The gate of the semiconductor switching elements (16A, 16B) is connected with the gate control wiring pattern (9). The gate control wiring pattern (9) is also connected to the gate control terminal (5) and to the filter terminal (23) for an external connection filter forming element of the frame (2). The filter uses terminals (23) and gate control terminals (5) to electrically connect the gate control terminals (5) and the filter terminals (23) in the gate control wiring pattern (9) in an overlapping manner with at least a part of the interval of the electrical connection between the gate of the semiconductor switching elements (16A, 16B) and the gate control wiring pattern (9).
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电力用半导体模块以及电力用半导体装置
本专利技术涉及电力用半导体模块以及电力用半导体装置,特别涉及具备并行动作的多个半导体元件的电力用半导体模块、以及具备并行动作的多个电力用半导体模块的电力用半导体装置。
技术介绍
在逆变器、转换器等电力变换装置中使用的绝缘型的电力用半导体模块中,一般,在成为散热板的金属板上设置的绝缘层上形成布线图案,在布线图案上设置晶体管、二极管等电力用半导体元件。并且,电力用半导体元件通过导线键合等与外部端子等连接,利用树脂等密封。为了实现以大电流进行开关动作的电力用半导体模块,采用在模块内搭载多个半导体元件而并行动作的方式。然而,即使在并行动作的多个半导体元件具有相互等同的特性的情况下,由于模块内的布线的偏差,在使多个半导体元件并行动作时可能在开关特性中产生偏差。另外,在并行动作的多个半导体元件的数量增加时,由于元件配置面积的增加、布线的复杂化等,并行动作的多个半导体元件之间的寄生电感增加。起因于这样的并行动作的多个半导体元件的动作偏差和元件之间的寄生电感的增加,有可能发生半导体元件的寄生电容和元件之间的寄生电感所致的被称为所谓“栅极振荡”的振荡。栅极振荡除了成为半导体元件的劣化、破坏等的原因以外,还可能成为向模块外部的放射噪声、向外部电路的传导噪声等的原因。关于栅极振荡的抑制,已知如专利文献1记载,通过对半导体元件的栅极布线串联地连接电阻来抑制栅极振荡(参照专利文献1)。另外,在专利文献2中,公开了通过对并联连接的多个半导体元件的发射极布线并联地连接电阻来抑制栅极振荡(参照专利文献2)。另一方面,作为使成为栅极振荡的主要原因的开关 ...
【技术保护点】
1.一种电力用半导体模块,具备:并行动作的第1多个半导体元件;框体,容纳所述第1多个半导体元件;以及第1及第2外部端子,连接于与所述第1多个半导体元件的相互对应的端子连接的第1布线,用于将设置于所述框体的外部的第1滤波器形成用元件与所述第1布线电连接,所述第1及第2外部端子以如下方式与所述第1布线连接:在所述第1布线中,对所述第1外部端子和所述第2外部端子进行电连接的区间包括所述第1多个半导体元件并行动作时的所述第1布线上的通电区域的至少一部分。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.09.23 JP 2016-1854641.一种电力用半导体模块,具备:并行动作的第1多个半导体元件;框体,容纳所述第1多个半导体元件;以及第1及第2外部端子,连接于与所述第1多个半导体元件的相互对应的端子连接的第1布线,用于将设置于所述框体的外部的第1滤波器形成用元件与所述第1布线电连接,所述第1及第2外部端子以如下方式与所述第1布线连接:在所述第1布线中,对所述第1外部端子和所述第2外部端子进行电连接的区间包括所述第1多个半导体元件并行动作时的所述第1布线上的通电区域的至少一部分。2.根据权利要求1所述的电力用半导体模块,其中,所述第1及第2外部端子以如下方式与所述第1布线连接:使所述区间与在所述第1布线中对所述相互对应的端子进行电连接的区间的至少一部分重叠。3.根据权利要求1所述的电力用半导体模块,其中,还具备电容器,该电容器在所述框体的外部在所述第1及第2外部端子之间电连接,构成所述第1滤波器形成用元件。4.根据权利要求3所述的电力用半导体模块,其中,还具备电阻元件,该电阻元件在所述框体的外部与所述电容器串联地电连接,构成所述第1滤波器形成用元件。5.根据权利要求3所述的电力用半导体模块,其中,还具备电阻元件,该电阻元件在所述框体的外部与所述电容器并联地电连接,构成所述第1滤波器形成用元件。6.根据权利要求1所述的电力用半导体模块,其中,还具备整流型半导体元件,该整流型半导体元件在所述框体的外部在所述第1及第2外部端子之间电连接,构成所述第1滤波器形成用元件。7.根据权利要求6所述的电力用半导体模块,其中,还具备电阻元件,该电阻元件在所述框体的外部与所述整流型半导体元件并联地电连接,构成所述第1滤波器形成用元件。8.根据权利要求1所述的电力用半导体模块,其中,还具备自消弧型的半导体开关元件,该自消弧型的半导体开关元件在所述框体的外部在所述第1及第2外部端子之间电连接,构成所述第1滤波器形成用元件。9.根据权利要求8所述的电力用半导体模块,其中,还具备电阻元件,该电阻元件在所述框体的外部与所述半导体开关元件并联地电连接,构成所述第1滤波器形成用元件。10.根据权利要求8所述的电力用半导体模块,其中,还具备电阻元件,该电阻元件在所述框体的外部与所...
【专利技术属性】
技术研发人员:中岛纯一,玉田美子,中山靖,
申请(专利权)人:三菱电机株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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