阵列基板及其制作方法技术

技术编号:21337377 阅读:20 留言:0更新日期:2019-06-13 21:23
本发明专利技术提供了一种阵列基板及其制作方法。所述阵列基板包括栅极绝缘层、有源层、源漏电极、第一保护层以及第二保护层。所述有源层和所述源漏电极均设于所述栅极绝缘层上,所述源漏电极连接至所述有源层。所述第一保护层设于所述栅极绝缘层和所述有源层上。所述第二保护层设于所述源漏电极和所述第一保护层上。

Array Substrate and Its Fabrication Method

The invention provides an array substrate and a manufacturing method thereof. The array substrate comprises a gate insulating layer, an active layer, a source-drain electrode, a first protective layer and a second protective layer. The active layer and the source and drain electrodes are arranged on the gate insulating layer, and the source and drain electrodes are connected to the active layer. The first protective layer is arranged on the gate insulating layer and the active layer. The second protective layer is arranged on the source-drain electrode and the first protective layer.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法
本专利技术涉及显示领域,特别是一种阵列基板及其制作方法。
技术介绍
液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay,简称LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用,如:移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,简称OLED)显示器,也称为有机电致发光显示器,是一种新兴的平板显示装置,由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广、体积轻薄、响应速度快,而且易于实现彩色显示和大屏幕显示、易于实现和集成电路驱动器相匹配、易于实现柔性显示等优点,因而具有广阔的应用前景。OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOrganicLight-EmittingDiode,简称PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOrganicLight-EmittingDiode,简称AMOLED)两大类,即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中,AMOLED具有呈阵列式排布的像素,属于主动显示类型,发光效能高,通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,简称TFT)是目前液晶显示装置和有源矩阵型OLED显示装置中的主要驱动元件,直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。薄膜晶体管具有多种结构,制备相应结构的薄膜晶体管的材料也具有多种,非晶硅(a-Si)材料是比较常见的一种。随着液晶显示装置和OLED显示装置向着大尺寸和高分辨率的方向发展,传统的a-Si仅有1cm2/(Vs)左右的迁移率已经无法满足要求,以铟镓锌氧化物(IndiumGalliumZincOxide,简称IGZO)为代表的金属氧化物材料具备超过10cm2/(Vs)以上的迁移率,而且相应薄膜晶体管的制备与现有的a-Si为半导体驱动的产线的兼容性好,近年来迅速成为显示领域研发的重点。相对于传统的a-SiTFT,IGZOTFT具有以下优势:1、提高显示背板的分辨率,在保证相同透过率的前提下,IGZOTFT显示背板的分辨率可以做到a-SiTFT的2倍以上,IGZO材料中的载流子浓度高,迁移率大,可以缩小TFT的体积,保证分辨率的提升;2、减少显示器件的能耗,IGZOTFT与a-SiTFT、LTPSTFT相比,漏电流小于1pA;驱动频率由原来的30-50Hz减少到2-5Hz,通过特殊工艺,甚至可以达到1Hz,虽然减少TFT的驱动次数,仍然可以维持液晶分子的配向,不影响画面的质量,从而减少显示背板的耗电量;另外,IGZO半导体材料的高迁移率使得较小尺寸的TFT即可提供足够的充电能力和较高的电容值,而且提高了液晶面板的开口率,光穿透的有效面积变大,可以用较少的背板组件或低功率消耗达到相同的亮度,减少能耗;3、通过采用间歇式驱动等方式,能够降低液晶显示器驱动电路的噪点对触摸屏检测电路造成的影响,可以实现更高的灵敏度,甚至尖头的圆珠笔笔端也能够响应,而且由于画面无更新时可以切断电源,因此其在节能的效果上表现更为优秀。目前,IGZO作为半导体有源层的TFT一般采用刻蚀阻挡型,由于有刻蚀阻挡层(EtchStopLayer,ESL)存在,源漏电极的蚀刻过程,刻蚀阻挡层可以有效的保护IGZO不受到影响,保证TFT具有优异的半导体特性。但是ESL型的IGZOTFT的制备过程较为复杂,需要经过6次黄光工艺,不利于降低成本,因此业界普遍追求光罩工艺更少、成本更低、器件精益化程度高的背沟道蚀刻(BackChannelEtch,BCE)型的IGZOTFT的开发。