一种显示面板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

技术编号:21376912 阅读:44 留言:0更新日期:2019-06-15 13:05
本发明专利技术公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置。显示面板包括对盒设置的第一基板和第二基板,所述第一基板上设置有栅驱动电路,所述栅驱动电路包括第一半导体开关器件,所述第二基板的朝向所述第一基板的一侧上设置有与所述第一半导体开关器件相对应的反射结构层,所述反射结构层用于将照射到所述反射结构层上的光线反射到所述第一半导体开关器件上。显示装置包括该显示面板,还包括设置在所述第一基板的背离所述第二基板一侧的背光源。反射结构层可以将由背光源照射到其上的光线反射到第一半导体开关器件上,提升了第一半导体开关器件的导通特性,提升了栅驱动电路的驱动能力,避免了显示面板出现抖动横纹。

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
,具体涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
随着显示产品的发展,越来越多的产品要求超薄窄边框、高信赖性和低成本。为了降低显示产品的成本,并实现窄边框,现有的显示产品多采用阵列基板上栅驱动电路(GatedriveOnArray,GOA)技术。GOA技术主要是利用半导体的开关特性,采用半导体制作逻辑电路,以实现栅极芯片(GateIC)的功能,从而节省栅极芯片,实现低成本和窄边框。随着温度和使用的时间,半导体开关器件会产生一定的漂移,导致半导体开关器件的特性降低,GOA电路无法正常工作,使得显示面板出现抖动横纹。半导体开关器件(例如,薄膜晶体管)的开启电流主要受自身尺寸的影响,鉴于显示面板的窄边框需求,半导体开关器件的尺寸需要最小化,因此,很难通过增大半导体开关器件的尺寸来增大其开关电流。为了提升GOA电路的性能,避免显示面板出现抖动横纹,亟待解决半导体开关器件特性降低的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的是,提供一种显示面板及其制备方法、显示装置,以提升栅驱动电路的驱动能力,避免显示面板出现抖动横纹。为了解决上述技术问题,本专利技术实施例提供一种显示面板,包括对盒设置的第一基板和第二基板,所述第一基板上设置有栅驱动电路,所述栅驱动电路包括第一半导体开关器件,所述第二基板的朝向所述第一基板的一侧上设置有与所述第一半导体开关器件相对应的反射结构层,所述反射结构层用于将照射到所述反射结构层上的光线反射到所述第一半导体开关器件上。可选地,所述第二基板的朝向所述第一基板的一侧上设置有遮光层,所述反射结构层设置在所述遮光层上。可选地,所述反射结构层包括基础层以及在所述基础层上间隔设置的多个凸起。可选地,所述凸起的截面呈矩形。可选地,相邻两个所述凸起之间的距离为1um~3um。可选地,所述凸起的高度为1um~4um。可选地,所述基础层的位于相邻两个所述凸起之间的表面呈弧形面。可选地,所述弧形面的半径为1um~2um,所述弧形面所对应的角度为30°~60°。为了解决上述技术问题,本专利技术实施例还提供了一种显示面板的制备方法,包括:制备第一基板和第二基板,所述第一基板上设置有栅驱动电路,所述栅驱动电路包括第一半导体开关器件;将所述第一基板和所述第二基板对盒,其中,制备第二基板包括:在第二基底的朝向所述第一基板的一侧上形成反射结构层,所述反射结构层与所述第一半导体开关器件相对应,所述反射结构层用于将照射到反射结构层上的光线反射到第一半导体开关器件上。可选地,所述在第二基底的朝向所述第一基板的一侧上形成反射结构层,包括:在第二基底上的朝向所述第一基板的一侧上形成遮光层;在所述遮光层上形成所述反射结构层。为了解决上述技术问题,本专利技术实施例还提供了一种显示装置,包括以上所述的显示面板,还包括设置在所述第一基板的背离所述第二基板一侧的背光源。本专利技术实施例的显示面板,第二基板上设置有与第一半导体开关器件相对应的反射结构层,反射结构层用于将照射到反射结构层上的光线反射到第一半导体开关器件上,从而,当位于显示面板的靠近第一基板一侧的背光源发出的光线照射到反射结构层上时,反射结构层可以将照射到其上的光线反射到第一半导体开关器件上。从而,可以提升第一半导体开关器件的导通特性,使得第一半导体开关器件的开启电流增大,提升了栅驱动电路的驱动能力,避免了显示面板出现抖动横纹,提升了显示面板的显示品质。另外,第一半导体开关器件的开启电流增大,可以在满足第一半导体开关器件开启的情况下进一步缩小第一半导体开关器件的尺寸,有利于实现更窄的边框。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明附图用来提供对本专利技术技术方案的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本申请的实施例一起用于解释本专利技术的技术方案,并不构成对本专利技术技术方案的限制。图1为相关技术中一种显示面板的俯视结构示意图;图2为图1所示显示面板的D-D截面结构示意图;图3为本专利技术第一实施例显示面板的截面结构示意图;图4为图3中反射结构层的截面结构示意图;图5为一个实施例中反射结构层的结构参数示意图;图6为另一个实施例中反射结构层的结构参数示意图;图7为另一个实施例中反射结构层的结构参数示意图;图8为另一个实施例中反射结构层的截面结构示意图;图9为反射结构层的原理示意图。