一种防过冲保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种防过冲保护电路，包括：第一开关管、栅极驱动电路、输入过冲检测电路和栅极箝位电路，栅极驱动电路用于驱动第一开关管的导通或关断，栅极箝位电路用于控制第一开关管的导通或关断，当防过冲保护电路的输入端接收到的输入电源存在向上的跳变信号时，输入过冲检测电路检测到跳变信号，并发出信号给栅极箝位电路，将第一开关管的栅极电位进行箝位，使输出电源不跟随输入电源向上过冲，保护输出端所连接器件的安全。通过本实用新型专利技术提供的防过冲保护电路，可以使第一开关管的源极受漏极电压过冲影响减小，从而保护源极所连接器件的电压处于安全范围内，避免损坏输出端所连接器件的风险。

An Over-Shock Protection Circuit

The utility model discloses an anti-overshoot protection circuit, which comprises a first switch, a gate driving circuit, an input overshoot detection circuit and a gate clamping circuit, a gate driving circuit for driving the turn-on or turn-off of the first switch, a gate clamping circuit for controlling the turn-on or turn-off of the first switch, and an input power supply received by the input end of the anti-overshoot protection circuit exists. When the jump signal is up, the input overshoot detection circuit detects the jump signal and sends out the signal to the gate clamping circuit. The grid potential of the first switch is clamped so that the output power does not overshoot with the input power supply and protects the safety of the connectors at the output end. The anti-overshoot protection circuit provided by the utility model can reduce the influence of overshoot of drain voltage on the source pole of the first switch tube, thereby protecting the voltage of the connector of the source pole within a safe range and avoiding the risk of damaging the connector of the output terminal.