但现有技术中的BCE型IGZOTFT因为背沟道受到蚀刻等工艺的损伤,需要在后续的保护层的沉积过程中利用氧等离子体轰击将背沟道钝化,而这一工艺同时会对IGZOTFT中原材料为金属的源漏电极造成氧化等损伤,从而导致保护层与源漏电极层之间的结合力差,出现膜层鼓包脱落等问题,促使IGZOTFT的稳定性变差。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种阵列基板及其制作方法,以解决现有技术中因保护层而对源漏电极造成氧化等损伤,从而导致保护层与源漏电极层之间的结合力差,促使铟镓锌氧化物薄膜晶体管的稳定性变差等问题。为实现上述目的,本专利技术提供一种阵列基板,其包括栅极绝缘层、有源层、源漏电极、第一保护层以及第二保护层。所述有源层和所述源漏电极均设于所述栅极绝缘层上,所述源漏电极连接至所述有源层。所述第一保护层设于所述栅极绝缘层和所述有源层上。所述第二保护层设于所述源漏电极和所述第一保护层上。进一步地,所述阵列基板还包括基底、栅极以及像素电极。所述栅极设于所述基底上,所述栅极绝缘层设于所述基底上,且覆盖所述栅极。所述像素电极设于所述第二保护层上,并与所述源漏电极连接。本专利技术还提供一种如上所述的阵列基板的制作方法,其包括以下步骤:形成栅极绝缘层。形成有源层于所述栅极绝缘层上。形成源漏电极于所述栅极绝缘层上,所述源漏电极上具有光阻层,且所述源漏电极连接至所述有源层。形成第一保护层于所述栅极绝缘层、所述有源层和所述光阻层上。去除所述光阻层以及光阻层上的所述第一保护层。形成第二保护层于所述第一保护层和所述源漏电极上。进一步地,在形成源漏电极步骤中包括:在所述有源层上沉积一金属层,在所述金属层上涂布一光阻层,并将所述光阻层图案化,然后通过湿法蚀刻将所述金属层蚀刻,形成所述源漏电极,所述源漏电极上残留有多余的光阻层。进一步地,在去除所述光阻层以及光阻层上的所述第一保护层步骤中包括:通过液相剥离法将所述源漏电极上的所述光阻层以及所述光阻层上的所述第一保护层剥离。进一步地,在所述制备栅极绝缘层步骤前还包括以下步骤:提供一基底。在所述基底上形成栅极。在形成第二保护层步骤后还包括以下步骤:形成像素电极:在所述第二保护层上形成像素电极,且所述像素电极与所述源漏电极连接。本专利技术还提供另一种如上所述的阵列基板的制作方法,其包括以下步骤:形成栅极绝缘层。形成有源层和源漏电极于所述栅极绝缘层上,所述源漏电极上具有光阻层。形成第一保护层于所述栅极绝缘层、所述有源层和所述光阻层上。去除所述光阻层以及光阻层上的所述第一保护层。形成第二保护层于所述第一保护层和所述源漏电极上。进一步地,在形成有源层和源漏电极步骤中包括:在所述栅极绝缘层形成一金属氧化物层。在所述金属氧化物层上沉积一金属层。在所述金属层上涂布一光阻层,并将所述光阻层图案化,然后通过半色调掩膜法同时将所述金属氧化物层和所述金属层图案化,形成所述有源层和所述源漏电极,所述源漏电极上残留有多余的光阻层。进一步地,在去除所述光阻层以及光阻层上的所述第一保护层步骤中包括:通过液相剥离法将所述源漏电极上的所述光阻层以及所述光阻层上的所述第一保护层剥离。进一步地,在所述制备栅极绝缘层步骤钱还包括一下步骤:提供一基底。在所述基底上形成栅极。在形成第二保护层步骤后还包括以下步骤:形成像素电极:在所述第二保护层上形成像素电极,且所述像素电极与所述源漏电极连接。本专利技术的优点是:本专利技术中提供的一种阵列基板,其通过沉积两层保护层分别实现钝化有源层和覆盖保护金属层两种功能。其中,通过第一保护层实现钝化有源本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:栅极绝缘层;有源层和源漏电极,设于所述栅极绝缘层上,所述源漏电极连接至所述有源层;第一保护层,设于所述栅极绝缘层和所述有源层上;以及第二保护层,设于所述源漏电极和所述第一保护层上。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:栅极绝缘层;有源层和源漏电极,设于所述栅极绝缘层上,所述源漏电极连接至所述有源层;第一保护层,设于所述栅极绝缘层和所述有源层上;以及第二保护层,设于所述源漏电极和所述第一保护层上。2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:基底;以及栅极,设于所述基底上,所述栅极绝缘层设于所述基底上且覆盖所述栅极;像素电极,设于所述第二保护层上,并与所述源漏电极连接。3.一种如权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:形成栅极绝缘层;形成有源层于所述栅极绝缘层上;形成源漏电极于所述栅极绝缘层上,所述源漏电极上具有光阻层,且所述源漏电极连接至所述有源层;形成第一保护层于所述栅极绝缘层、所述有源层和所述光阻层上;去除所述光阻层以及光阻层上的所述第一保护层;形成第二保护层于所述第一保护层和所述源漏电极上。4.如权利要求3所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,在形成源漏电极步骤中包括:在所述有源层上沉积一金属层,在所述金属层上涂布一光阻层,并将所述光阻层图案化,然后通过湿法蚀刻将所述金属层蚀刻,形成所述源漏电极,所述源漏电极上残留有多余的光阻层。5.如权利要求3所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,在去除所述光阻层以及光阻层上的所述第一保护层步骤中包括:通过液相剥离法将所述源漏电极上的所述光阻层以及所述光阻层上的所述第一保护层剥离。6.如权利要求3所述的阵列基板的制作方法,其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴伟
申请(专利权)人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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