The application discloses a temperature protection circuit and a bandgap reference voltage circuit for the bandgap reference voltage circuit, including a voltage follower module and a negative feedback module; the input end of the voltage follower module is connected with the bandgap reference voltage circuit, and the output end of the voltage follower module is connected with the input end of the negative feedback module and the feedback end of the negative feedback module, respectively. The output end of the feedback module acts as the output end of the temperature protection circuit; the voltage follower module is used to output the initial voltage which is positively correlated with the output voltage of the bandgap reference voltage circuit; and the negative feedback module is used to adjust the output of the temperature protection circuit by negative feedback when the difference between the initial voltage and the preset reference voltage is greater than the preset threshold, so as to make the initial voltage and the preset reference. The difference of voltage is less than the preset threshold. It can be seen that the temperature protection circuit in this application improves the output accuracy of the bandgap reference voltage circuit, and can output stable voltage even under bad temperature conditions.
【技术实现步骤摘要】
一种带隙基准电压的温度保护电路及带隙基准电压电路
本申请涉及电力电子
,特别是涉及一种带隙基准电压的温度保护电路及带隙基准电压电路。
技术介绍
带隙基准电压具有抗噪声干扰和输出电压稳定的优点,常作为电源管理芯片,例如ADC(Analog-to-DigitalConverter,模拟数字转换器)、DAC(Digital-to-AnalogConverter,数字模拟转换器)、数模混合集成电路(HybridIC)的内部电压源(5V/3.3V/1.8V等),为电源管理芯片的其他模块,例如比较器和误差放大器等提供高稳定低温漂的参考电压。请参考图1,图1为目前常用的带隙基准电压电路的结构示意图,VDD为电源,启动电路为外界给出工作信号的电路,由于采用了电流镜结构,均为PMOS(Positive-channelMetalOxideSemiconductor,P沟道金属氧化物半导体场效应管)管的P1、P2和P4所在的支路的电流相等,VRF1端为带隙基准电压电路的输出端,输出稳定的参考电压。P1和P1’、P2和P2’、P4和P4’、N1和N1’以及N2和N2’均为共源共栅结构,P1的栅极与P1’的漏极连接,其公共端为第一公共端;P1’的漏极还与电阻R1的第一端连接,R1的第二端与P1’的栅极连接,其公共端为第二公共端;NPN型三极管Q1的发射极分别与电阻R3的第一端和NPN型三极管Q3的发射极连接,其公共端为第三公共端。然而,由于制作工艺,这种带隙基准电压电路在温度超过电路所能承受的范围时,电路中晶体管的特性可能会发生变化,从而影响输出,使得电路达不到精度要求,例如 ...
【技术保护点】
1.一种带隙基准电压的温度保护电路,其特征在于,应用于带隙基准电压电路,包括电压跟随模块和负反馈模块;所述电压跟随模块的输入端与所述带隙基准电压电路连接,所述电压跟随模块的输出端分别与所述负反馈模块的输入端及所述负反馈模块的反馈端连接,所述负反馈模块的输出端作为温度保护电路的输出端;所述电压跟随模块用于输出与所述带隙基准电压电路的输出端的输出电压呈正相关的初始电压,所述负反馈模块用于当所述初始电压与预设参考电压的差值大于预设阈值时通过负反馈调节所述温度保护电路的输出,以使所述初始电压与所述预设参考电压的差值小于所述预设阈值。
【技术特征摘要】
1.一种带隙基准电压的温度保护电路,其特征在于,应用于带隙基准电压电路,包括电压跟随模块和负反馈模块;所述电压跟随模块的输入端与所述带隙基准电压电路连接,所述电压跟随模块的输出端分别与所述负反馈模块的输入端及所述负反馈模块的反馈端连接,所述负反馈模块的输出端作为温度保护电路的输出端;所述电压跟随模块用于输出与所述带隙基准电压电路的输出端的输出电压呈正相关的初始电压,所述负反馈模块用于当所述初始电压与预设参考电压的差值大于预设阈值时通过负反馈调节所述温度保护电路的输出,以使所述初始电压与所述预设参考电压的差值小于所述预设阈值。2.根据权利要求1所述的带隙基准电压的温度保护电路,其特征在于,所述电压跟随模块包括电流复制模块、上拉电位模块;所述电流复制模块的输入端作为所述电压跟随模块的输入端,所述电流复制模块的输出端和所述上拉电位模块的输出端连接,其公共端作为所述电压跟随模块的输出端;所述上拉电位模块用于在电流作用下其两端产生电压,以形成所述初始电压,所述电流复制模块用于使其所在支路的电流与所述带隙基准电压电路的支路的电流相等。3.根据权利要求2所述的带隙基准电压的温度保护电路,其特征在于,所述电流复制模块包括第一P沟道可控开关管和第二P沟道可控开关管;所述第一P沟道可控开关管的源极与所述带隙基准电压电路的电源连接,所述第一P沟道可控开关管的漏极与所述第二P沟道可控开关管的源极连接,所述第一P沟道可控开关管的栅极和所述第二P沟道可控开关管的栅极作为所述电流复制模块的输入端,所述第二P沟道可控开关管的漏极作为所述电流复制模块的输出端。4.根据权利要求2所述的带隙基准电压的温度保护电路,其特征在于,所述上拉电位模块包括第一电阻模块;所述第一电阻模块的第一端作为所述上拉电位模块的输出端,所述第一电阻模块的第二端接地。5.根据权利要求2所述的带隙基准电压的温度保护电路,其特征在于,所述上拉电位模块包括第二电阻模块和第一NPN型开关管...
【专利技术属性】
技术研发人员:蓝焕青,张志浩,章国豪,李瑞辉,
申请(专利权)人:广东工业大学,
类型:新型
国别省市:广东,44
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