The invention discloses a solar blind deep ultraviolet Photodetector Based on an organic field effect transistor. The semiconductor layer of the organic field effect transistor is a block conjugated polymer nanowire. The block copolymer semiconductor material and the polymer insulating material are dissolved in solvents respectively and then mixed to form a blending solution. By controlling the quality of the block copolymer semiconductor material and the polymer insulating material, a blending solution is formed. The block copolymer semiconductor nanowires with different densities were obtained. The block copolymer semiconductor nanowires as the semiconductor layer of the organic field effect transistor photodetector can enhance the light response to the deep ultraviolet region. For the first time, the conjugated polymer is applied to the response of deep ultraviolet light in the solar blind area, and a high-performance organic field effect transistor deep ultraviolet photodetector in the solar blind area is prepared. The method achieves good photoselectivity and photoresponsiveness in the deep ultraviolet area, with the photoresponse reaching 120A/W and the external quantum efficiency reaching 50 000%.
【技术实现步骤摘要】
一种基于有机场效应晶体管的日盲区深紫外光探测器
本专利技术涉及日盲区深紫外光电检测器领域,具体是一种基于有机场效应晶体管的日盲区深紫外光探测器。
技术介绍
日盲区光谱区(200-280nm)由一个特定的光波段定义,该波段不能穿透大气层并到达地球表面。日盲区深紫外光电检测器设备在军事监视、目标探测和获取、导弹发射探测、远程控制、化学分析、火焰探测等方面具有广泛应用前景。深紫外光电探测器对深紫外区域具有高响应性,不受环境可见光或长波长紫外光的干扰,对于跟踪大气中的臭氧层空洞至关重要。此外,深紫外光电探测器在生物和医学分析中有很大的潜力,因为深紫外波段光子可以被DNA分子强烈吸收,导致显著的损伤。因此制备出高性能深紫外光电探测器具有十分重要的意义。目前实现深紫外光检测的方法是合成宽带隙半导体,例如氮化镓、金刚石或碳化硅,其在高温下具有稳定性。然而,它们的大部分合成过程复杂,材料昂贵。此外,这些材料的刚性限制了它们在柔性设备中的应用,即很难应用在可穿戴设备中。共轭聚合物有机场效应晶体管由于具有可大面积溶液法加工,可制备柔性器件,成本低等潜在优势近年来受到了广泛的关注和研究。但现有技术中还没有利用共轭聚合物制备深紫外光电探测器的研究。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种基于有机场效应晶体管的日盲区深紫外光探测器,以解决现有技术深紫外光检测器的刚性限制其在柔性设备应用的问题。为了达到上述目的,本专利技术所采用的技术方案为:一种基于有机场效应晶体管的日盲区深紫外光探测器,包括衬底、栅电极、栅绝缘层、有机半导体层、源电极和漏电极,其特征在于:其中的有机半导体层为制备于栅 ...
【技术保护点】
1.一种基于有机场效应晶体管的日盲区深紫外光探测器,包括衬底、栅电极、栅绝缘层、有机半导体层、源电极和漏电极,其特征在于:其中的有机半导体层为制备于栅绝缘层上的嵌段共聚物半导体纳米线,嵌段共聚物半导体纳米线由嵌段共聚物制成,所述嵌段共聚物由共轭段和加入共轭段的绝缘段组成,嵌段共聚物中绝缘段由对日盲区深紫外光选择性响应的材料制成,由绝缘段作为为光感应段。
【技术特征摘要】
1.一种基于有机场效应晶体管的日盲区深紫外光探测器,包括衬底、栅电极、栅绝缘层、有机半导体层、源电极和漏电极,其特征在于:其中的有机半导体层为制备于栅绝缘层上的嵌段共聚物半导体纳米线,嵌段共聚物半导体纳米线由嵌段共聚物制成,所述嵌段共聚物由共轭段和加入共轭段的绝缘段组成,嵌段共聚物中绝缘段由对日盲区深紫外光选择性响应的材料制成,由绝缘段作为为光感应段。2.根据权利要求1所述的一种基于有机场效应晶体管的日盲区深紫外光探测器,其特征在于:有机场效应晶体管日盲区深紫外光探测器只对深紫外光有选择性响应,对波长大于300nm的光没有响应。3.根据权利要求1所述的一种基于有机场效应晶体管的日盲区深紫外光探测器,其特征在于:所述的嵌段共聚物半导体纳米线通过刮涂法、或旋涂法、或喷墨印刷法制备于栅绝缘层。4.根据权利要求1所述的一种基于有机场效应晶体管的日盲区深紫外光探测器,其特征在于:所述的嵌段共聚物半导体纳米线厚度为7-13纳米。5.根据权利要求1所述的一种基于有机场效应晶体管的日盲区深紫外光探测器,其特征在于:所述的绝缘段通过嵌段或接枝的方法加入共轭段。6.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:邱龙臻,赵雪,姚宏兵,魏诗语,王晓鸿,
申请(专利权)人:合肥工业大学,
类型:发明
国别省市:安徽,34
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