一种显示面板及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种显示面板及其制作方法，该方法包括：在衬底基板上制作第一栅极和第二栅极；在所述第一栅极、所述第二栅极以及未被所述第一栅极和所述第二栅极覆盖的衬底基板上制作绝缘层；在位于所述显示区域的绝缘层上形成第一半导体层以及在位于所述栅极驱动区域的绝缘层上形成第二半导体层；所述第二半导体层的材料为金属氧化物；在所述第一半导体层和所述第二半导体层上制作第二金属层，对所述第二金属层进行图案化处理，以使位于所述显示区域的第二金属层形成第一源极和第一漏极以及位于所述栅极驱动区域的第二金属层形成第二源极和第二漏极。本发明专利技术的显示面板及其制作方法，能够减小显示面板的边框。

A Display Panel and Its Making Method

The present invention provides a display panel and its fabrication method, which includes: fabricating a first gate and a second gate on a substrate substrate; fabricating an insulating layer on the first gate, the second gate and a substrate not covered by the first gate and the second gate; forming a first semiconductor layer on the insulating layer located in the display area and a semiconductor layer on the insulating layer located in the display area; and fabricating an insulating layer on the substrate not covered by the first gate and the second gate. A second semiconductor layer is formed on the insulating layer of the gate driving region; the material of the second semiconductor layer is metal oxide; the second metal layer is fabricated on the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, and the second metal layer is patterned so that the second metal layer located in the display region forms a first source and a first drain as well as a gate. The second metal layer in the driving region forms a second source and a second drain. The display panel of the present invention and its manufacturing method can reduce the border of the display panel.

