一种VR供电装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种VR供电装置，属于电子设备技术领域，包括多个供电口和控制芯片，多个供电口分别电连接有降压式变换电路，多个降压式变换电路并联，多个降压式变换电路分别与控制芯片电连接；降压式变换电路包括第一MOS管、第二MOS管、电感和电容，第一MOS管与第二MOS管的栅极分别与控制芯片的输出端电连接，第一MOS管的漏极与供电口电连接，第一MOS管的源极分别与电感的一端和第二MOS管的漏极电连接，电感的另一端与电容电连接，电容的另一端与第二MOS管的源极并联接地，各个降压式变换电路中的电感和电容分别与输出端口电连接，本设计可实现多个供电口并联供电，有效提高输出功率。

A VR Power Supply Device

The utility model discloses a VR power supply device, which belongs to the technical field of electronic equipment, comprising a plurality of power supply ports and control chips, which are electrically connected with a step-down converter circuit, a plurality of step-down converter circuits in parallel, and a plurality of step-down converter circuits electrically connected with a control chip respectively. The step-down converter circuit includes a first MOS tube, a second MOS tube, inductors and capacitors. The gate of the first MOS transistor and the second MOS transistor are electrically connected with the output of the control chip, the drain of the first MOS transistor is electrically connected with the supply port, the source of the first MOS transistor is electrically connected with the drain of the inductor and the second MOS transistor, the other end of the inductor is electrically connected with the capacitor, the other end of the capacitor is grounded in parallel with the source of the second MOS transistor, and the The capacitors are electrically connected with the output ports respectively. This design can realize parallel power supply of multiple power supply ports and effectively improve the output power.

