导体化工艺监控方法及阵列基板的制作方法技术

本揭示提供一种导体化工艺监控方法及阵列基板的制作方法，提供基板，所述基板包括多个测试单元，所述多个测试单元包括沟道部分以及设置于所述沟道部分两侧的导体化部分，所述方法包括：步骤S10：在所述基板上形成电阻测试组件；步骤S20：测量所述多个测试单元的电阻，并根据测量所得的电阻值对所述沟道部分导体化程度进行监控，当所述电阻值在预设电阻值范围之外时，判定此批次的导体化工艺参数失败，重新调整所述导体化工艺参数，准确控制沟道下半导体的导体化程度，使得在大规模生产中显示面板沟道部分导体化程度的一致性得到改善，从而有效提升显示面板的显示画面的均一性。

【技术实现步骤摘要】
导体化工艺监控方法及阵列基板的制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种导体化工艺监控方法及阵列基板的制作方法。
技术介绍
顶栅结构(topgate)技术一种可降低薄膜晶体管寄生电容的氧化物背板技术，但这种技术需要克服在高世代线基板上进行SiO2干法刻蚀以及在高世代线上进行铟镓锌氧化物(IndiumGalliumZincOxide,IGZO)导体化工艺均一性的问题，上述问题会直接影响到(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)背板的性能，目前topgate工艺流程：IGZO沉积完后进行进行IGZO光刻工艺，完成IGZO图案后直接沉积栅极绝缘层和栅极线层，然后进行栅极线光刻工艺，之后首先利用湿法刻蚀栅极线金属，然后采用干法刻蚀栅极绝缘层层，使要导体化的IGZO裸露出来，之后进行导体化工艺，通常导体化工艺采用含H的气体对IGZO表面进行处理，使IGZO中的O与H结合，从而使IGZO导体化，随着和导体化气体的不断反映，在沟道区域本应该不进行导体化的半导体区域会不同程度的被导体化，这样沟道的宽度就会发生变化，沟道宽度是TFT设计的关键参数，直接影响了驱动OLED发光的电流值，由于导体化过程中很难通过肉眼或者现有测试设备判断导体化的程度，特别是沟道下半导体的导体化程度，这样在大规模生产中必然会出现面板的不同区域宽度不一致的问题，从而造成显示的不均一。综上所述，现有显示面板生产过程中存在不同区域沟道宽度不一致，导致显示不均一的问题。故，有必要提供导体化工艺监控方法及阵列基板的制作方法来改善这一缺陷。
技术实现思路
本揭示提供一种导体化工艺监控方法及阵列基板的制作方法，用于解决现有显示面板生产过程中存在不同区域沟道宽度不一致，导致显示不均一的问题。本揭示提供一种导体化工艺监控方法，包括：步骤S10：提供基板，所述基板包括多个测试单元，所述测试单元包括沟道部分以及设置于所述沟道部分的两侧的导体化部分；步骤S20：在所述基板上形成电阻测试组件；步骤S30：测量所述测试单元的电阻值，并根据测量所得的所述测试单元的所述电阻值对所述沟道部分的导体化程度进行监控。根据本揭示一实施例，所述沟道部分包括沟道导体化部分和沟道未导体化部分。根据本揭示一实施例，所述电阻测试组件包括多个测试焊盘，所述测试焊盘设置于所述沟道部分的所述两侧。根据本揭示一实施例，所述沟道部分以及所述导体化部分的材料为铟镓锌氧化物。根据本揭示一实施例，在对所述测试单元测量所述电阻值之前，还包括：设定所述测试单元的预设电阻值范围。根据本揭示一实施例，当所述测试单元的所述电阻值在所述预设电阻值范围之外时，判定当前的导体化工艺参数失败，重新调整所述导体化工艺参数。本揭示提供一种阵列基板的制作方法，包括：步骤S10：提供基板，所述基板包括多个测试单元，所述测试单元包括沟道部分以及设置于所述沟道部分的两侧的导体化部分；步骤S20：在所述基板上形成电阻测试组件；步骤S30：测量所述测试单元的电阻值，并根据测量所得的所述测试单元的所述电阻值对所述沟道部分的导体化程度进行监控；其中，所述基板还包括金属屏蔽层以及缓冲层。根据本揭示一实施例，在对所述测试单元测量所述电阻值之前，还包括：设定所述测试单元的预设电阻值范围。根据本揭示一实施例，当所述测试单元的所述电阻值在所述预设电阻值范围之外时，判定当前的导体化工艺参数失败，重新调整所述导体化工艺参数。根据本揭示一实施例，所述沟道部分以及所述导体化部分的材料为铟镓锌氧化物。本揭示实施例的有益效果：本揭示通过电阻测试组件测试多个具有不同宽度沟道部分的测试单元之间的电阻，根据测量所得的电阻值对所述沟道部分导体化程度进行监控，当所述电阻值在预设电阻值范围之外时，判定此批次的导体化工艺参数失败，重新调整所述导体化工艺参数，准确控制沟道下半导体的导体化程度，使得在大规模生产中显示面板沟道部分导体化程度的一致性得到改善，从而有效提升显示面板的显示画面的均一性。