【技术实现步骤摘要】
一种防过冲保护电路
本技术涉及集成电路设计
，特别是涉及一种防过冲保护电路。
技术介绍
在电源管理类芯片中，常见有集成很大尺寸的NMOS(N型金属氧化物晶体管)的电路，例如负载开关芯片中集成了大尺寸的NMOS作为功率开关。有的电源转换电路中也会使用大尺寸的NMOS管进行电源转换，这时NMOS的漏极和源极会分别连接两个电源。在上述使用环境中，NMOS的的漏极都会连接到一个电源，电源波动时就会造成NMOS所连接的源端也产生波动。如图1所示，图1为现有技术中一种电源转换电路，其中，第一开关管M1，第二开关管M2，第N开关管Mn为NMOS，该电路通过M1，M2，Mn将输入电源VIN转换为三个输出电源VDD1，VDD2，VDDn，输入电源VIN为外部接口电源，容易受到干扰。例如，当VIN端受到浪涌影响时，VIN端的输入电压会急速往上跳变，则输出电源VDD1～VDDn也会跟着向上跳变，若输出电源VDD1～VDDn变得太高，则存在损坏VDD1～VDDn所连接器件的风险。
技术实现思路
本技术的目的在于提出一种防过冲保护电路，以实现抑制输出电源跟随输入电源的向上过冲，避免损坏输出端所连接器件的风险。为达到上述目的，本技术提供了以下技术方案：一种防过冲保护电路，包括：第一开关管、栅极驱动电路、输入过冲检测电路和栅极箝位电路，其中：所述第一开关管的漏极、所述输入过冲检测电路的第一端与所述栅极驱动电路的第一端相连，其公共端作为所述防过冲保护电路的输入端，接收输入电源，所述第一开关管的源极作为所述防过冲保护电路的输出端，输出转换后的输出电源；所述第二开关管的栅极与所述栅极箝位电路的第一端相连，所述栅极箝位电路的第二端与所述输入过冲检测电路的第二端相连，所述栅极箝位电路的第三端与所述栅极驱动电路的第二端相连；所述栅极驱动电路用于驱动所述第一开关管的导通或关断，所述栅极箝位电路用于控制所述第一开关管的导通或关断，当所述防过冲保护电路的输入端接收到的所述输入电源存在向上的跳变信号时，所述输入过冲检测电路检测到所述跳变信号，并发出信号给所述栅极箝位电路，将所述第一开关管的栅极电位进行箝位，使所述输出电源不跟随输入电源向上过冲，保护所述输出端所连接器件的安全。进一步的，所述输入过冲检测电路包括：电阻、电容、电压源和比较器，其中：所述电容的一端与所述电阻的一端相连，其公共端作为所述输入过冲检测电路的第一端与所述栅极驱动电路的第一端相连；所述电容的另一端接地，所述电阻的一端通过所述电压源与所述比较器的反相输入端相连，所述电阻的另一端与所述比较器的正相输入端相连；所述比较器的输出端作为所述输入过冲检测电路的第二端与所述栅极箝位电路的第二端相连。进一步的，所述栅极箝位电路包括第二开关管，所述第二开关管的漏极作为所述栅极箝位电路的第一端与所述第一开关管的栅极相连，所述第二开关管的源极接地，所述第二开关管的栅极作为所述栅极箝位电路的第二端与所述输入过冲检测电路的第二端相连。经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本技术公开了一种防过冲保护电路，包括：第一开关管、栅极驱动电路、输入过冲检测电路和栅极箝位电路，栅极驱动电路用于驱动第一开关管的导通或关断，栅极箝位电路用于控制第一开关管的导通或关断，当防过冲保护电路的输入端接收到的输入电源存在向上的跳变信号时，输入过冲检测电路检测到跳变信号，并发出信号给栅极箝位电路，将第一开关管的栅极电位进行箝位，使输出电源不跟随输入电源向上过冲，保护输出端所连接器件的安全。通过本技术提供的防过冲保护电路，可以使第一开关管的源极受漏极电压过冲影响减小，从而保护源极所连接器件的电压处于安全范围内，避免损坏输出端所连接器件的风险。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为现有技术中提供的一种电源转换电路结构示意图；图2为本技术实施例提供的一种防过冲保护电路结构框图；图3为本技术实施例提供的一种防过冲保护电路一种具体实施方式示意图；图4为本技术实施例提供的一种防过冲保护电路另一种具体实施方式示意图。具体实施方式术语解释：集成电路(IntegratedCircuit)是一种微型电子器件或部件，采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连在一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构，也称为芯片或IC。MOSFET：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(英文全拼：Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(Field-EffectTransistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其简称尚包括NMOS、PMOS。下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图2所示，本技术实施例提供了一种防过冲保护电路，该防过冲保护电路包括：第一开关管M1、栅极驱动电路11、输入过冲检测电路12和栅极箝位电路13，其中：上述第一开关管M1的漏极、上述输入过冲检测电路12的第一端与上述栅极驱动电路11的第一端相连，其公共端作为上述防过冲保护电路的输入端IN，接收输入电源VIN，上述第一开关管M1的源极作为上述防过冲保护电路的输出端OUT，输出转换后的输出电源VOUT；上述第二开关管M1的栅极与上述栅极箝位电路13的第一端相连，上述栅极箝位电路13的第二端与上述输入过冲检测电路12的第二端相连，上述栅极箝位电路13的第三端与上述栅极驱动电路11的第二端相连；上述栅极驱动电路11用于驱动上述第一开关管M1的导通或关断，上述栅极箝位电路13用于控制上述第一开关管M1的导通或关断，当上述防过冲保护电路的输入端IN接收到的上述输入电源VIN存在向上的跳变信号时，上述输入过冲检测电路12检测到上述跳变信号，并发出信号给上述栅极箝位电路13，将上述第一开关管M1的栅极电位进行箝位，使上述输出电源VOUT不跟随输入电源向上过冲，保护上述输出端OUT所连接器件的安全。本技术实施例提供的防过冲保护电路如图2所示，其中，第一开关管M1为NMOS，其漏极为IN，提供供电电源VIN，源极为OUT，输出转换后的输出电源VOUT，第一开关管M1将供电电源VIN转换为VOUT，栅极驱动电路11用于控制第一开关管M1导通或关断。当VIN有向上的快速跳变信号时，输入过冲检测电路检测该跳变信号，并发出信号给栅极箝位电路13，将第一开关管M1的栅极电位进行箝位，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防过冲保护电路，其特征在于，包括：第一开关管、栅极驱动电路、输入过冲检测电路和栅极箝位电路，其中：所述第一开关管的漏极、所述输入过冲检测电路的第一端与所述栅极驱动电路的第一端相连，其公共端作为所述防过冲保护电路的输入端，接收输入电源，所述第一开关管的源极作为所述防过冲保护电路的输出端，输出转换后的输出电源；所述第一开关管的栅极与所述栅极箝位电路的第一端相连，所述栅极箝位电路的第二端与所述输入过冲检测电路的第二端相连，所述栅极箝位电路的第三端与所述栅极驱动电路的第二端相连；所述栅极驱动电路用于驱动所述第一开关管的导通或关断，所述栅极箝位电路用于控制所述第一开关管的导通或关断，当所述防过冲保护电路的输入端接收到的所述输入电源存在向上的跳变信号时，所述输入过冲检测电路检测到所述跳变信号，并发出信号给所述栅极箝位电路，将所述第一开关管的栅极电位进行箝位，使所述输出电源不跟随输入电源向上过冲，保护所述输出端所连接器件的安全。

【技术特征摘要】
1.一种防过冲保护电路，其特征在于，包括：第一开关管、栅极驱动电路、输入过冲检测电路和栅极箝位电路，其中：所述第一开关管的漏极、所述输入过冲检测电路的第一端与所述栅极驱动电路的第一端相连，其公共端作为所述防过冲保护电路的输入端，接收输入电源，所述第一开关管的源极作为所述防过冲保护电路的输出端，输出转换后的输出电源；所述第一开关管的栅极与所述栅极箝位电路的第一端相连，所述栅极箝位电路的第二端与所述输入过冲检测电路的第二端相连，所述栅极箝位电路的第三端与所述栅极驱动电路的第二端相连；所述栅极驱动电路用于驱动所述第一开关管的导通或关断，所述栅极箝位电路用于控制所述第一开关管的导通或关断，当所述防过冲保护电路的输入端接收到的所述输入电源存在向上的跳变信号时，所述输入过冲检测电路检测到所述跳变信号，并发出信号给所述栅极箝位电路，将所述第一开关管的栅极电位进行箝位，使...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗旭程，胡建伟，程剑涛，
申请(专利权)人：上海艾为电子技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31