一种显示面板及显示装置制造方法及图纸

技术编号:21303646 阅读:36 留言:0更新日期:2019-06-12 09:02
本发明专利技术公开了一种显示面板及显示装置,显示面板包括基板以及位于基板上的多个像素单元,每个像素单元包括驱动电路和发光元件,驱动电路位于基板与发光元件之间,驱动电路用于驱动对应的发光元件发光;至少一个发光元件为micro LED;对于发光元件为micro LED的像素单元,驱动电路至少包括第一薄膜晶体管,第一薄膜晶体管的源极和漏极位于源漏极层,micro LED的第一电极与对应的第一薄膜晶体管的源极或者漏极电连接;发光元件为micro LED的像素单元还包括一个金属结构,金属结构位于基板与源漏极层之间,与micro LED的第一电极电连接的第一薄膜晶体管的源极或者漏极与金属结构电连接。通过本发明专利技术的技术方案,有效降低了micro LED的温度,改善了micro LED发光效率降低的问题。

A Display Panel and Display Device

The invention discloses a display panel and a display device. The display panel includes a base plate and a plurality of pixel units on the base plate. Each pixel unit includes a driving circuit and a light-emitting element. The driving circuit is located between the base plate and the light-emitting element, and the driving circuit is used to drive the corresponding light-emitting element to emit light; at least one light-emitting element is a micro LED; for the light-emitting element, it is a micro LE. The driving circuit includes at least the first thin film transistor. The source and drain of the first thin film transistor are located in the source and drain layer. The first electrode of the micro LED is connected with the source or drain of the corresponding first thin film transistor. The pixel unit of the micro LED also includes a metal structure, which is located between the substrate and the source and drain layer and is connected with the micro LED. The source or drain of the first thin film transistor electrically connected with the first electrode is electrically connected with the metal structure. Through the technical scheme of the invention, the temperature of the micro LED is effectively reduced, and the problem of reducing the luminous efficiency of the micro LED is improved.

