晶圆承载装置及带有晶圆承载装置的金属离子检测设备制造方法及图纸

该实用新型专利技术涉及一种晶圆承载装置及带有晶圆承载装置的金属离子检测设备具有第一承载盘和第二承载盘，因此可以用于放置粘附有不同的金属等级的金属离子的晶圆。由于第一承载盘设置有第一容纳腔，第二承载盘在竖直方向上的投影在第一容纳腔内，因此，可以保证晶圆承载装置一次只能放置一个晶圆。由于还具有能够分别驱动第一承载盘和第二承载盘沿竖直方向做升降运动的驱动器，因此能够保证在将晶圆放置到晶圆承载装置中时，只有一个承载盘会与晶圆相接触。使用晶圆承载装置及带有晶圆承载装置的金属离子检测设备，能够在同一检测机台中检测多种金属等级的晶圆，而避免检测过程中不同金属等级的晶圆之间的交叉污染，使最终的检测结果更加准确。

Wafer Loading Device and Metal Ion Detection Equipment with Wafer Loading Device

The utility model relates to a wafer bearing device and a metal ion detection device with a wafer bearing device, which has a first bearing plate and a second bearing plate, and therefore can be used to place wafers with different metal ions. Since the first bearing disc is provided with a first holding chamber and the second bearing disc is projected vertically into the first holding chamber, it can be guaranteed that only one wafer can be placed in the wafer bearing device at a time. Since there is also a driver that can drive the first and the second bearing discs to move up and down vertically, it is possible to ensure that only one bearing disc will contact the wafer when the wafer is placed in the wafer bearing device. Using wafer bearing device and metal ion detection equipment with wafer bearing device, wafers of various metal grades can be detected in the same testing machine, and cross-contamination between wafers of different metal grades can be avoided in the testing process, so that the final detection results are more accurate.

