The utility model relates to a cavity cleaning device, which includes: a plasma generating unit installed to the cavity to be cleaned for generating plasma in the cavity to be cleaned; a focusing unit installed to the cavity to be cleaned for focusing the plasma in the cavity to be cleaned into the area to be cleaned; and a focusing unit comprising a DC coil connected with a DC power supply and installed to the area to be cleaned. Cavity, used to generate a magnetic field to focus the plasma in the cavity to be cleaned on the inner surface of the cavity to be cleaned; driver, connected to the DC coil, used to drive the DC coil to rotate. The cavity cleaning equipment of the utility model has a plasma generating unit, which can inject plasma into the cavity to be cleaned, and a focusing unit, which can focus the plasma in the cavity to be cleaned to the area to be cleaned. Therefore, when plasma is used to clean the cavity, the main cleaning area of the plasma can be controlled so as to obtain better results. Cleaning effect.
【技术实现步骤摘要】
腔体清洗设备
本技术涉及晶圆生产制造加工设备领域,具体涉及一种腔体清洗设备。
技术介绍
现在的半导体300mm设备中非金属腔体(Chamber)会用干法清洗(Dryclean)工艺进行清洗,例如半导体外延工艺(EPI,即Epitaxy)中所使用到的非金属腔体等。以半导体外延工艺举例,在对半导体外延工艺的腔体进行清洗时,首先使用红外灯管将腔体加热到1300℃左右,再流入10至100L卤素气体(Halogengas)。在卤素气体将腔体的内壁表面的硅反应完之后,会生成气态的硅氯化物,再通过排气装置将残余气体排出腔体。目前所采用的干法清洗方法存在很大缺陷,主要是卤素气体的利用率极低,只有百分之几,另外由于无法判断干法清洗之后的清洁程度,因此一般都会采用多通入卤素气体(Excesshalogengas),以及增加反应时间(Overtime)等方式进行过刻蚀,以来保证所述腔体的干净程度。现有技术中,提高卤素气体的刻蚀率(Etchrate)的方法有两种,分别为提高腔体温度和增大卤素气体流量。由于非金属腔体一般为石英腔体,随意的提高腔体温度容易造成石英的软化现象,且设备能耗急剧增大。而增大卤素气体的流量也会浪费大量昂贵的卤素气体,进一步的降低卤素气体的利用率,成本过高。目前急需要一种既能保证腔体清洗后的清洁程度,又能降低清洗腔体所需的物料成本和能耗的方法。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种腔体清洗设备,既能保证腔体清洗后的清洁程度,又能降低清洗腔体所需的物料成本和能耗。为了解决上述技术问题,本技术提供了一种腔体清洗设备,包括:等离子体发生单元,安装至待清洗腔体,用于在所述待 ...
【技术保护点】
1.一种腔体清洗设备,其特征在于,包括:等离子体发生单元,安装至待清洗腔体,用于在所述待清洗腔体内产生等离子体;聚焦单元,安装至所述待清洗腔体,用于将待清洗腔体内的等离子体聚焦到待清洗区域;所述聚焦单元包括:直流线圈,连接有直流电源,安装至待清洗腔体,用于产生磁场以将待清洗腔体内的等离子体聚焦到待清洗腔体的待清洗区域;驱动器,连接至所述直流线圈,用于驱动所述直流线圈旋转。
【技术特征摘要】
1.一种腔体清洗设备,其特征在于,包括:等离子体发生单元,安装至待清洗腔体,用于在所述待清洗腔体内产生等离子体;聚焦单元,安装至所述待清洗腔体,用于将待清洗腔体内的等离子体聚焦到待清洗区域;所述聚焦单元包括:直流线圈,连接有直流电源,安装至待清洗腔体,用于产生磁场以将待清洗腔体内的等离子体聚焦到待清洗腔体的待清洗区域;驱动器,连接至所述直流线圈,用于驱动所述直流线圈旋转。2.根据权利要求1所述的腔体清洗设备,其特征在于,所述等离子体发生单元包括:气体喷孔,安装至待清洗腔体,用于向待清洗腔体内通入清洗气体;射频线圈,设置于待清洗腔体外,并环绕所述待清洗腔体设置,用于朝向待清洗腔体发射射频信号,使清洗气体解离成等离子体;射频发生器,连接到所述射频线圈,用于给所述射频线圈提供产生射频信号所用的激励磁场。3.根据权利要求2所述的腔体清洗设备,其特征在于,所述射频线圈的结构为同心圆型、U型或哑铃型中的任意一种,且所述射频线圈为中空的射频线圈,内部充入有冷却液或冷却气体,用于对所述射频线圈进行冷却降温。4.根据权利要求3所述的腔体清洗设备,其特征在于,所述射频线圈的结构为同心圆型,至少具有5圈。5.根据权利要求2所述的腔体清洗...
【专利技术属性】
技术研发人员:李国强,林宗贤,吴孝哲,
申请(专利权)人:德淮半导体有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏,32
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