有机发光二极管阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了有机发光二极管阵列基板及显示装置。该阵列基板包括：基板，基板上限定有补偿电路区，补偿电路区设置有多个第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，多个第一薄膜晶体管的沟道长度相同，第二薄膜晶体管的沟道长度与第一薄膜晶体管的沟道长度不同，第一薄膜晶体管的第一电极靠近基板设置，第一薄膜晶体管的第一电极和第二电极之间具有第一层间介电层，第一薄膜晶体管的有源层位于第一薄膜晶体管的第一电极和第二电极远离基板的一侧；第二薄膜晶体管的有源层设置在基板上，第二薄膜晶体管的第一电极和第二电极同层设置，且位于第二薄膜晶体管的有源层远离基板的一侧。由此，可以有效提升应用该阵列基板的显示装置的分辨率以及像素密度。

Organic Light Emitting Diode Array Substrate and Display Device

The invention discloses an organic light emitting diode array substrate and a display device. The array substrate includes: a substrate, which is limited by a compensation circuit area. The compensation circuit area is provided with multiple first thin film transistors and second thin film transistors. The channel length of multiple first thin film transistors is the same. The channel length of the second thin film transistor is different from that of the first thin film transistor. The first electrode of the first thin film transistor is near the substrate and the first thin film transistor is arranged. There is a first interlayer dielectric layer between the first electrode and the second electrode of the membrane transistor, and the active layer of the first thin film transistor is located on the side of the first electrode and the second electrode of the first thin film transistor far from the substrate; the active layer of the second thin film transistor is located on the substrate, and the first electrode and the second electrode of the second thin film transistor are arranged in the same layer, and the active layer of the second thin film Transist The source layer is far from the side of the substrate. Thus, the resolution and pixel density of the display device using the array substrate can be effectively improved.

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管阵列基板及显示装置
本专利技术涉及显示
，具体地，涉及有机发光二极管阵列基板及显示装置。
技术介绍
有机发光二极管显示装置具有高对比度、超轻薄、可弯曲等优点，然而上述显示装置仍存在亮度均匀性较差的问题。目前通常采用补偿技术解决上述问题，补偿技术包括内部补偿和外部补偿，其中，内部补偿是指在像素内部利用薄膜晶体管(TFT)构建补偿电路进行补偿的方法。为了达到补偿目的，内部补偿电路通常包含多个TFT和多个电容。然而上述补偿电路中TFT和电容的数量过多以及尺寸过大，会直接影响显示装置的分辨率，以及制约显示装置像素密度(PPI)的提升。因此，目前有机发光二极管阵列基板上的补偿电路的结构仍有待改进。
