The invention provides an array substrate and a manufacturing method thereof. The array substrate comprises a gate insulating layer, an active layer, a source-drain electrode, a first protective layer and a second protective layer. The active layer and the source and drain electrodes are arranged on the gate insulating layer, and the source and drain electrodes are connected to the active layer. The first protective layer is arranged on the gate insulating layer and the active layer. The second protective layer is arranged on the source-drain electrode and the first protective layer.
【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法
本专利技术涉及显示领域,特别是一种阵列基板及其制作方法。
技术介绍
液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay,简称LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用,如:移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,简称OLED)显示器,也称为有机电致发光显示器,是一种新兴的平板显示装置,由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广、体积轻薄、响应速度快,而且易于实现彩色显示和大屏幕显示、易于实现和集成电路驱动器相匹配、易于实现柔性显示等优点,因而具有广阔的应用前景。OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOrganicLight-EmittingDiode,简称PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOrganicLight-EmittingDiode,简称AMOLED)两大类,即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中,AMOLED具有呈阵列式排布的像素,属于主动显示类型,发光效能高,通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,简称TFT)是目前液晶显示装置和有源矩阵型OLED显示装置中的主要驱动元件,直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。薄膜晶体管具有多种结构,制备相应结构的薄膜晶体管的材料也具有多种,非晶硅(a-Si)材料是比较常见的一种。随着液晶显示装置和OLED显示装置向着大尺寸和高分 ...
【技术保护点】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:栅极绝缘层;有源层和源漏电极,设于所述栅极绝缘层上,所述源漏电极连接至所述有源层;第一保护层,设于所述栅极绝缘层和所述有源层上;以及第二保护层,设于所述源漏电极和所述第一保护层上。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:栅极绝缘层;有源层和源漏电极,设于所述栅极绝缘层上,所述源漏电极连接至所述有源层;第一保护层,设于所述栅极绝缘层和所述有源层上;以及第二保护层,设于所述源漏电极和所述第一保护层上。2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:基底;以及栅极,设于所述基底上,所述栅极绝缘层设于所述基底上且覆盖所述栅极;像素电极,设于所述第二保护层上,并与所述源漏电极连接。3.一种如权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:形成栅极绝缘层;形成有源层于所述栅极绝缘层上;形成源漏电极于所述栅极绝缘层上,所述源漏电极上具有光阻层,且所述源漏电极连接至所述有源层;形成第一保护层于所述栅极绝缘层、所述有源层和所述光阻层上;去除所述光阻层以及光阻层上的所述第一保护层;形成第二保护层于所述第一保护层和所述源漏电极上。4.如权利要求3所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,在形成源漏电极步骤中包括:在所述有源层上沉积一金属层,在所述金属层上涂布一光阻层,并将所述光阻层图案化,然后通过湿法蚀刻将所述金属层蚀刻,形成所述源漏电极,所述源漏电极上残留有多余的光阻层。5.如权利要求3所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,在去除所述光阻层以及光阻层上的所述第一保护层步骤中包括:通过液相剥离法将所述源漏电极上的所述光阻层以及所述光阻层上的所述第一保护层剥离。6.如权利要求3所述的阵列基板的制作方法,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴伟,
申请(专利权)人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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