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是揭示的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本揭示实施例提供的基板的结构示意图；图2为本揭示实施例提供的方法流程示意图；图3为本揭示实施例提供的基板的结构示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本揭示可用以实施的特定实施例。本揭示所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本揭示，而非用以限制本揭示。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。下面结合附图和具体实施例对本揭示做进一步的说明：实施例一：本揭示提供一种顶栅结构导体化工艺监控方法，下面结合图1至图3进行详细说明。本揭示提供一种顶栅结构导体化工艺监控方法，所述方法包括：步骤S10：提供基板，所述基板包括多个测试单元，所述测试单元包括沟道部分以及设置于所述沟道部分的两侧的导体化部分；如图1所示，图1为本揭示实施例提供的所述基板的结构示意图，所述基板包括多个测试单元，第一测试单元101、第二测试单元102以及第三测试单元103，优选的，所述多个测试单元还包括第n-1个测试单元以及第n个测试单元，其中n≥2。所述多个测试单元包括沟道部分104以及设置于所述沟道部分两侧的导体化部分105，其中，所述第一测试单元101包括第一沟道部分106以及第一导体化部分107，所述第二测试单元102包括第二沟道部分108以及第二导体化部分109，第三测试单元103包括第三沟道部分110以及第三导体化部分111，所述沟道部分104的宽度各不相同，在本实施例中，所述沟道部分104的多个沟道部分宽度逐渐减小。步骤S20：在所述基板上形成电阻测试组件112；步骤S30：测量所述测试单元的电阻值，并根据测量所得的所述测试单元的所述电阻值对所述沟道部分104的导体化程度进行监控。由于在所述导体化部分进行导体化工艺时，所述沟道部分104也会存在不同程度的导体化，所以所述沟道部分104包括沟道导体化部分310和沟道未导体化部分311。优选的，所述电阻测试组件112包括多个测试焊盘113，所述多个测试焊盘113设置于所述多个沟道部分104的两侧，用于测试所述测试焊盘113之间的电阻。优选的，所述沟道部分104以及所述导体化部分105的材料为铟镓锌氧化物。优选的，在对所述多个测试单元进行电阻测量之前，还包括：设定所述测试单元电阻值的预设范围。优选的，当所述电阻值在所述预设范围之外时，判定此批次的导体化工艺参数失败，重新调整所述导体化工艺参数。当所述电阻值超出预设范围之外时，沟道导体化部分310的宽度已经超过了沟道部分104的宽度的一半，此时可以认定沟道部分104已经被完全导体化，则判定此次的导体化工艺参数失败，需要重新调整导体化工艺参数直至导体化工艺通过。实施例二：本揭示实施例提供一种阵列基板的制作方法，下面结合图1至图3进行详细说明。所述方法包括：步骤S10：提供基板，所述基板包括多个测试单本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导体化工艺监控方法，其特征在于，包括：步骤S10：提供基板，所述基板包括多个测试单元，所述测试单元包括沟道部分以及设置于所述沟道部分的两侧的导体化部分；步骤S20：在所述基板上形成电阻测试组件；步骤S30：测量所述测试单元的电阻值，并根据测量所得的所述测试单元的所述电阻值对所述沟道部分的导体化程度进行监控。

【技术特征摘要】
1.一种导体化工艺监控方法，其特征在于，包括：步骤S10：提供基板，所述基板包括多个测试单元，所述测试单元包括沟道部分以及设置于所述沟道部分的两侧的导体化部分；步骤S20：在所述基板上形成电阻测试组件；步骤S30：测量所述测试单元的电阻值，并根据测量所得的所述测试单元的所述电阻值对所述沟道部分的导体化程度进行监控。2.如权利要求1所述的导体化工艺监控方法，其特征在于，所述沟道部分包括沟道导体化部分和沟道未导体化部分。3.如权利要求2所述的导体化工艺监控方法，其特征在于，所述电阻测试组件包括多个测试焊盘，所述测试焊盘设置于所述沟道部分的所述两侧。4.如权利要求2所述的导体化工艺监控方法，其特征在于，所述沟道部分以及所述导体化部分的材料为铟镓锌氧化物。5.如权利要求1所述的导体化工艺监控方法，其特征在于，在对所述测试单元测量所述电阻值之前，还包括：设定所述测试单元的预设电阻值范围。6.如权利要求5所述的导体化工艺监控方法，其特征在于，当...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡振飞，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44