The invention discloses an antenna based on CMOS technology, including a substrate, a dielectric layer and a metal layer. The upper surface of the substrate is provided with a dielectric layer, and the upper surface of the dielectric layer is provided with a metal layer. The metal layer includes a patch, a microstrip line, a transition mechanism and a coplanar waveguide mechanism. The patch is located at the center of the dielectric layer, and one end of the microstrip line is connected to one side of the patch. The other end is connected with a coplanar waveguide mechanism through a transition mechanism, which is arranged at one end of the dielectric layer. The advantages of the present invention are that the antenna integrated on the chip is more conducive to the miniaturization and high density integration of the whole system, matching and interconnecting the antenna with the chip or other devices, reducing the loss of interconnection with other circuits and devices, having good consistency and low cost.
【技术实现步骤摘要】
一种基于CMOS工艺的天线
本专利技术涉及无线通讯
,具体为一种基于CMOS工艺的天线。
技术介绍
CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor),互补金属氧化物半导体,电压控制的一种放大器件,是组成CMOS数字集成电路的基本单元。无线通讯技术是利用电磁波信号可以在自由空间中传播的特性进行信息交换的一种通讯方式,随着无线通讯技术的不断发展,对系统集成提出了小尺寸、低成本、高性能、高集成等更多挑战与要求。无线通讯系统都是依靠天线进行电磁波传递信息的,因而天线作为大面积的无源器件对系统一体化集成的性能与集成度有着重要意义。而传统制备的天线只能与芯片分开连接,不能集成,一致性较差,体积大,而且天线与其他集成电路连接时匹配难度大。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于:传统制备的天线只能与芯片分开连接,不能集成,一致性较差,体积大,而且天线与其他集成电路连接时匹配难度大。为解决上述技术问题,本专利技术提供如下技术方案:一种基于CMOS工艺的天线,包括衬底、介质层和金属层,所述衬底的上表面设有介质层,所述介质层的上表面设有金属层。所述金属层包括贴片、微带线、过渡机构和共面波导机构,所述贴片设置在介质层的中心位置,所述微带线的一端连接贴片的一侧,另一端通过过渡机构连接共面波导机构,所述共面波导机构设置在介质层的一端。优选地,CMOS工艺采用CMOS65nm工艺。优选地,CMOS工艺具体工作步骤如下:步骤1:在衬底的上表面涂覆介质层;步骤2:在介质层上沉积金属层。优选地,所述共面波导机构为对称共面波导机构,包括中心带和接 ...
【技术保护点】
1.一种基于CMOS工艺的天线,其特征在于:包括衬底、介质层和金属层,所述衬底的上表面设有介质层,所述介质层的上表面设有金属层;所述金属层包括贴片、微带线、过渡机构和共面波导机构,所述贴片设置在介质层的中心位置,所述微带线的一端连接贴片的一侧,另一端通过过渡机构连接共面波导机构,所述共面波导机构设置在介质层的一端。
【技术特征摘要】
1.一种基于CMOS工艺的天线,其特征在于:包括衬底、介质层和金属层,所述衬底的上表面设有介质层,所述介质层的上表面设有金属层;所述金属层包括贴片、微带线、过渡机构和共面波导机构,所述贴片设置在介质层的中心位置,所述微带线的一端连接贴片的一侧,另一端通过过渡机构连接共面波导机构,所述共面波导机构设置在介质层的一端。2.根据权利要求1所述的一种基于CMOS工艺的天线,其特征在于:CMOS工艺采用CMOS65nm工艺。3.根据权利要求1所述的一种基于CMOS工艺的天线,其特征在于:CMOS工艺具体工作步骤如下:步骤1:在衬底的上表面涂覆介质层;步骤2:在介质层上沉积金属层。4.根据权利要求1所述的一种基于CMOS工艺的天线,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:周杨,李旺,张根烜,段宗明,吴博文,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第三十八研究所,
类型:发明
国别省市:安徽,34
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