【技术实现步骤摘要】
晶圆承载装置及带有晶圆承载装置的金属离子检测设备
本技术涉及晶圆生产领域，具体涉及一种晶圆承载装置及带有晶圆承载装置的金属离子检测设备。
技术介绍
目前，半导体制造业正逐渐向高运行速度、较小的器件尺寸方向发展。导体器件的尺寸不断缩小，芯片中元件密度的不断增加，元件间距离变得越来越小，甚至到纳米级。然而，在整个生产过程中引入元渐渐的痕量杂质元素可能使芯片的合格率降低。特定的污染问题可导致半导体器件的不同缺陷，如碱金属与碱土金属(Li，Na，K，Ca，Mg，Ba等)污染可导致元件击穿电压的降低；过渡金属与重金属(Fe，Cr，Ni，Cu，Au，Mn，Pb等)污染可使元件的寿命缩短，或者使元件工作时间的暗电流增大。作为加工器件的原材料，晶圆表面的金属离子将直接影响器件加工的合格率，对晶圆进行表面金属离子测试已经被大部分生产厂商所使用。为了实现超微量金属离子(约1×108atom/cm2)的测试，必须通过使用VPD(VaporPhasedecomposition，即化学气相分解)，来进行晶圆表面金属离子的前处理，然后配合ICPMS(inductivelycoupledplasmamassspectrometry，即电感耦合等离子体质谱)、TXRF(totalreflectionX-rayfluorescence，即全反射X射线荧光光谱仪)或TOS-SIMS(timeofflightsecondaryionmassspectrometry，即时间飞行二次离子质谱)来实现。在现有技术中，在检测晶圆的金属污染的时，是将晶圆放置到机台中模拟实际生产，然后将晶圆放置到检测机台中进行检测。在对不同金属等级的晶圆进行检测时，由于检测机台的价格昂贵，因此很难做到给一种金属等级的晶圆配备一台检测机台。通常情况下，会将多种金属等级的晶圆放置到同一检测机台中进行检测，以此来实现对不同金属等级的晶圆的检测。但是在现有技术中，由于多种金属等级的晶圆均直接与检测机台相接触，因此在检测过程中也可能会造成交叉污染，影响最终的检测结果。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种晶圆承载装置及带有晶圆承载装置的金属离子检测设备，能够在同一检测机台中检测多种金属等级的晶圆，而避免检测过程中不同金属等级的晶圆之间的交叉污染，使最终的检测结果更加准确。为了解决上述技术问题，本技术提供了一种晶圆承载装置，包括：第一承载盘和第二承载盘，沿竖直方向平行排列，均用于承载晶圆；驱动器，连接所述第一承载盘和第二承载盘，用于分别驱动所述第一承载盘和第二承载盘沿竖直方向做升降运动；所述第一承载盘设置有第一容纳腔，所述第二承载盘在竖直方向上的投影在所述第一容纳腔内。可选的，所述第一承载盘的第一容纳腔的尺寸小于待承载的晶圆的直径。可选的，所述第一承载盘和第二承载盘均设置有真空孔，用于吸附放置在所述承载盘表面的晶圆。可选的，所述真空孔的数目大于1，均匀分布于所述第一承载盘和第二承载盘表面。可选的，所述驱动器包括马达，所述马达的输出轴连接到所述第一承载盘和第二承载盘。可选的，还包括；第三承载盘，与所述第一承载盘和第二承载盘沿竖直方向平行排列，用于承载晶圆；所述驱动器连接所述第三承载盘，用于驱动所述第三承载盘做升降运动；所述第二承载盘设置有第二容纳腔，所述第三承载盘在竖直方向上的投影在所述第二容纳腔内。为了解决上述技术问题，本技术还提供了一种带有晶圆承载装置的金属离子检测设备，包括：反应腔，用于检测晶圆表面的金属离子；晶圆承载装置，设置于所述反应腔内，用于承载晶圆，包括：第一承载盘和第二承载盘，沿竖直方向平行排列，均用于承载晶圆；驱动器，连接所述第一承载盘和第二承载盘，用于分别驱动所述第一承载盘和第二承载盘沿竖直方向做升降运动；所述第一承载盘设置有第一容纳腔，所述第二承载盘在竖直方向上的投影在所述第一容纳腔内。本技术的晶圆承载装置及带有晶圆承载装置的金属离子检测设备具有第一承载盘和第二承载盘，因此可以用于放置粘附有不同的金属等级的金属离子的晶圆。由于所述第一承载盘设置有第一容纳腔，所述第二承载盘在竖直方向上的投影在所述第一容纳腔内，因此，可以保证所述晶圆承载装置一次只能放置一个晶圆。由于还具有能够分别驱动所述第一承载盘和第二承载盘沿竖直方向做升降运动的驱动器，因此能够保证在将晶圆放置到所述晶圆承载装置中时，只有一个承载盘会与晶圆相接触，从而防止两个承载盘都被同一片晶圆所污染，而使得承载盘无法用于放置其他的晶圆。使用所述晶圆承载装置及带有晶圆承载装置的金属离子检测设备，能够在同一检测机台中检测多种金属等级的晶圆，而避免检测过程中不同金属等级的晶圆之间的交叉污染，使最终的检测结果更加准确。附图说明图1为本技术的一种具体实施方式中的晶圆承载装置的剖面示意图。图2为本技术的一种具体实施方式中的晶圆承载装置承载有晶圆时的剖面示意图。图3为本技术的一种具体实施方式中的晶圆承载装置承载有晶圆时的剖面示意图。图4为本技术的一种具体实施方式中的晶圆承载装置的主视图。图5为本技术的一种具体实施方式中带有晶圆承载装置的金属离子检测设备的结构示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施方式对本技术提出的一种晶圆承载装置及带有晶圆承载装置的金属离子检测设备作进一步详细说明。请参阅图1至图4，图1为本技术的一种具体实施方式中的晶圆承载装置的剖面示意图，图2为本技术的一种具体实施方式中的晶圆承载装置承载有晶圆时的剖面示意图，图3为本技术的一种具体实施方式中的晶圆承载装置承载有晶圆时的剖面示意图，图4为本技术的一种具体实施方式中的晶圆承载装置的主视图。在该具体实施方式中，所述晶圆承载装置及带有晶圆承载装置的金属离子检测设备，包括：第一承载盘1011和第二承载盘1012，沿竖直方向平行排列，均用于承载晶圆201；驱动器102，连接所述第一承载盘1011和第二承载盘1012，用于分别驱动所述第一承载盘1011和第二承载盘1012沿竖直方向做升降运动；所述第一承载盘1011设置有第一容纳腔4021，所述第二承载盘1012在竖直方向上的投影在所述第一容纳腔4021内。通过设置第一承载盘1011和第二承载盘1012，以及连接至所述第一承载盘1011和第二承载盘1012的驱动器102，使得可以用驱动器102使第一承载盘1011和第二承载盘1012具有不同的高度，这样，在将晶圆201放置到晶圆承载装置中时，可以让晶圆201只与一个承载盘101相接触，防止晶圆201同时与两个承载盘101相接触时同时污染两个承载盘101。在一种具体实施方式中，所述驱动器102包括马达1021，所述马达1021的输出轴1022连接到所述承载盘101，所述输出轴1022的输出量决定了所述承载盘101在竖直方向上的升降。在一种具体实施方式中，所述马达1021的数目为两个。在一种更优的具体实施方式中，当所述承载盘101关于过所述承载盘101所在平面的某轴对称时，两个马达1021的输出轴1022分别设置到该对称轴的两侧，连接到所述承载盘101上关于该对称轴对称的位置，且两个马达1021的输出量由同一控制器控制，能够使所述承载盘101受力均衡，升降平稳，不会出现一侧升降量与另一侧升降量本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆承载装置，其特征在于，包括：第一承载盘和第二承载盘，沿竖直方向平行排列，均用于承载晶圆；驱动器，连接所述第一承载盘和第二承载盘，用于分别驱动所述第一承载盘和第二承载盘沿竖直方向做升降运动；所述第一承载盘设置有第一容纳腔，所述第二承载盘在竖直方向上的投影在所述第一容纳腔内。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆承载装置，其特征在于，包括：第一承载盘和第二承载盘，沿竖直方向平行排列，均用于承载晶圆；驱动器，连接所述第一承载盘和第二承载盘，用于分别驱动所述第一承载盘和第二承载盘沿竖直方向做升降运动；所述第一承载盘设置有第一容纳腔，所述第二承载盘在竖直方向上的投影在所述第一容纳腔内。2.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述第一承载盘的第一容纳腔的尺寸小于待承载的晶圆的直径。3.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述第一承载盘和第二承载盘均设置有真空孔，用于吸附放置在所述承载盘表面的晶圆。4.根据权利要求3所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述真空孔的数目大于1，均匀分布于所述第一承载盘和第二承载盘表面。5.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述驱动器包括马达，所述马达的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李丹，高英哲，张文福，刘家桦，叶日铨，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32