阵列基板及其制作方法、显示装置、掩模板制造方法及图纸

一种阵列基板及其制作方法、显示装置和掩模板。该阵列基板包括衬底基板；第一导电层，位于衬底基板上；绝缘层，位于第一导电层远离衬底基板的一侧；以及有机层，位于绝缘层远离第一导电层的一侧，周边区包括至少一个绑定区，在各绑定区，第一导电层包括间隔设置的多个引线，有机层包括暴露多个引线的第一开口，第一开口包括与引线的延伸方向相交的边缘，有机层还包括与边缘相连的锯齿形凹槽，在沿垂直于衬底基板的方向上，锯齿形凹槽的深度小于有机层的厚度，锯齿形凹槽在平行于衬底基板的平面上的正投影为锯齿形。由此，该阵列基板可避免造成绑定区短路。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法、显示装置、掩模板
本公开的实施例涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置、掩模板。
技术介绍
随着显示技术的不断发展，液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay)已经成为市场上的主流显示装置。COA(ColorFilterOnArray)技术是一种将彩色滤光片和阵列基板集成在一起的技术，通过将彩色滤光材料涂布在已经完成的阵列基板上以形成彩色滤光层，可以提高液晶显示装置的开口率。并且，COA技术可降低阵列基板和彩膜基板的对准工艺的难度，从而可提高产品良率、降低生产成本。
技术实现思路
本公开实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置和掩模板。该阵列基板包括衬底基板，包括显示区和位于显示区周边的周边区；第一导电层，位于衬底基板上；以及有机层，位于第一导电层远离衬底基板的一侧，周边区包括至少一个绑定区，在各绑定区，第一导电层包括间隔设置的多个引线，有机层包括暴露多个引线的第一开口，第一开口包括与引线的延伸方向相交的边缘，有机层还包括与边缘相连的锯齿形凹槽，在沿垂直于衬底基板的方向上，锯齿形凹槽的深度小于有机层的厚度，锯齿形凹槽在平行于衬底基板的平面上的正投影为锯齿形。由此，该阵列基板通过锯齿形凹槽降低了第一开口的边缘的坡度角，避免在第一开口的边缘形成用于图案化后续的导电层的光刻胶残留，从而可以避免造成绑定区短路。本公开至少一个实施例提供一种阵列基板，其包括：衬底基板，包括显示区和位于所述显示区周边的周边区；第一导电层，位于所述衬底基板上；以及有机层，位于所述第一导电层远离所述衬底基板的一侧，所述周边区包括至少一个绑定区，在各所述绑定区，所述第一导电层包括间隔设置的多个引线，所述有机层包括暴露所述多个引线的第一开口，所述第一开口包括与所述引线的延伸方向相交的边缘，所述有机层还包括与所述边缘相连的锯齿形凹槽，在沿垂直于所述衬底基板的方向上，所述锯齿形凹槽的深度小于所述有机层的厚度，所述锯齿形凹槽在平行于所述衬底基板的平面上的正投影为锯齿形。例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述锯齿形凹槽包括沿所述边缘排列的多个锯齿部，任意相邻两个所述锯齿部在靠近所述边缘的一侧的部分之间的距离小于曝光机的分辨率。例如，本公开一实施例提供的阵列基板还包括：绝缘层，位于所述第一导电层和所述有机层之间，所述绝缘层包括第二开口，所述第二开口和所述第一开口共同暴露所述多个引线，例如，本公开一实施例提供的阵列基板还包括：第二导电层，位于所述有机层远离所述第一导电层的一侧，在各所述绑定区，所述第二导电层包括间隔设置的多个电极条，所述多个电极条通过所述第二开口和所述第一开口与所述多个引线分别电性相连。例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述电极条覆盖至少部分所述锯齿形凹槽，并在所述引线的延伸方向上延伸超过所述锯齿形凹槽远离所述第一开口的一端。例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，在所述引线的延伸方向上，所述电极条延伸超过所述锯齿形凹槽远离所述第一开口的一端的长度大于10微米。例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述边缘与所述引线的延伸方向垂直。