A method and an electronic circuit are disclosed. The method includes driving the transistor device in the on state by applying a driving voltage higher than the threshold voltage of the transistor device to the driving input, and adjusting the voltage level of the driving voltage based on the load signal indicating the current level of the load current through the transistor device, where the current level is the actual current level or the expected current level of the load current.
【技术实现步骤摘要】
用于驱动晶体管器件的方法和电子电路
本公开内容总体上涉及用于驱动晶体管器件的方法和电子电路。
技术介绍
电压控制的晶体管器件(诸如MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)或IGBT(绝缘栅双极型晶体管))被广泛地用作各种类型的应用中的电子开关。晶体管器件的导通状态中出现的传导损耗取决于晶体管器件的导通电阻和流过晶体管器件的负载电流。“导通电阻”是晶体管器件在导通状态中的电阻。传导损耗与导通电阻和负载电流的平方成比例。在诸如电动车辆的高电流应用中,在可能出现几百安培的负载电流的情况下,此类传导损耗可能相当大。因此存在对降低传导损耗的需要。
技术实现思路
一个示例涉及方法。该方法包括通过向驱动输入施加高于晶体管器件的阈值电压的驱动电压来在导通状态中驱动晶体管器件,以及基于表示通过晶体管器件的负载电流的电流水平的负载信号来调整驱动电压的电压水平。该电流水平是负载电流的实际电流水平或预期电流水平。另一示例涉及具有驱动电路的电子电路。该驱动电路被配置成在被配置成具有与其连接的晶体管器件的驱动输入的驱动输出处生成高于晶体管器件的阈值电压的驱动电压,以及基于表示通过晶体管器件的负载电流的电流水平的负载信号来调整驱动电压的电压水平。该电流水平是负载电流的实际电流水平或预期电流水平。附图说明下面参考附图来解释示例。附图用来图示某些原理,以便仅图示理解这些原理所必要的方面。附图并未按照比例。在附图中,相同的参考字符表示相似的特征。图1示出包括晶体管器件和被配置成驱动晶体管器件的驱动电路的电子电路的一个示例;图2示出图示用于在导通状态中驱动晶体管器件的方法的一个示例的流程图;图 ...
【技术保护点】
1.一种方法,包括:通过向驱动输入施加高于晶体管器件的阈值电压的驱动电压来在导通状态中驱动晶体管器件,以及基于表示通过晶体管器件的负载电流的电流水平的负载信号来调整驱动电压的电压水平,其中该电流水平是负载电流的实际电流水平或预期电流水平。
【技术特征摘要】
2017.11.23 DE 102017127752.81.一种方法,包括:通过向驱动输入施加高于晶体管器件的阈值电压的驱动电压来在导通状态中驱动晶体管器件,以及基于表示通过晶体管器件的负载电流的电流水平的负载信号来调整驱动电压的电压水平,其中该电流水平是负载电流的实际电流水平或预期电流水平。2.根据权利要求1所述的方法,其中调整电压水平包括从从最小电压水平变动至最大电压水平的电压水平范围中选择电压水平。3.根据权利要求2所述的方法,其中选择电压水平包括选择至少两个离散的电压水平中的一个。4.根据权利要求2或3所述的方法,其中该最小电压水平和最大电压水平中的每个与晶体管器件的统计寿命相关联,以及其中与最大电压水平相关联的统计寿命小于与最小电压水平相关联的统计寿命的10%。5.根据权利要求4所述的方法,其中该统计寿命与失效率相关联,以及其中从10-1和10-6之间选择与寿命相关联的失效率。6.根据权利要求4或5所述的方法,其中与最小电压水平相关联的统计寿命大于10年、大于50年或大于100年。7.根据权利要求2至6中的任一项所述的方法,其中最大电压水平和最小电压水平之间的差大于5V、大于10V或大于15V。8.根据前述权利要求中的任一项所述的方法,其中该晶体管器件选自由以下各项组成的组:硅(Si)MOSFET;碳化硅(SiC)MOSFET;以及IGBT。9.根据前述权利要求中的任一项所述的方法,其中该晶体管器件具有高于400V、高于600V或高于800V的电压阻断能力。10.根据权利要求1至9中的任一项所述的方法,进一步包括:基于测...
【专利技术属性】
技术研发人员:W勒斯勒,A毛德,
申请(专利权)人:英飞凌科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:德国,DE
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。