附图标记说明:具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白,下文中将结合附图对本专利技术的实施例进行详细说明。需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。图1为相关技术中一种显示面板的俯视结构示意图,图2为图1所示显示面板的D-D截面结构示意图。如图1和图2所示,显示面板包括对盒设置的阵列基板10和彩膜基板20。阵列基板10包括显示区域和位于显示区域外围的边框区域。在显示区域设置有多个呈阵列排布的像素区域。阵列基板10包括第一基底15,还包括设置在第一基底15上且位于边框区域的GOA电路11,GOA电路11包括多个半导体开关器件12(例如,薄膜晶体管)。彩膜基板20包括第二基底21以及设置在第二基底21的朝向阵列基板10一侧上的多个彩膜22,彩膜22与像素区域一一对应。彩膜基板20还包括设置在彩膜22周围的遮光层23,遮光层23用来防止彩膜周边的漏光。本领域技术人员明白,GOA电路11包括多个半导体开关器件12。GOA电路中,不同的半导体开关器件12需要不同的开启电流Ion。随着温度和使用的时间,一部分半导体开关器件会产生一定的漂移,导致半导体开关器件的特性降低,GOA电路无法正常工作,使得显示面板出现抖动横纹。半导体开关器件12开启电流Ion的大小主要受半导体开关器件12自身尺寸的影响。由于窄边框的要求,半导体开关器件12的尺寸需要最小化,因此,很难通过增大半导体开关器件的尺寸来增大其开关电流,需要借助其他方法来提高提供给半导体开关器件12的开启电流Ion。为了解决上述问题,本专利技术实施例提出了一种显示面板。该显示面板包括对盒设置的第一基板和第二基板,所述第一基板上设置有栅驱动电路,所述栅驱动电路包括第一半导体开关器件,所述第二基板的朝向所述第一基板的一侧上设置有与所述第一半导体开关器件相对应的反射结构层,所述反射结构层用于将照射到所述反射结构层上的光线反射到所述第一半导体开关器件上。下面将通过具体的实施例详细介绍本专利技术的
技术实现思路
。第一实施例:图3为本专利技术第一实施例显示面板的截面结构示意图。如图3所示,显示面板包括对盒设置的第一基板100和第二基板200。第一基板100上设置有栅驱动电路,栅驱动电路包括第一半导体开关器件121。第二基板200的朝向第一基板的一侧上设置有反射结构层24,反射结构层24与第一半导体开关器件121相对应。反射结构层24用于将照射到反射结构层24上的光线反射到第一半导体开关器件121上。容易理解的是,栅驱动电路中包括多个半导体开关器件12(例如,薄膜晶体管),多个半导体开关器件12中存在需要提升开启电流的第一半导体开关器件121,因此,本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种显示面板,包括对盒设置的第一基板和第二基板,其特征在于,所述第一基板上设置有栅驱动电路,所述栅驱动电路包括第一半导体开关器件,所述第二基板的朝向所述第一基板的一侧上设置有与所述第一半导体开关器件相对应的反射结构层,所述反射结构层用于将照射到所述反射结构层上的光线反射到所述第一半导体开关器件上。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板,包括对盒设置的第一基板和第二基板,其特征在于,所述第一基板上设置有栅驱动电路,所述栅驱动电路包括第一半导体开关器件,所述第二基板的朝向所述第一基板的一侧上设置有与所述第一半导体开关器件相对应的反射结构层,所述反射结构层用于将照射到所述反射结构层上的光线反射到所述第一半导体开关器件上。2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二基板的朝向所述第一基板的一侧上设置有遮光层,所述反射结构层设置在所述遮光层上。3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述反射结构层包括基础层以及在所述基础层上间隔设置的多个凸起。4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述凸起的截面呈矩形。5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,相邻两个所述凸起之间的距离为1um~3um。6.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述凸起的高度为1um~4um。7.根据权利要求1~6中任意一项所述的显示面板,其特征在于,所述基础层的位...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙琦宋勇王智勇刘汉青韩伟鹏李鹏包亚洲
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司北京京东方光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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