例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述锯齿形凹槽包括依次并排设置的多个三角形凹槽，各所述三角形凹槽包括底边和与所述底边相对的顶角，所述底边与所述边缘重叠，所述顶角位于所述底边远离所述第一开口的一侧。例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述三角形凹槽沿所述引线的延伸方向上的高度大于等于50微米。例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，各所述引线的宽度为D1，相邻的两个所述引线的距离为D2，所述底边的长度为(D1+D2)/2。例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述有机层包括位于相邻的两个所述三角形凹槽之间的三角形区域，相邻的两个所述引线之间设置有所述三角形区域。例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，从所述三角形凹槽的所述底边到所述三角形凹槽的所述顶角的方向上，各所述三角形凹槽沿垂直于所述衬底基板的方向上的深度逐渐减小。例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述锯齿形凹槽包括依次并排设置的多个梯形凹槽，各所述梯形凹槽包括长底边和与所述长底边相对的短底边，所述长底边与所述边缘重叠，所述短底边位于所述长底边远离所述第一开口的一侧。例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述长底边的长度大于曝光机的分辨率，所述短底边的长度小于曝光机的分辨率。例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述锯齿形凹槽包括间隔设置的多个矩形凹槽，各所述矩形凹槽的一边与所述边缘重叠，相邻所述矩形凹槽的间隔在垂直于所述引线的延伸方向的方向上的宽度小于曝光机的分辨率。例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述绝缘层包括栅绝缘层和钝化层，所述有机层包括光刻胶。例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述第一导电层的材料包括金属，所述第二导电层的材料包括透明金属氧化物。本公开至少一个实施例还提供一种显示装置，包括上述任一项所述的阵列基板。本公开至少一个实施例还提供一种阵列基板的制作方法，其包括：在衬底基板上形成第一导电层；在所述第一导电层远离所述衬底基板的一侧形成有机材料层；以及图案化所述有机材料层以形成有机层，所述衬底基板包括显示区和位于所述显示区周边的周边区，所述周边区包括至少一个绑定区，在各所述绑定区，所述第一导电层包括间隔设置的多个引线，所述有机层包括第一开口，所述第一开口暴露所述多个引线，所述第一开口包括与所述引线的延伸方向相交的边缘，所述有机层还包括与所述边缘相连的锯齿形凹槽，在沿垂直于所述衬底基板的方向上，所述锯齿形凹槽的深度小于所述有机层的厚度，所述锯齿形凹槽在平行于所述衬底基板的平面上的正投影为锯齿形。例如，在本公开一实施例提供的阵列基板的制作方法中，在形成所述有机材料层之前，还包括：在第一导电层远离所述衬底基板的一侧形成绝缘材料层，图案化所述有机材料层以形成有机层包括采用一次掩模工艺图案化所述绝缘材料层和所述有机材料层以形成绝缘层和所述有机层，所述绝缘层包括第二开口，所述第一开口和所述第二开口共同暴露所述多个引线。例如，本公开一实施例提供的阵列基板的制作方法还包括：在所述有机层远离所述第一导电层的一侧形成第二导电层，在各所述绑定区，所述第二导电层包括间隔设置的多个电极条，所述多个电极条通过所述第二开口和所述第一开口与所述多个引线分别电性相连。例如，在本公开一实施例提供的阵列基板的制作方法中，采用一次掩模工艺图案化所述绝缘材料层和所述有机材料层以形成绝缘层和所述有机层包括：使用掩模板对所述有机材料层进行曝光、显影以在所述有机层中形成位于所述绑定区的所述第一开口和所述锯齿形凹槽；以及以包括所述第一开口的所述有机层作为掩膜对所述绝缘材料层进行刻蚀，以在所述绝缘层中形成位于所述绑定区的所述第二开口。本公开至少一个实施例还提供一种掩模板，用于制作上述任一项所述的阵列基板，其中，所述掩模板包括图案部分，所述图案部分包括与所述第一开口对应的部分和与所述锯齿形凹槽对应的部分。