The invention relates to the technical field of electric power equipment, in particular to a VFTO suppression device and a GIS device using the VFTO suppression device. The VFTO suppression device comprises a conductive rod, the outer surface of the conductive rod is sheathed with a series of magnetic rings, and the outer surface of the series of magnetic rings is sheathed with a resistor barrel. The two ends of the resistor barrel are respectively provided with an extension part which exceeds the series of magnetic rings in the length direction of the conductive rod, and an annulus is formed between the extension part and the conductive rod. The top wire on the pole has contact with the conductive pole through the annulus to realize the conduction between the resistor barrel and the conductive pole. The top wire is made of conductive material. The VFTO restraining device in the invention can solve the problem of complex processing and assembly of conductive poles and resistors in the prior art.
【技术实现步骤摘要】
一种VFTO抑制装置及GIS设备
本专利技术涉及电力设备
,具体涉及一种VFTO抑制装置及GIS设备。
技术介绍
隔离开关在气体绝缘金属封闭开关设备(GIS)中的每一次操作都发生数十次甚至数百次的复燃,触头间隙两端的电压在几个ns内突然跌落,电压陡波在GIS内不断产生行波,发生复杂的折射、反射和叠加,产生特快速瞬态过电压(下称VFTO)。VFTO是一种特殊的过电压,其主要有三个特点:一是频带宽(从零到上百MHz);二是陡度大(上升时间可低至数ns);三是幅值高(可达3p.u.)。VFTO对GIS设备、外部连接设备以及二次设备的安全运行有重要影响,且随着系统电压等级的提高,这种影响越来越显著,在特高压系统中尤为突出。因此,为了电力系统的安全稳定运行,必须采取可靠措施抑制特高压GIS中的VFTO。在现有技术中,铁氧体磁环能够有效抑制VFTO,在GIS回路中安装高频磁环是解决VFTO问题的一个经济、可靠的方法。但是,高频磁环的磁导率随着磁场强度的变化而变化,当铁氧体材料趋于饱和时,增量磁导率趋于零。即,在饱和情况下,铁氧体高频磁环抑制VFTO的作用将消失。在实际工程中的GIS内,VFTO的行波电流能够达到数千安培,在如此大的行波电流下,会导致磁环严重饱和,失去抑制行波陡度和幅值的能力,因此需要采取有效措施,避免磁环严重饱和,保证VFTO抑制的可靠性。增加磁环用量能部分抵消饱和影响,但基于以下几个原因,实际工程中安装的磁环数量不可能无限多:一是增加磁环数量会增加设备成本,二是GIS紧凑的结构限制了磁环的安装数量,因此,过度增加磁环数量并不是解决磁环饱和问题的 ...
【技术保护点】
1.一种VFTO抑制装置,其特征在于:包括导电杆,所述导电杆的外周面上套设有磁环串组,所述磁环串组的外周面上套设有电阻筒,所述电阻筒的两端分别设置有在导电杆长度方向上超出磁环串组的延伸部分,所述延伸部分与导电杆之间形成环空,所述延伸部分上穿设有将电阻筒固定在导电杆上的顶丝,所述顶丝具有穿过环空与导电杆接触以实现电阻筒与导电杆导通,所述顶丝由导电材料制成。
【技术特征摘要】
1.一种VFTO抑制装置,其特征在于:包括导电杆,所述导电杆的外周面上套设有磁环串组,所述磁环串组的外周面上套设有电阻筒,所述电阻筒的两端分别设置有在导电杆长度方向上超出磁环串组的延伸部分,所述延伸部分与导电杆之间形成环空,所述延伸部分上穿设有将电阻筒固定在导电杆上的顶丝,所述顶丝具有穿过环空与导电杆接触以实现电阻筒与导电杆导通,所述顶丝由导电材料制成。2.根据权利要求1所述的VFTO抑制装置,其特征在于:所述延伸部分上围绕导电杆的轴线均布有两支以上的顶丝。3.一种VFTO抑制装置,其特征在于:包括沿自身轴向间隔布置的导电杆,导电杆之间并联布置有至少两支以上的分支导体,各分支导体的外周面上套设有磁环串组,磁环串组的外周面上套设有电阻筒,所述电阻筒的两端分别设置有在导电杆长度方向上超出磁环串组的延伸部分,所述延伸部分与导电杆之间形成环空,所述延伸部分上穿设有将电阻筒固定在导电杆上的顶丝,所述顶丝具有穿过环...
【专利技术属性】
技术研发人员:裴涛,金光耀,郭煜敬,柏长宇,姚永其,叶三排,李丽娜,王志刚,庞福滨,
申请(专利权)人:平高集团有限公司,国家电网有限公司,国网江苏省电力有限公司电力科学研究院,
类型:发明
国别省市:河南,41
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