一种应用于射频前端的滤波器电路制造技术

技术编号:21341600 阅读:19 留言:0更新日期:2019-06-13 21:59
本实用新型专利技术提供一种应用于射频前端的滤波器电路,包括:第一电容、第二电容、第三电容、第一电感、第二电感和第三电感。其中,第一电容与第一电感连接组成串联支路,串联支路与第二电容组成第一并联支路,第一并联支路的输入端作为滤波器电路的输入端,输出端通过第二电感接地。第三电容与第三电感组成第二并联支路,第二并联支路的输入端连接第一并联支路的输入端,输出端作为滤波器电路的输出端。

A Filter Circuit for RF Front End

The utility model provides a filter circuit applied to the RF front end, which comprises a first capacitor, a second capacitor, a third capacitor, a first inductance, a second inductance and a third inductance. The first capacitor and the first inductance are connected to form a series branch, and the series branch and the second capacitor form the first parallel branch. The input end of the first parallel branch acts as the input end of the filter circuit, and the output end is grounded by the second inductance. The third capacitor and the third inductance constitute the second parallel branch. The input end of the second parallel branch connects the input end of the first parallel branch, and the output end acts as the output end of the filter circuit.

【技术实现步骤摘要】
一种应用于射频前端的滤波器电路
本技术涉及通讯
,更具体地说,涉及一种应用于射频前端的滤波器电路。
技术介绍
射频前端是在通讯系统中介于天线与基带电路之间的信号处理段,以高频交流电的形式进行传输信号。射频前端包括发射通路和接收通路。其中,接收通路主要包括低噪声放大器、滤波器等器件,以确保有用的射频信号能够完整不失真地从天线拾取出来并输送给后级的处理电路。滤波器在射频前端中起到消除干扰杂讯的效果,允许一定频率范围内的信号通过,阻挡或者衰减工作频段以外的波,从而实现对工作频段以外的波进行有效滤除。随着射频前端技术的应用不断增多。相应地,应用于射频前端的滤波器的用量也呈现快速增长。其中,声学滤波器较为突出。声学滤波器采用压电-逆压电材料,且基于声电信号的转换原理可以实现抑制多个频点的干扰,但是由此增加生产成本,而且对封装技术提出更高的要求,同时限制与低噪声放大器进行集成设计。因此,在保证成本和封装技术要求的情况下,如何实现应用于射频前端的滤波器抑制多个频点的干扰,成为本领域技术人员需要解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此,本技术实施例提供一种应用于射频前端的滤波器电路,以实现保证成本和封装技术的要求下抑制多个频点的干扰。为实现上述目的,本技术实施例提供如下技术方案:一种应用于射频前端的滤波器电路,包括:第一电容、第二电容、第三电容、第一电感、第二电感和第三电感。其中,所述第一电容与所述第一电感连接组成串联支路,所述串联支路与所述第二电容组成第一并联支路,所述第一并联支路的输入端作为所述滤波器电路的输入端,输出端通过所述第二电感接地。所述第三电容与所述第三电感组成第二并联支路,所述第二并联支路的输入端连接所述第一并联支路的输入端,输出端作为所述滤波器电路的输出端。可选地,所述滤波器电路的制造工艺要求元器件采用集成分布。可选地,所述滤波器电路的制造工艺包括低温共烧陶瓷工艺(LowTemperatureCo-firedCeramic,LTCC)。可选地,所述滤波器电路的制造工艺包括集成无源器件工艺(IntegratedPassiveDevice,IPD)。可选地,所述滤波器电路的制造工艺包括层压基板制造工艺。可选地,所述滤波器电路的制造工艺要求元器件可以采用贴片分布。可选地,所述滤波器电路的制造工艺包括分立器件贴片的制造工艺。可选地,所述滤波器电路的制造工艺可以与互补金属氧化物半导体工艺(ComplementaryMetalOxideSemiconductor,CMOS)兼容。本技术提供的应用于射频前端的滤波器电路中,采用较少的电容和电感两种元器件,控制了产品成本、保证了较高的可封装性。并且,将第一电容和第一电感连接组成串联支路,该串联支路再与第二电容组成第一并联支路。第三电容和第三电感组成第二并联支路,实现了抑制多个频点的干扰,最终能够实现保证成本和封装技术的要求下抑制多个频点的干扰。