【技术实现步骤摘要】
一种VR供电装置
本技术属于电子设备
，具体涉及一种VR供电装置。
技术介绍
目前的电子市场上，USB接口应用极其广泛，其中可以提供高功率的TypeC接口虽然已经投入应用，但是仍未普及，普通的USB2.0与USB3.0接口仍为主流，而USB2.0结构只能提供500mA电流，USB3.0接口智能提供900mA电流。很多设备，如PCVR等，如果不适用USB接口，则无法适配用户设备，如果使用USB接口，需求的电流极易超过USB3.0接口的上限。这种困境极大的限制了此类适配电脑的大功率设备的发展，而多个供电口不能直接并联使用，否则会造成供电设备损坏。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是：提供一种VR供电装置，可实现多个供电口并联供电，有效提高输出功率。为解决上述技术问题，本技术的技术方案是：一种VR供电装置，包括多个供电口和控制芯片，多个所述供电口分别电连接有降压式变换电路，多个所述降压式变换电路并联，多个所述降压式变换电路分别与所述控制芯片电连接；所述降压式变换电路包括第一MOS管、第二MOS管、电感和电容，所述第一MOS管与所述第二MOS管的栅极分别与所述控制芯片的输出端电连接，所述第一MOS管的漏极与所述供电口电连接，所述第一MOS管的源极分别与所述电感的一端和所述第二MOS管的漏极电连接，所述电感的另一端与所述电容电连接，所述电容的另一端与所述第二MOS管的源极并联接地，各所述降压式变换电路中的所述电感和所述电容分别与输出端口电连接。进一步的，所述第一MOS管和所述第二MOS管均为NMOS管。进一步的，多个所述供电口分别与所述控制芯片的输入端电连接。进一步的，所述控制芯片为STM32控制器、PLC控制器或SOC芯片。进一步的，所述控制芯片的电源端电连接有工作电源。进一步的，所述供电口设有两个。进一步的，所述降压式变换电路设有两个。采用了上述技术方案后，本技术的有益效果是：由于本技术的VR供电装置，包括多个供电口和控制芯片，多个供电口分别电连接有降压式变换电路，多个降压式变换电路并联，多个降压式变换电路分别与控制芯片电连接；降压式变换电路包括第一MOS管、第二MOS管、电感和电容，第一MOS管与第二MOS管的栅极分别与控制芯片的输出端电连接，第一MOS管的漏极与供电口电连接，第一MOS管的源极分别与电感的一端和第二MOS管的漏极电连接，电感的另一端与电容电连接，电容的另一端与第二MOS管的源极并联接地，各降压式变换电路中的电感和电容分别与输出端口电连接，控制芯片可分别控制第一MOS管与第二MOS管的导通和关断，实现了多个供电口向同一个输出端供电，且输出功率为多个供电口输入功率之和，满足了VR设备的功率要求。附图说明图1是本技术VR供电装置的电路原理图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。如图1所示，一种VR供电装置，包括多个供电口和控制芯片，多个供电口分别电连接有降压式变换电路(Buck电路)，多个降压式变换电路并联，多个降压式变换电路分别与控制芯片U1电连接。降压式变换电路包括第一MOS管、第二MOS管、电感和电容，第一MOS管与第二MOS管的栅极G分别与控制芯片的输出端电连接，第一MOS管的漏极D与供电口电连接，第一MOS管的源极S分别与电感的一端和第二MOS管的漏极D电连接，电感的另一端与电容电连接，电容的另一端与第二MOS管的源极S并联接地，各降压式变换电路中的电感和电容分别与输出端口Vout电连接。基于降压式变换电路原理，实现了对多个供电口的隔离，使多个供电口可以并联供电，输出端口Vout的输出功率为各个降压式变换电路输出功率之和，从而解决了单一供电口无法满足VR设备功率要求的问题。如图1所示，本实施方式中优选供电口设有两个，降压式变换电路设有两个，供电口Vin1连接的降压式变换电路包括第一MOS管H_MOS1、第二MOS管L_MOS1、电感L1和电容C1，供电口Vin2连接的降压式变换电路包括第一MOS管H_MOS2、第二MOS管L_MOS2、电感L2和电容C2。其中第一MOS管H_MOS1、H_MOS2和第二MOS管L_MOS1、L_MOS2均为NMOS管。控制芯片U1的电源端电连接有工作电源VDD，控制芯片可以为STM32控制器、PLC控制器或SOC芯片。如图1所示，供电口Vin1和Vin2分别与控制芯片U1的输入端a1和a2电连接，控制芯片U1可侦测供电口Vin1和Vin2的电压，判断供电口Vin1和Vin2是否有接入，从而自动关断未接入电源的降压式变换电路。同时通过侦测供电口Vin1和Vin2的电压，判断供电口Vin1和Vin2接入电源的状况，从而动态调节两个降压式变换电路之间的功率分配。例如，供电口Vin1为USB2.0接口供电,供电口Vin2为USB3.0接口供电时，通过调整第一MOS管H_MOS1、H_MOS2和第二MOS管L_MOS1、L_MOS2，使大部分的电流由第二个降压式变换电路提供。本技术的VR供电装置通过设置分别与多个供电口电连接的多个降压式变换电路，实现了对多个供电口的隔离，使多个供电口可以并联供电，满足了VR设备的功率要求。虽然以上描述了本技术的具体实施方式，但是本领域的技术人员应该理解，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例，这些仅仅是举例说明，本技术的保护范围是由所述权利要求书限定。本领域的技术人员在不背离本技术的原理和实质的前提下，在没有经过任何创造性的劳动下，可以对这些实施方式做出多种变更或修改，但这些变更和修改均落入本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种VR供电装置，其特征在于，包括多个供电口和控制芯片，多个所述供电口分别电连接有降压式变换电路，多个所述降压式变换电路并联，多个所述降压式变换电路分别与所述控制芯片电连接；所述降压式变换电路包括第一MOS管、第二MOS管、电感和电容，所述第一MOS管与所述第二MOS管的栅极分别与所述控制芯片的输出端电连接，所述第一MOS管的漏极与所述供电口电连接，所述第一MOS管的源极分别与所述电感的一端和所述第二MOS管的漏极电连接，所述电感的另一端与所述电容电连接，所述电容的另一端与所述第二MOS管的源极并联接地，各所述降压式变换电路中的所述电感和所述电容分别与输出端口电连接。

【技术特征摘要】
1.一种VR供电装置，其特征在于，包括多个供电口和控制芯片，多个所述供电口分别电连接有降压式变换电路，多个所述降压式变换电路并联，多个所述降压式变换电路分别与所述控制芯片电连接；所述降压式变换电路包括第一MOS管、第二MOS管、电感和电容，所述第一MOS管与所述第二MOS管的栅极分别与所述控制芯片的输出端电连接，所述第一MOS管的漏极与所述供电口电连接，所述第一MOS管的源极分别与所述电感的一端和所述第二MOS管的漏极电连接，所述电感的另一端与所述电容电连接，所述电容的另一端与所述第二MOS管的源极并联接地，各所述降压式变换电路中的所述电感和所述电容分别...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁林，
申请(专利权)人：潍坊歌尔电子有限公司，
类型：新型
国别省市：山东,37