膜。可以减小电源Vdd的进线压降的同时,减少掩膜的数量,从而减少生产成本,降低制作工艺的复杂程度。阵列基板中还可以包括第二电容;辅助导电层形成第二电容的第一极板,第二电容的第二极板为所述源漏极。将辅助导电层的一部分作为第二电容的第一极板,将源/漏极作为第二电容的第二极板,在第二电容102可以作为第一电容101的补充电容,以提升电容的容量。第二部分与驱动电源线61连接,可以作为驱动电源线61的辅助线用于减小驱动电源线61的电阻,提高显示屏亮度均匀性的效果。辅助导电层与栅极同层设置,将辅助导电层的一部分作为第二电容的第一极板,将源/漏极作为第二电容的第二极板,在第二电容102可以作为第一电容101的补充电容,既可以节省一导电层,并且,在增加辅助导电层的同时无需增加额外的掩膜次数。附图说明为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1示出了驱动电源线的阻抗随厚度增加的规律示意图;图2示出了现有技术的阵列基板的结构示意图;图3示出了本专利技术实施例的阵列基板的结构示意图;图4示出了本专利技术实施例的另一阵列基板的结构示意图;图5示出了本专利技术实施例的另一阵列基板的结构示意图;图6示出了本专利技术实施例的另一阵列基板的结构示意图;图7示出了本专利技术实施例的另一阵列基板的结构示意图;图8示出了本专利技术实施例的阵列基板的制作方法流程示意图;图9示出了本专利技术实施例的显示装置的示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。正如
技术介绍
所诉,在电流流经AMOLED的VDD线时,由于VDD线的自身阻抗分压产生电源压降,会影响AMOLED显示屏亮度均匀性。因此,为提高显示屏亮度均匀性,通常,需要减小VDD线的阻抗,现有技术中,通常做法为增加VDD线的厚度,VDD线通常采用铝材料制作,在专利技术人研究过程中发现,VDD线的阻抗随厚度增加的规律,如图1所示,在一定厚度内,例如,VDD线的厚度小于时,VDD线厚度增加阻抗降低,且两者几乎呈线性关系;但超过一定厚度后,例如超过VDD线厚度增加,本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种阵列基板,包括:层叠设置的基板、薄膜晶体管层,其特征在于,还包括:驱动电源线、与所述驱动电源线连接的辅助导电层和与所述薄膜晶体管层同层且间隔设置的第一电容;其中,所述薄膜晶体管层包括依次层叠设置的有源层、栅极和与所述有源层连接的源/漏极或依次层叠设置的栅极、有源层和与所述有源层连接的源/漏极,所述第一电容的第一极板与所述栅极位于同一层,所述电容的第二极板与所述源/漏极位于同一层。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,包括:层叠设置的基板、薄膜晶体管层,其特征在于,还包括:驱动电源线、与所述驱动电源线连接的辅助导电层和与所述薄膜晶体管层同层且间隔设置的第一电容;其中,所述薄膜晶体管层包括依次层叠设置的有源层、栅极和与所述有源层连接的源/漏极或依次层叠设置的栅极、有源层和与所述有源层连接的源/漏极,所述第一电容的第一极板与所述栅极位于同一层,所述电容的第二极板与所述源/漏极位于同一层。2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述驱动电源线与所述源/漏电极位于同一层。3.如权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,还包括第二电容;所述辅助导电层形成所述第二电容的第一极板,所述第二电容的第二极板为所述源漏极。4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述辅助导电层设置在所述源/漏极所在层背离所述基板的一侧;或所述辅助导电层与所述栅极同层设置;或所述辅助导电层设置在所述栅极所在层与所述基板之间;或所述栅极设置在所述有源层所在层和所述基板之间,所述辅助导电层设置在所述栅极所在层和所述源/漏极所在层之间。5.如权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,还包括第二电容;所述辅助导电层形成所述第二电容的第一极板,所述第二电容的第二极板与所述栅极位于同一层;优选的,所述辅助导电层设置在所述源/漏极所在层背离所述基板的一侧;或所述辅助导电层设置在所述栅极所在层与所述基板之间;或所述栅极设置在所述有源层所在层和所述基板之间,所述辅助导电层设置在所述栅极所在层和所述源/漏极所在层之间。6.如权利要求4或5所述的阵列基板,其特征在于,还包括:绝缘层,设置在所述辅助导电层与所述驱动电源线之间;通孔,贯穿所述绝缘层,所述辅助导电层和所述驱动电源...

【专利技术属性】
技术研发人员:李源李俊峰金炳文
申请(专利权)人:昆山国显光电有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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