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本技术实施例公开一种应用于射频前端的滤波器电路的结构简图;图2为本技术实施例公开一种应用于射频前端的滤波器电路的第一并联支路的频响特性图;图3为本技术实施例公开一种应用于射频前端的滤波器电路的第一并联支路与第二电感的频响特性图;图4为本技术实施例公开一种应用于射频前端的滤波器电路的第二并联支路的频响特性图;图5为本技术实施例公开一种应用于射频前端的滤波器电路的频响特性图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。本技术实施例提供一种应用于射频前端的滤波器电路,以实现保证成本和封装技术的要求下抑制多个频点的干扰。请参阅图1,本技术实施例公开的应用于射频前端的滤波器电路,包括:第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第一电感L1、第二电感L2和第三电感L3。其中,第一电容C1与第一电感L1连接组成串联支路,串联支路与第二电容C2组成第一并联支路,第一并联支路的输入端作为滤波器电路的输入端,输出端通过第二电感L2接地。第三电容C3与第三电感L3组成第二并联支路,第二并联支路的输入端连接第一并联支路的输入端,输出端作为滤波器电路的输出端。请参阅图2,第一电容C1与第一电感L1谐振在频点f1,呈低阻带阻特性,该频点的信号被过滤,其他频点的信号可以通过,实现了第一个频点的干扰信号的过滤。通带宽度和带内抑制度与第一电感L1品质因数相关。并且,同样参见图2,第一电容C1与第一电感L1的串联支路,与第二电容C2并联谐振在频点f2,呈高阻带通特性,该频点的信号可以通过。第一并联支路在高于f2的频点呈电容特性,等效电容值为Cp’,Cp’与第二电感L2谐振在频点f4,如图3所示。在频点f4呈低阻带阻特性,该频点的信号被过滤,其他频点的信号可以通过,实现了第二个频点的干扰信号的过滤。阻带宽度和带内抑制度与第二电感L2、第一电感L1品质因数相关。如图4所示,第三电容C3、第三电感L3与低噪声放大器输入电容共同谐振在频点f3,呈高阻带阻特性,该频点的信号被过滤,其他频点的信号可以通过,实现了第三个频点的干扰信号的过滤。在f3频点以外的频点,将低噪声放大器的特性阻抗匹配到系统工作特征阻抗,实现带内匹配和带外抑制。第二并联支路的阻带宽度、带内抑制度与第三电感L3的电感品质因数有关。本技术提供的应用于射频前端的滤波器电路中,采用较少的电容和电感两种元器件,控制了产品成本、保证了较高的可封装性。并且,将第一电容和第一电感连接组成串联支路,该串联支路再与第二电容组成第一并联支路。第三电容和第三电感组成第二并联支路,实现了抑制多个频点的干扰,最终能够实现保证成本和封装技术的要求下抑制多个频点的干扰。需要说明的是,请参阅图5,本技术提供的应用于射频前端的滤波器电路可以抑制f1、f3及f4三个频点的干扰,允许f2频点附近的信号可以通过。f2频点的附近频段为滤波器电路的工作频段。在工作频段内的f2频点处,滤波器电路的频响特性达到峰值,代表功率增益最大。f1、f3、f4频点为频响特性低点,代表功率抑制点。此外,滤波器本身在所有频段内不具有信号放大的功能,使得整个频响特性在X轴下方,表示频响特性为负。可选地,本申请的另一实施例中,本技术的滤波器电路的制造工艺要求元器件采用集成分布于制造载体上以实现滤波器电路。即可通过在制造载体上绕制电感和布置电容集合成一个滤波器电路。可选地,本申请的另一实施例中,本技术的滤波器电路的制造工艺包括LTCC。LTCC可实现制造载体自带电感和电容。可选地,本申请的另一实施例中,本技术的滤波器电路的制造工艺包括IPD。IPD是在高阻硅晶元上绕线电感和设置电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种应用于射频前端的滤波器电路,其特征在于,包括:第一电容、第二电容、第三电容、第一电感、第二电感和第三电感;其中,所述第一电容与所述第一电感连接组成串联支路,所述串联支路与所述第二电容组成第一并联支路,所述第一并联支路的输入端作为所述滤波器电路的输入端,输出端通过所述第二电感接地;所述第三电容与所述第三电感组成第二并联支路,所述第二并联支路的输入端连接所述第一并联支路的输入端,输出端作为所述滤波器电路的输出端。

【技术特征摘要】
1.一种应用于射频前端的滤波器电路,其特征在于,包括:第一电容、第二电容、第三电容、第一电感、第二电感和第三电感;其中,所述第一电容与所述第一电感连接组成串联支路,所述串联支路与所述第二电容组成第一并联支路,所述第一并联支路的输入端作为所述滤波器电路的输入端,输出端通过所述第二电感接地;所述第三电容与所述第三电感组成第二并联支路,所述第二并联支路的输入端连接所述第一并联支路的输入端,输出端作为所述滤波器电路的输出端。2.如权利要求1所述的应用于射频前端的滤波器电路,其特征在于,所述滤波器电路的制造工艺要求元器件采用集成分布。3.如权利要求2所述的应用于射频前端的滤波器电路,其特征在于,所述滤波器电路的制造工艺包括低温共...

【专利技术属性】
技术研发人员:李鹏
申请(专利权)人:上海艾为电子技术股份有限公司
类型:新型
国别省市:上海,31

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