例如，在本公开一实施例提供的掩模板中，所述有机层的材料包括负性光刻胶，所述图案部分为不透光部分。例如，在本公开一实施例提供的掩模板中，所述有机层的材料包括正性光刻胶，所述图案部分为透光部分。附图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，包括：衬底基板，包括显示区和位于所述显示区周边的周边区；第一导电层，位于所述衬底基板上；以及有机层，位于所述第一导电层远离所述衬底基板的一侧，其中，所述周边区包括至少一个绑定区，在各所述绑定区，所述第一导电层包括间隔设置的多个引线，所述有机层包括暴露所述多个引线的第一开口，所述第一开口包括与所述引线的延伸方向相交的边缘，所述有机层还包括与所述边缘相连的锯齿形凹槽，在沿垂直于所述衬底基板的方向上，所述锯齿形凹槽的深度小于所述有机层的厚度，所述锯齿形凹槽在平行于所述衬底基板的平面上的正投影为锯齿形。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括：衬底基板，包括显示区和位于所述显示区周边的周边区；第一导电层，位于所述衬底基板上；以及有机层，位于所述第一导电层远离所述衬底基板的一侧，其中，所述周边区包括至少一个绑定区，在各所述绑定区，所述第一导电层包括间隔设置的多个引线，所述有机层包括暴露所述多个引线的第一开口，所述第一开口包括与所述引线的延伸方向相交的边缘，所述有机层还包括与所述边缘相连的锯齿形凹槽，在沿垂直于所述衬底基板的方向上，所述锯齿形凹槽的深度小于所述有机层的厚度，所述锯齿形凹槽在平行于所述衬底基板的平面上的正投影为锯齿形。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述锯齿形凹槽包括沿所述边缘排列的多个锯齿部，任意相邻两个所述锯齿部在靠近所述边缘的一侧的部分之间的距离小于曝光机的分辨率。3.根据权利要求1所述的阵列基板，还包括：绝缘层，位于所述第一导电层和所述有机层之间，其中，所述绝缘层包括第二开口，所述第二开口和所述第一开口共同暴露所述多个引线。4.根据权利要求3所述的阵列基板，还包括：第二导电层，位于所述有机层远离所述第一导电层的一侧，其中，在各所述绑定区，所述第二导电层包括间隔设置的多个电极条，所述多个电极条通过所述第二开口和所述第一开口与所述多个引线分别电性相连。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述电极条覆盖至少部分所述锯齿形凹槽，并在所述引线的延伸方向上延伸超过所述锯齿形凹槽远离所述第一开口的一端。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其中，在所述引线的延伸方向上，所述电极条延伸超过所述锯齿形凹槽远离所述第一开口的一端的长度大于10微米。7.根据权利要求1-6中任一项所述的阵列基板，其中，所述边缘与所述引线的延伸方向垂直。8.根据权利要求1-6中任一项所述的阵列基板，其中，所述锯齿形凹槽包括依次并排设置的多个三角形凹槽，各所述三角形凹槽包括底边和与所述底边相对的顶角，所述底边与所述边缘重叠，所述顶角位于所述底边远离所述第一开口的一侧。9.根据权利要求8所述的阵列基板，其中，所述三角形凹槽沿所述引线的延伸方向上的高度大于等于50微米。10.根据权利要求8所述的阵列基板，其中，各所述引线的宽度为D1，相邻的两个所述引线的距离为D2，所述底边的长度为(D1+D2)/2。11.根据权利要求8所述的阵列基板，其中，所述有机层包括位于相邻的两个所述三角形凹槽之间的三角形区域，相邻的两个所述引线之间设置有所述三角形区域。12.根据权利要求8所述的阵列基板，其中，从所述三角形凹槽的所述底边到所述三角形凹槽的所述顶角的方向上，各所述三角形凹槽沿垂直于所述衬底基板的方向上的深度逐渐减小。13.根据权利要求1-6中任一项所述的阵列基板，其中，所述锯齿形凹槽包括依次并排设置的多个梯形凹槽，各所述梯形凹槽包括长底边和与所述长底边相对的短底边，所述长底边与所述边缘重叠，所述短底边位于所述长底边远离所述第一开口的一侧。14.根据权利要求13所述的阵列基板，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：王小元，方琰，王武，白雅杰，毕瑞琳，吴胜学，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11