一种阵列基板及其制备方法及显示面板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法及显示面板和显示装置。能够对遮光层中可能会发生异常突起的部分进行阻挡，从而能够防止发生短路，提高成品良率。本发明专利技术实施例提供一种阵列基板，包括衬底、设置在所述衬底上的遮光层以及设置在所述遮光层远离所述衬底一侧的阻挡层；所述遮光层包括第一遮光图案；所述阻挡层至少覆盖部分所述第一遮光图案。本发明专利技术实施例用于防止遮光层在后续的薄膜制备工艺的加热作用下发生异常突起而刺穿有源层。

An array substrate, its preparation method, display panel and display device

The invention relates to the display technology field, in particular to an array substrate, a preparation method thereof, a display panel and a display device. It can block the abnormal protuberance in the shading layer, so as to prevent short circuit and improve the yield of finished products. The embodiment of the present invention provides an array substrate, including a substrate, a light shielding layer arranged on the substrate and a barrier layer arranged on the side of the light shielding layer away from the substrate; the light shielding layer comprises a first shading pattern; the barrier layer at least covers a part of the first light shielding pattern. The embodiment of the present invention is used to prevent the shading layer from abnormally protruding and penetrating the active layer under the heating effect of the subsequent film preparation process.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法及显示面板和显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法及显示面板和显示装置。
技术介绍
近年来大尺寸OLED(OrganicLightEmittingDiode，有机发光二极管)因其高对比度、自发光和渐成电视新的增长热点，其中大尺寸OLED中顶栅结构的TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)相比底栅结构的TFT具有高的开态电流、更高开口率和更好的TFT稳定性而受到关注。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于，提供一种阵列基板及其制备方法及显示面板和显示装置。能够对遮光层中可能会发生异常突起的部分进行阻挡，从而能够防止发生短路，提高成品良率。为达到上述目的，本专利技术采用如下技术方案：一方面，本专利技术实施例提供一种阵列基板，包括衬底、设置在所述衬底上的遮光层以及设置在所述遮光层远离所述衬底一侧的阻挡层；所述遮光层包括第一遮光图案；所述阻挡层至少覆盖部分所述第一遮光图案。可选的，所述阻挡层的材质包括硬化光刻胶。可选的，所述遮光层还包括第二遮光图案，所述第二遮光图案设置在所述第一遮光图案远离所述衬底的一侧，且所述第二遮光图案覆盖部分所述第一遮光图案；所述阻挡层至少覆盖所述第一遮光图案未被所述第二遮光图案覆盖的区域。可选的，所述第一遮光图案的材质为铝，所述第二遮光图案的材质为钼。可选的，所述第一遮光图案的厚度为0.1-0.15微米，所述第二遮光图案的厚度为0.05-0.08微米。可选的，所述阻挡层在所述衬底上的正投影的边缘超出所述第一遮光图案未被所述第二遮光图案覆盖的区域在所述衬底上的正投影的边缘1.0-2.0微米。可选的，所述阵列基板还包括依次设置在所述遮光层上的缓冲层和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管为顶栅结构，且所述遮光层在所述衬底上的正投影覆盖所述顶栅结构中有源层在所述衬底上的正投影。另一方面，本专利技术实施例提供一种显示面板，包括如上所述的阵列基板。另一方面，本专利技术实施例提供一种显示装置，包括如上所述的显示面板。再一方面，本专利技术实施例提供一种阵列基板的制备方法，包括：在衬底上形成遮光层，所述遮光层包括第一遮光图案；在所述遮光层远离所述衬底的一侧形成阻挡层，所述阻挡层至少覆盖部分所述第一遮光图案。可选的，所述遮光层还包括第二遮光图案，所述第二遮光图案形成在所述第一遮光图案远离所述衬底的一侧，且所述第二遮光图案覆盖部分所述第一遮光图案，所述阻挡层至少覆盖所述第一遮光图案未被所述第二遮光图案覆盖的区域。可选的，在衬底上形成遮光层，包括：在衬底上依次形成第一遮光层和第二遮光层，并在第二遮光层上形成光刻胶，所述第二遮光层的刻蚀选择比大于所述第一遮光层的刻蚀选择比；通过一次构图工艺形成所述第一遮光图案、第二遮光图案和覆盖所述第一遮光图案和所述第二遮光图案的光刻胶图案，使得所述光刻胶图案在所述衬底上的正投影的边缘超出所述第一遮光图案在所述衬底上的正投影的边缘1.0-2.0微米。可选的，所述光刻胶图案包括对应第一区域的第一厚度部分和对应第二区域的第二厚度部分；其中，所述第一区域是指覆盖在所述第一遮光图案未被所述第二遮光图案覆盖的区域，且在所述衬底上的正投影的边缘超出所述第一遮光图案未被所述第二遮光图案覆盖的区域在所述衬底上的正投影的边缘1.0-2.0微米的区域，所述第二区域是指第一遮光图案和第二遮光图案所限定的区域与所述第一区域未发生交叠的区域，所述第一厚度部分的厚度大于所述第二厚度部分的厚度。