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板及其制作方法
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种显示面板及其制作方法。
技术介绍
由于非晶硅的电性稳定性较高，而被广泛应用在电视及移动设备制造中。现有非晶硅材料制作的显示面板通常包括显示区域和栅极驱动区域，栅极驱动区域设置有栅极驱动电路，栅极驱动电路包括驱动薄膜晶体管。然而，由于非晶硅的电子迁移率较小，为了满足驱动要求，通常需要将驱动电路的尺寸制作的较大，因而导致显示面板的边框较大，无法实现窄边框。因此，有必要提供一种显示面板及其制作方法，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种显示面板及其制作方法，能够减小显示面板的边框。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种显示面板的制作方法，其包括：在衬底基板上制作第一金属层，对所述第一金属层进行图案化处理，以使位于显示区域的第一金属层形成第一栅极和位于栅极驱动区域的第一金属层形成第二栅极；其中所述显示面板包括所述显示区域和所述栅极驱动区域；在所述第一栅极、所述第二栅极以及未被所述第一栅极和所述第二栅极覆盖的衬底基板上制作绝缘层；在位于所述显示区域的绝缘层上形成第一半导体层以及在位于所述栅极驱动区域的绝缘层上形成第二半导体层；所述第二半导体层的材料为金属氧化物；在所述第一半导体层和所述第二半导体层上制作第二金属层，对所述第二金属层进行图案化处理，以使位于所述显示区域的第二金属层形成第一源极和第一漏极以及位于所述栅极驱动区域的第二金属层形成第二源极和第二漏极。本专利技术还提供一种显示面板，其中所述显示面板包括显示区域和栅极驱动区域，所述显示面板包括：衬底基板；第一金属层，设置在衬底基板上，所述第一金属层包括位于所述显示区域的第一栅极和位于所述栅极驱动区域的第二栅极；绝缘层，设于所述第一栅极、所述第二栅极以及未被第一栅极和所述第二栅极覆盖的衬底基板上；第一半导体层，设于所述显示区域的绝缘层上；第二半导体层，设于所述栅极驱动区域的绝缘层上；所述第二半导体层的材料为金属氧化物；第二金属层，设于所述第一半导体层和所述第二半导体层上，所述第二金属层包括位于所述显示区域的第一源极和第一漏极以及位于所述栅极驱动区域的第二源极和第二漏极。本专利技术的显示面板及其制作方法，通过采用金属氧化物制作栅极驱动区域中的半导体层，提高了该半导体层的电子迁移率，减小了驱动电路的尺寸，从而减小了显示面板的边框。【附图说明】图1为现有显示面板的结构示意图；图2为本专利技术显示面板的制作方法的第一步的结构示意图；图3为本专利技术显示面板的制作方法的第二步的结构示意图；图4为本专利技术显示面板的制作方法的第三步的结构示意图；图5为本专利技术显示面板的制作方法的第四步的结构示意图；图6为本专利技术显示面板的结构示意图。【具体实施方式】以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。如图1所示，现有的显示面板包括：衬底基板11、第一金属层12、绝缘层13、第一半导体层141、第二半导体层142、第二金属层16。第一金属层12设置在衬底基板11上，所述第一金属层12包括位于显示区域101的第一栅极121和位于栅极驱动区域102的第二栅极122。绝缘层13设于所述第一栅极121和所述第二栅极122以及未被第一栅极121和所述第二栅极122覆盖的衬底基板11上。第一半导体层141设于所述显示区域101的绝缘层13上。第二半导体层142设于所述栅极驱动区域102的绝缘层13上；所述第二半导体层142的材料和第一半导体层141的材料相同，比如为非晶硅或者铟镓锌氧化物。第二金属层16设于所述第一半导体层141和所述第二半导体层142上，所述第二金属层16包括位于所述显示区域101的第一源极161和第一漏极162以及位于所述栅极驱动区域102的第二源极163和第二漏极164。此外，显示面板还可包括钝化层17和像素电极18。请参照图2，图2为本专利技术显示面板的制作方法的第一步的结构示意图。如图2所示，本专利技术的显示面板的制作方法包括：S101、在衬底基板上制作第一金属层，对所述第一金属层进行图案化处理，以使位于显示区域的第一金属层形成第一栅极和位于栅极驱动区域的第一金属层形成第二栅极。例如，如图2所示，在衬底基板11上制作第一金属层12，对所述第一金属层12进行图案化处理，以使位于显示区域101的第一金属层12形成第一栅极121和位于栅极驱动区域102的第一金属层12形成第二栅极122。其中显示面板包括显示区域101和栅极驱动区域102，栅极驱动区域102也即GOA(GateDriveronArray)区域，用于设置栅极驱动电路，在俯视角下，其包括驱动薄膜晶体管。在一实施方式中，所述衬底基板11可为玻璃基板。S102、在所述第一栅极和所述第二栅极上制作绝缘层。例如，如图3所示，在所述第一栅极121和所述第二栅极122以及未被所述第一栅极121和所述第二栅极122覆盖的衬底基板11上制作绝缘层13。在一实施方式中，所述绝缘层13的材料为氮化硅或者氧化硅。S103、在位于所述显示区域的绝缘层上形成第一半导体层以及在位于所述栅极驱动区域的绝缘层上形成第二半导体层。例如，如图4所示，在位于所述显示区域101的绝缘层13上形成第一半导体层14以及在位于所述栅极驱动区域102的绝缘层13上形成第二半导体层15；其中所述第二半导体层15的材料为金属氧化物。其中，所述金属氧化物包括IGZO、IZO、ITZO、GZO以及ZnO中的至少一种。在一实施方式中，所述第一半导体层14的材料为非晶硅。为了提高半导体的导电性能，上述步骤S103、也即所述在位于所述栅极驱动区域的绝缘层上形成第二半导体层的步骤可包括：S1031、在位于所述栅极驱动区域的绝缘层上沉积或者涂布金属氧化物，以得到第二半导体层。例如，在位于所述栅极驱动区域102的绝缘层13上沉积或者涂布金属氧化物，以得到第二半导体层15。当然，可以理解的，第二半导体层的制作工艺不限于以上的方式，还可以为其他方式。S104、在所述第一半导体层和所述第二半导体层上制作第二金属层，对所述第二金属层进行图案化处理，以使位于所述显示区域的第二金属层形成第一源极和第一漏极以及位于所述栅极驱动区域的第二金属层形成第二源极和第二漏极。例如，如图5所示，在所述第一半导体层14和所述第二半导体层15上制作第二金属层16，对所述第二金属层16进行图案化处理，以使位于所述显示区域101的第二金属层15形成第一源极161和第一漏极162以及位于所述栅极驱动区域102的第二金属层16形成第二源极163和第二漏极164。在一实施例中，所述方法还可包括：S105、在所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极、所述第二漏极以及未被所述第一源极和所述第一漏极覆盖的第一半导体层和未被所述第二源极和所述第二漏极覆盖的所述第二半导体层上形成钝化层；例如，如图6所示，在所述第一源极161和所述第一漏极162以及所述第二源极163和所述第二漏极164以及未被本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上制作第一金属层，对所述第一金属层进行图案化处理，以使位于显示区域的第一金属层形成第一栅极和位于栅极驱动区域的第一金属层形成第二栅极；其中所述显示面板包括所述显示区域和所述栅极驱动区域；在所述第一栅极、所述第二栅极以及未被所述第一栅极和所述第二栅极覆盖的衬底基板上制作绝缘层；在位于所述显示区域的绝缘层上形成第一半导体层以及在位于所述栅极驱动区域的绝缘层上形成第二半导体层；所述第二半导体层的材料为金属氧化物；在所述第一半导体层和所述第二半导体层上制作第二金属层，对所述第二金属层进行图案化处理，以使位于所述显示区域的第二金属层形成第一源极和第一漏极以及位于所述栅极驱动区域的第二金属层形成第二源极和第二漏极。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上制作第一金属层，对所述第一金属层进行图案化处理，以使位于显示区域的第一金属层形成第一栅极和位于栅极驱动区域的第一金属层形成第二栅极；其中所述显示面板包括所述显示区域和所述栅极驱动区域；在所述第一栅极、所述第二栅极以及未被所述第一栅极和所述第二栅极覆盖的衬底基板上制作绝缘层；在位于所述显示区域的绝缘层上形成第一半导体层以及在位于所述栅极驱动区域的绝缘层上形成第二半导体层；所述第二半导体层的材料为金属氧化物；在所述第一半导体层和所述第二半导体层上制作第二金属层，对所述第二金属层进行图案化处理，以使位于所述显示区域的第二金属层形成第一源极和第一漏极以及位于所述栅极驱动区域的第二金属层形成第二源极和第二漏极。2.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述金属氧化物包括IGZO、IZO、ITZO、GZO以及ZnO中的至少一种。3.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在位于所述栅极驱动区域的绝缘层上形成第二半导体层的步骤包括：在位于所述栅极驱动区域的绝缘层上沉积或者涂布金属氧化物，以得到第二半导体层。4.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极、所述第二漏极以及未被所述第一源极和所述第一漏极覆盖的第一半导体层和未被所述第二源极和所述第二漏极覆盖的所述第二半导体层上形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑立彬，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44