In the end of the groove (6), the opening (22) of the end (10) of the groove exposed is formed in the lead-out electrode (20), the side surface of the groove gate electrode (14) on the top surface side of the semiconductor substrate is spaced from the groove side surface (12), and the area adjacent to the top surface (4) of the semiconductor substrate and the boundary line between the groove side surface are covered with laminated insulation. The laminated insulating film is constructed so that the interlayer insulating film is laminated on the gate insulating film. This makes it possible to prevent dielectric breakdown of the insulating film.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件
本说明书公开了一种半导体器件,该半导体器件包括沟槽栅电极和引出电极。
技术介绍
如日本专利申请特开第2013-232533号(JP2013-232533A)中所公开的,已知一种半导体器件,该半导体器件被构造成提供从半导体基板的顶表面延伸到深侧的沟槽,并且沟槽栅电极被容纳在该沟槽中。在该半导体器件中,必须使沟槽栅电极与栅极布线导电,并且沿着顶表面延伸的引出电极被设置在半导体基板的顶表面上。沟槽栅电极与引出电极导电,并且引出电极与栅极布线导电。在与半导体基板的顶表面(下文中称为顶表面)和沟槽的侧表面(下文中称为侧表面)之间的边界相邻的范围中,顶表面与侧表面接触。在边界的附近,在顶表面和侧表面之间存在具有小曲率半径的陡峭边缘或陡峭拐角(通常都被称为陡峭部)。沟槽的内表面覆盖有薄栅极绝缘膜,并且陡峭部也覆盖有薄栅极绝缘膜。当平面地观察半导体基板时,沟槽通常在半导体基板的顶表面上成直线地延伸。在这种情况下,当平面地观察半导体基板时,沟槽侧表面成直线地延伸。然而,当平面地观察半导体基板时,沟槽侧表面在沟槽的纵向端部的附近弯曲,并且沟槽的纵向端部由沟槽侧表面形成,因此在平面图中弯曲。在本说明书中,当平面地观察半导体基板时,沟槽侧表面成直线地延伸的范围被称为直线部,并且沟槽侧表面弯曲的范围被称为端部。端部被定位在直线部的两个纵向端侧上。同样在端部中,陡峭部被栅极绝缘膜覆盖。在陡峭部中,大的电场容易作用在栅极绝缘膜上。特别地,端部中的陡峭部在平面地观察的半导体基板的平面中弯曲,并且在垂直于半导体基板的截面中也弯曲,并且那些曲线被组合。特别大的电场容易作用于覆盖端 ...
【技术保护点】
1.一种半导体器件,包括:半导体基板(2);沟槽(6),所述沟槽(6)被设置在所述半导体基板(2)的顶表面(4)上;栅极绝缘膜(40b、40c),所述栅极绝缘膜(40b、40c)覆盖所述沟槽(6)的内表面;沟槽栅电极(14),所述沟槽栅电极(14)与所述栅极绝缘膜(40b、40c)相邻,并且被容纳在所述沟槽(6)中;以及引出电极(20),所述引出电极(20)被设置在所述顶表面(4)上以便沿着所述顶表面(4)延伸,所述引出电极被电连接到所述沟槽栅电极(14),其中:当平面地观察所述半导体基板(2)的所述顶表面(4)时,所述沟槽(6)具有直线部和端部,在所述直线部中,沟槽侧表面成直线地延伸,而在所述端部中,所述沟槽侧表面弯曲,所述端部位于所述直线部的纵向端侧上;当从上方平面地观察所述半导体基板(2)的所述顶表面(4)时,所述引出电极(20)覆盖所述端部并且到达所述直线部;并且当从上方平面地观察所述半导体基板(2)的所述顶表面(4)时,在所述端部中的相邻范围中,所述相邻范围与位于所述顶表面和所述沟槽侧表面之间的边界线相邻,所述顶表面和所述沟槽侧表面覆盖有所述栅极绝缘膜(40b、40c)和层间 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.04 JP 2016-2166741.一种半导体器件,包括:半导体基板(2);沟槽(6),所述沟槽(6)被设置在所述半导体基板(2)的顶表面(4)上;栅极绝缘膜(40b、40c),所述栅极绝缘膜(40b、40c)覆盖所述沟槽(6)的内表面;沟槽栅电极(14),所述沟槽栅电极(14)与所述栅极绝缘膜(40b、40c)相邻,并且被容纳在所述沟槽(6)中;以及引出电极(20),所述引出电极(20)被设置在所述顶表面(4)上以便沿着所述顶表面(4)延伸,所述引出电极被电连接到所述沟槽栅电极(14),其中:当平面地观察所述半导体基板(2)的所述顶表面(4)时,所述沟槽(6)具有直线部和端部,在所述直线部中,沟槽侧表面成直线地延伸,而在所述端部中,所述沟槽侧表面弯曲,所述端部位于所述直线部的纵向端侧上;当从上方平面地观察所述半导体基板(2)的所述顶表面(4)时,所述引出电极(20)覆盖所述端部并且到达所述直线部;并且当从上方平面地观察所...
【专利技术属性】
技术研发人员:大西彻,青井佐智子,浦上泰,
申请(专利权)人:丰田自动车株式会社,株式会社电装,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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