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板及显示装置
本专利技术实施例涉及显示
,尤其涉及一种显示面板及显示装置。
技术介绍
随着显示技术的不断发展,microLED(MicroLightEmittingDiode,微型发光二极管)由于其尺寸小、发光效率高以及耗能低等优点逐渐被应用于显示领域,例如目前的全面屏智能手机为了解决设置前置摄像头等光学电子元件,需要在手机的显示屏的上端中间位置设置挖空区域并在挖空区域内设置光学电子元件而导致的显示面板的显示区面积减小的问题,可以利用microLED的尺寸远远小于有机发光元件的尺寸的特点,在显示面板中用于设置光学电子元件的区域采用microLED实现高透显示。针对集成有microLED的显示面板,目前采用的显示面板的制作方法是将microLED直接绑定在设置有驱动电路的阵列基板上,但是microLED的芯片材料内存在的缺陷会在温度较高时快速增殖与繁衍,导致缺陷侵入microLED的发光层,形成大量的非辐射复合中心,使得microLED的发光效率降低,microLED的寿命降低,且温度越高microLED的寿命越短,影响显示面板的使用寿命。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供一种显示面板及显示装置,有效降低了microLED的温度,进而改善了microLED由于温度升高而导致的缺陷侵入microLED发光层,microLED发光效率降低,microLED寿命降低的问题。第一方面,本专利技术实施例提供了一种显示面板,显示面板包括:基板以及位于所述基板上的多个像素单元,每个所述像素单元包括驱动电路和发光元件,所述驱动电路位于所述基板与所述发光元件之间,所述驱动电路用于驱动对应的所述发光元件发光;至少一个发光元件为microLED;对于所述发光元件为microLED的像素单元,所述驱动电路至少包括第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的源极和漏极位于源漏极层,所述microLED的第一电极与对应的所述第一薄膜晶体管的源极或者漏极电连接;所述发光元件为microLED的像素单元还包括一个金属结构,所述金属结构位于所述基板与所述源漏极层之间,与所述microLED的第一电极电连接的所述第一薄膜晶体管的源极或者漏极与所述金属结构电连接。第二方面,本专利技术实施例还提供了一种显示装置,包括如第一方面的显示面板。本专利技术实施例提供了一种显示面板及显示装置,设置显示面板包括基板以及位于基板上的多个像素单元,每个像素单元包括驱动电路和发光元件,驱动电路位于基板与发光元件之间,驱动电路用于驱动对应的发光元件发光。设置至少一个发光元件为microLED,对于发光元件为microLED的像素单元,驱动电路至少包括第一薄膜晶体管,第一薄膜晶体管的源极和漏极位于源漏极层,microLED的第一电极与对应的第一薄膜晶体管的源极或者漏极电连接,且发光元件为microLED的像素单元还包括一个金属结构,金属结构位于基板与源漏极层之间,与microLED的第一电极电连接的第一薄膜晶体管的源极或者漏极与金属结构电连接,这样,利用与microLED的第一电极电连接的第一薄膜晶体管的源极或者漏极以及与microLED的第一电极电连接的金属结构作为microLED的散热结构,有效降低了microLED的温度,进而改善了microLED由于温度升高而导致的缺陷侵入microLED发光层,microLED发光效率降低,microLED寿命降低的问题。附图说明通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显:图1为本专利技术实施例提供的一种显示面板的俯视结构示意图;图2为本专利技术实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图;图3为本专利技术实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图;图4为本专利技术实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图;图5为本专利技术实施例提供的另一种显示面板的俯视结构示意图;图6为本专利技术实施例提供的另一种显示面板的俯视结构示意图;图7为本专利技术实施例提供的另一种显示面板的俯视结构示意图;图8为本专利技术实施例提供的另一种显示面板的俯视结构示意图;图9为本专利技术实施例提供的另一种显示面板的俯视结构示意图;图10为本专利技术实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图;图11为本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术,而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。贯穿本说明书中,相同或相似的附图标号代表相同或相似的结构、元件或流程。需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。本专利技术实施例提供了一种显示面板,显示面板包括基板以及位于基板上的多个像素单元,每个像素单元包括驱动电路和发光元件,驱动电路位于基板与发光元件之间,驱动电路用于驱动对应的发光元件发光。至少一个发光元件为microLED,对于发光元件为microLED的像素单元,驱动电路至少包括第一薄膜晶体管,第一薄膜晶体管的源极和漏极位于源漏极层,microLED的第一电极与对应的第一薄膜晶体管的源极或者漏极电连接。发光元件为microLED的像素单元还包括一个金属结构,金属结构位于基板与源漏极层之间,与microLED的第一电极电连接的第一薄膜晶体管的源极或者漏极与金属结构电连接。随着显示技术的不断发展,microLED(MicroLightEmittingDiode,微型发光二极管)由于其尺寸小、发光效率高以及耗能低等优点逐渐被应用于显示领域,例如目前的全面屏智能手机为了解决设置前置摄像头等光学电子元件,需要在手机的显示屏的上端中间位置设置挖空区域并在挖空区域内设置光学电子元件而导致的显示面板的显示区面积减小的问题,可以利用microLED的尺寸远远小于有机发光元件的尺寸的特点,在显示面板中用于设置光学电子元件的区域采用microLED实现高透显示。针对集成有microLED的显示面板,目前采用的显示面板的制作方法是将microLED直接绑定在设置有驱动电路的阵列基板上,但是microLED的芯片材料内存在的缺陷会在温度较高时快速增殖与繁衍,导致缺陷侵入microLED的发光层,形成大量的非辐射复合中心,使得microLED的发光效率降低,microLED的寿命降低,且温度越高microLED的寿命越短,影响显示面板的使用寿命。本专利技术实施例提供的显示面板包括基板以及位于基板上的多个像素单元,每个像素单元包括驱动电路和发光元件,驱动电路位于基板与发光元件之间,驱动电路用于驱动对应的发光元件发光。设置至少一个发光元件为microLED,对于发光元件为microLED的像素单元,驱动电路至少包括第一薄膜晶体管,第一薄膜晶体管的源极和漏极位于源漏极层,microLED的第一电极与对应的第一薄膜晶体管的源极或者漏极电连接,且发光元件为microLED的像素单元还包括一个金属结构,金属结构位于基板与源漏极层之间,与microLED的第一电极电连接的第一薄膜晶体管的源极或者漏极与金属结构电连接,这样,利用与microLED的第一电极电连接的第一薄膜晶体管的源极或者本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:基板以及位于所述基板上的多个像素单元,每个所述像素单元包括驱动电路和发光元件,所述驱动电路位于所述基板与所述发光元件之间,所述驱动电路用于驱动对应的所述发光元件发光;至少一个发光元件为micro LED;对于所述发光元件为micro LED的像素单元,所述驱动电路至少包括第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的源极和漏极位于源漏极层,所述micro LED的第一电极与对应的所述第一薄膜晶体管的源极或者漏极电连接;所述发光元件为micro LED的像素单元还包括一个金属结构,所述金属结构位于所述基板与所述源漏极层之间,与所述micro LED的第一电极电连接的所述第一薄膜晶体管的源极或者漏极与所述金属结构电连接。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:基板以及位于所述基板上的多个像素单元,每个所述像素单元包括驱动电路和发光元件,所述驱动电路位于所述基板与所述发光元件之间,所述驱动电路用于驱动对应的所述发光元件发光;至少一个发光元件为microLED;对于所述发光元件为microLED的像素单元,所述驱动电路至少包括第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的源极和漏极位于源漏极层,所述microLED的第一电极与对应的所述第一薄膜晶体管的源极或者漏极电连接;所述发光元件为microLED的像素单元还包括一个金属结构,所述金属结构位于所述基板与所述源漏极层之间,与所述microLED的第一电极电连接的所述第一薄膜晶体管的源极或者漏极与所述金属结构电连接。2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述驱动电路还包括电容结构,所述电容结构包括相对设置的第一极板和第二极板,所述电容结构用于维持所述驱动电路中驱动晶体管的栅极电位;所述金属结构位于一层金属层,所述金属结构与所述第一极板、所述第二极板或者所述第一薄膜晶体管的栅极中的任意一个同层制作;或者,所述金属结构位于至少两层金属层,相邻两层所述金属层之间具有绝缘层,且相邻两层金属层通过位于两者之间的绝缘层中的过孔电连接,所述金属结构分别与所述第一极板、所述第二极板或者所述第一薄膜晶体管的栅极中的至少两个同层设置。3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述驱动电路还包括电容结构,所述电容结构包括相对设置的第一极板和第二极板,所述电容结构用于维持所述驱动电路中驱动晶体管的栅极电位;所述发光元件为microLED的像素单元还包括位于所述第一薄膜晶体管的有源层与所述基板之间的遮光结构,所述遮光结构在所述基板上的垂直投影覆盖对应的所述有源层的沟道区在所述基板上的垂直投影;所述金属结构位于一层金属层,所述金属结构与所述第一极板、所述第二极板、所述第一薄膜晶体管的栅极或者所述遮光结构中的任意一个同层制作;或者,所述金属结构位于至少两层金属层,相邻两层所述金属层之间具有绝缘层,且相邻两层金属层通过位于两者之间的绝缘层中的过孔电连接,所述金属结构分别与所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员:何泽尚禹少荣
申请(专利权)人:上海天马微电子有限公司
类型:发明
国别省市:上海,31

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