技术实现思路
在本专利技术的一个方面，本专利技术提出了一种有机发光二极管阵列基板。该有机发光二极管阵列基板包括：基板，所述基板上限定有补偿电路区，所述补偿电路区设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括多个第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管，多个所述第一薄膜晶体管的沟道长度相同，所述第二薄膜晶体管的沟道长度与所述第一薄膜晶体管的沟道长度不同，所述第一薄膜晶体管的第一电极靠近所述基板设置，所述第一薄膜晶体管的第一电极和第二电极之间具有第一层间介电层，所述第一薄膜晶体管的有源层位于所述第一薄膜晶体管的第一电极和第二电极远离所述基板的一侧；所述第二薄膜晶体管的有源层设置在所述基板上，所述第二薄膜晶体管的第一电极和第二电极同层设置，且位于所述第二薄膜晶体管的有源层远离所述基板的一侧。由此，可以有效提升应用该有机发光二极管阵列基板的显示装置的分辨率以及像素密度。根据本专利技术的实施例，所述第一薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。由此，应用该有机发光二极管阵列基板的显示装置具有反应速度高、成本低以及功耗低等优点。根据本专利技术的实施例，所述第一薄膜晶体管的第一电极与所述第二薄膜晶体管的栅极同层同材料设置。由此，第一薄膜晶体管的第一电极和第二薄膜晶体管的栅极可以利用同一构图工艺同步形成，简化制备工序，节省成本。根据本专利技术的实施例，所述第一层间介电层覆盖所述第二薄膜晶体管的栅极，且在与所述第一薄膜晶体管的第一电极对应处具有段差部，所述第一薄膜晶体管的有源层覆盖所述段差部的侧壁并与所述第一薄膜晶体管的第一电极相连。由此，可以通过控制第一层间介电层的厚度，控制第一薄膜晶体管的沟道长度，且令所有的第一薄膜晶体管的沟道长度均相等，降低了工艺难度，且该第一薄膜晶体管具有垂直结构，可以有效减小第一薄膜晶体管的尺寸，进而在不影响补偿电路功能的前提下，减小补偿电路的尺寸，可以有效提升应用该有机发光二极管阵列基板的显示装置的分辨率以及像素密度。根据本专利技术的实施例，所述段差部的侧壁与所述基板之间的夹角大于90度。由此，可以保证第一薄膜晶体管的有源层连续设置。根据本专利技术的实施例，所述第一薄膜晶体管进一步包括：第一栅绝缘层，所述第一栅绝缘层覆盖所述第一薄膜晶体管的有源层以及所述第一层间介电层，所述第一薄膜晶体管的栅极设置在所述第一栅绝缘层远离所述第一薄膜晶体管的有源层的一侧；第二层间介电层，所述第二层间介电层覆盖所述第一薄膜晶体管的栅极以及所述第一栅绝缘层。由此，可以使第一薄膜晶体管具有良好的使用功能。根据本专利技术的实施例，所述第二薄膜晶体管进一步包括：第二栅绝缘层，所述第二栅绝缘层覆盖所述第二薄膜晶体管的有源层以及所述基板，所述第二薄膜晶体管的栅极设置在所述第二栅绝缘层远离所述第二薄膜晶体管的有源层的一侧。由此，可以使第二薄膜晶体管具有良好的使用功能。根据本专利技术的实施例，所述第二薄膜晶体管的第一电极和第二电极设置在所述第二层间介电层远离所述第一栅绝缘层的一侧，且通过过孔与所述第二薄膜晶体管的有源层相连。由此，该第二薄膜晶体管具有平面结构，可以使补偿电路中同时具有宽长比不同的薄膜晶体管，以实现补偿电路的功能。根据本专利技术的实施例，该有机发光二极管阵列基板进一步包括以下结构的至少之一：平坦化层，所述平坦化层覆盖所述第二薄膜晶体管的第一电极和第二电极；以及有机发光二极管，所述有机发光二极管的阳极设置在所述平坦化层远离所述第二薄膜晶体管的一侧，且通过贯穿所述平坦化层的过孔与所述第二薄膜晶体管的第一电极相连。由此，利用该补偿电路可以实现对有机发光二极管中像素单元的亮度补偿，且该补偿电路具有较小的尺寸，在保证其补偿功能的情况下，可以有效提升应用该有机发光二极管阵列基板的显示装置的分辨率以及像素密度。在本专利技术的另一方面，本专利技术提出了一种显示装置。根据本专利技术的实施例，该显示装置包括壳体以及前面所述的有机发光二极管阵列基板，所述壳体包括前框以及背板，所述前框以及所述背板构成容纳空间，所述有机发光二极管阵列基板位于所述容纳空间内部，且所述有机发光二极管阵列基板的出光侧远离所述背板设置。由此，该显示装置具有前面所述的有机发光二极管阵列基板的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该显示装置具有较高的分辨率以及像素密度。附图说明本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1显示了根据本专利技术一个实施例的有机发光二极管阵列基板的结构示意图；图2显示了根据本专利技术另一个实施例的有机发光二极管阵列基板的结构示意图；图3显示了根据本专利技术一个实施例的制备有机发光二极管阵列基板方法的流程示意图；以及图4显示了根据本专利技术另一个实施例的制备有机发光二极管阵列基板方法的流程示意图。