可选的，在形成所述第一遮光图案和第二遮光图案之后，所述制备方法还包括：对覆盖在所述第一遮光图案和第二遮光图案上方的光刻胶图案进行加热，使得所述光刻胶图案对应第三区域的部分坍塌，覆盖所述第三区域；以及对所述光刻胶图案对应所述第二区域的部分进行灰化去除，所述第三区域是指所述第一区域与所述第二遮光图案未发生交叠的区域。可选的，在对所述光刻胶图案对应所述第二区域的部分进行灰化去除之后，所述制备方法还包括：对残留的光刻胶进行硬化处理获得所述阻挡层。本专利技术的实施例提供一种阵列基板及其制备方法及显示面板和显示装置，通过在遮光层远离衬底的一侧设置阻挡层，能够对遮光层中可能会发生异常突起的部分进行阻挡，从而能够防止发生短路，提高成品良率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为相关技术提供的一种阵列基板的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图；图4为本专利技术实施例提供的在衬底上形成第一遮光层、第二遮光层和光刻胶的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的在图4的基础上通过半色调掩膜板形成光刻胶图案的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的在图5的基础上在光刻胶图案的掩膜下对第一遮光层和第二遮光层进行刻蚀，形成第一遮光图案和第二遮光图案的结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的在图6的基础上对光刻胶图案进行加热使得光刻胶图案对应第三区域的部分坍塌，覆盖第三区域的结构示意图；图8为本专利技术实施例提供的在图7的基础上对光刻胶半保留部分进行灰化处理，并对残留的光刻胶进行硬化处理形成阻挡层的结构示意图；图9为本专利技术实施例提供的在图8的基础上形成缓冲层以及有源层的结构示意图；图10为本专利技术实施例提供的在图9的基础上形成栅绝缘层、栅极和层间绝缘层的结构示意图；图11为本专利技术实施例提供的在图10的基础上形成源漏极图案和钝化层的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。顶栅结构的TFT在使用时，由于有源层受到光线照射造成TFT阈值电压负漂，从而会影响TFT的工作稳定性。因此，目前，大尺寸OLED面板最开始会在衬底上形成遮光层对有源层进行遮光。目前，遮光层由于加热等原因发生异常突起(如在后续的薄膜/刻蚀/退火工艺中，金属铝由于这些工艺中的加热作用会发生电迁移而发生异常突起)时，容易刺穿TFT5中的有源层51(如图1所示)，从而发生短路，不利于提高成品良率。基于此，本专利技术的实施例提供一种阵列基板，参见图2，包括衬底1、设置在衬底1上的遮光层2以及设置在该遮光层2远离衬底一侧的阻挡层3；该遮光层2包括第一遮光图案21，该阻挡层3至少覆盖部分该第一遮光图案21。本专利技术的实施例提供一种阵列基板，通过在该遮光层2远本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底、设置在所述衬底上的遮光层以及设置在所述遮光层远离所述衬底一侧的阻挡层；所述遮光层包括第一遮光图案；所述阻挡层至少覆盖部分所述第一遮光图案。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底、设置在所述衬底上的遮光层以及设置在所述遮光层远离所述衬底一侧的阻挡层；所述遮光层包括第一遮光图案；所述阻挡层至少覆盖部分所述第一遮光图案。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阻挡层的材质包括硬化光刻胶。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层还包括第二遮光图案，所述第二遮光图案设置在所述第一遮光图案远离所述衬底的一侧，且所述第二遮光图案覆盖部分所述第一遮光图案；所述阻挡层至少覆盖所述第一遮光图案未被所述第二遮光图案覆盖的区域。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一遮光图案的材质为铝，所述第二遮光图案的材质为钼。5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一遮光图案的厚度为0.1-0.15微米，所述第二遮光图案的厚度为0.05-0.08微米。6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阻挡层在所述衬底上的正投影的边缘超出所述第一遮光图案未被所述第二遮光图案覆盖的区域在所述衬底上的正投影的边缘1.0-2.0微米。7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括依次设置在所述遮光层上的缓冲层和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管为顶栅结构，且所述遮光层在所述衬底上的正投影覆盖所述顶栅结构中有源层在所述衬底上的正投影。8.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的阵列基板。9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8所述的显示面板。10.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成遮光层，所述遮光层包括第一遮光图案；在所述遮光层远离所述衬底的一侧形成阻挡层，所述阻挡层至少覆盖部分所述第一遮光图案。11.根据权利要求10所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述遮光层还包括第二遮光图案，所述第二遮光图案形成在所述第一遮光图案...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘军，闫梁臣，周斌，刘宁，李广耀，李伟，郝朝威，张晓东，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34