附图标记说明：100：基板；200：第一薄膜晶体管；300：第二薄膜晶体管；400：平坦化层；500：阳极；600：缓冲层；10A：第一薄膜晶体管的第一电极；20A：第一薄膜晶体管的第二电极；30A：第一薄膜晶体管的有源层；40A：第一栅绝缘层；50A：第一薄膜晶体管的栅极；60A：第二层间介电层；10B：第二薄膜晶体管的第一电极；20B：第二薄膜晶体管的第二电极；30B：第二薄膜晶体管的有源层；40B：第二栅绝缘层；50B：第二薄膜晶体管的栅极；60B：第一层间介电层；61：段差部；11B：第一电极第一部；12B：第一电极第二部；21B：第二电极第一部；22B：第二电极第二部。具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的一个方面，本专利技术提出了一种有机发光二极管阵列基板。根据本专利技术的实施例，参考图1，该有机发光二极管阵列基板包括：基板100以及薄膜晶体管。其中，基板100上限定有补偿电路区，补偿电路区设置有薄膜晶体管，薄膜晶体管包括多个第一薄膜晶体管200(图中仅示出一个第一薄膜晶体管)以及第二薄膜晶体管300，多个第一薄膜晶体管200的沟道长度相同，第二薄膜晶体管300的沟道长度与第一薄膜晶体管200的沟道长度不同，第一薄膜晶体管的第一电极10A靠近基板100设置，第一薄膜晶体管的第一电极10A和第二电极20A之间具有第一层间介电层60B，第一薄膜晶体管的有源层30A位于第一薄膜晶体管的第一电极10A和第二电极20A远离基板100的一侧；第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机发光二极管阵列基板，其特征在于，包括：基板，所述基板上限定有补偿电路区，所述补偿电路区设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括多个第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管，多个所述第一薄膜晶体管的沟道长度相同，所述第二薄膜晶体管的沟道长度与所述第一薄膜晶体管的沟道长度不同，所述第一薄膜晶体管的第一电极靠近所述基板设置，所述第一薄膜晶体管的第一电极和第二电极之间具有第一层间介电层，所述第一薄膜晶体管的有源层位于所述第一薄膜晶体管的第一电极和第二电极远离所述基板的一侧；所述第二薄膜晶体管的有源层设置在所述基板上，所述第二薄膜晶体管的第一电极和第二电极同层设置，且位于所述第二薄膜晶体管的有源层远离所述基板的一侧。

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管阵列基板，其特征在于，包括：基板，所述基板上限定有补偿电路区，所述补偿电路区设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括多个第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管，多个所述第一薄膜晶体管的沟道长度相同，所述第二薄膜晶体管的沟道长度与所述第一薄膜晶体管的沟道长度不同，所述第一薄膜晶体管的第一电极靠近所述基板设置，所述第一薄膜晶体管的第一电极和第二电极之间具有第一层间介电层，所述第一薄膜晶体管的有源层位于所述第一薄膜晶体管的第一电极和第二电极远离所述基板的一侧；所述第二薄膜晶体管的有源层设置在所述基板上，所述第二薄膜晶体管的第一电极和第二电极同层设置，且位于所述第二薄膜晶体管的有源层远离所述基板的一侧。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。3.根据权利要求2所述的有机发光二极管阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的第一电极与所述第二薄膜晶体管的栅极同层同材料设置。4.根据权利要求3所述的有机发光二极管阵列基板，其特征在于，所述第一层间介电层覆盖所述第二薄膜晶体管的栅极，且在与所述第一薄膜晶体管的第一电极对应处具有段差部，所述第一薄膜晶体管的有源层覆盖所述段差部的侧壁并与所述第一薄膜晶体管的第一电极相连。5.根据权利要求4所述的有机发光二极管阵列基板，其特征在于，所述段差部的侧壁与所述基板之间的夹角大于90度。6.根据权利要求5所述的有机发光二极管阵列基板，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭锦涛，牛亚男，彭宽军，郭凯，秦斌，李小龙，滕万鹏，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11