The invention provides a method for manufacturing a micromechanical pressure sensor (100), which comprises the following steps: providing a MEMS wafer (10) with a silicon substrate (11) and a first cavity (13) below the sensor diaphragm (12), providing a second wafer (30), bonding the said micromechanical wafer (10) with the second wafer (30), and making the sensor core (12, 13, 13a) from the back side. A second cavity (18) is constructed between the sensor core (12, 13, 13a) and the surface of the silicon substrate (11), where the second cavity (18) is constructed by means of an etching process to limit the implementation of the altered etching parameters.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造应力解耦的微机械压力传感器的方法
本专利技术涉及一种用于制造微机械压力传感器的方法。本专利技术还涉及一种微机械压力传感器。
技术介绍
例如由DE102004006197A1已知微机械压力传感器,在所述微机械传感器中根据传感器膜片的变形测量压力差。在已知的微机械压力传感器中作为机电换能器使用的半导体电阻不仅接收由于作用到膜片上的压力影响而产生的机械应力,而且也接收由于机械干扰影响而产生的应力。在此,两种最重要的干扰影响如下:-在构造技术和连接技术(AVT)方面的耦合应力,该耦合应力通过以下因素产生:-在其上安装有传感器的电路板的变形,-壳体在温度的影响下、例如由于焊接的变形-所使用的粘接胶的温度变化特性-由于覆盖层的温度变化特性而产生的传感器元件的固有应力所提到的效应可以部分地通过合适的调整、例如在介电覆盖层的情况下克服。金属化以及AVT方面的耦合应力的影响与构件的历史(例如尤其在焊接时/之后的金属蠕变)明显相关。这不能通过在交付组件之前的调整来补偿。DE102015116353A1公开了一种具有机械解耦的微集成的封装MEMS传感器和为此的制造方法。在此,在SOI衬底上制造的压力传感器通过埋入的氧化物层的蚀刻、例如借助HF气相蚀刻从背侧露出。在此,蚀刻气体的导入通过之前挖到晶片背侧的硅中的进入孔实现。
技术实现思路
本专利技术的任务是,提供一种用于具有改善的运行特性的微机械压力传感器的替代制造方法。根据第一方面,所述任务通过用于制造微机械压力传感器的方法解决,所述方法具有以下步骤:-提供具有硅衬底和构造在该硅衬底中的、在传感器膜片下面的第一空腔的MEMS ...
【技术保护点】
1.用于制造微机械压力传感器(100)的方法,所述方法具有以下步骤:‑提供具有硅衬底(11)和构造在该硅衬底中的、在传感器膜片(12)下面的第一空腔(13)的MEMS晶片(10);‑提供第二晶片(30);‑使所述MEMS晶片(10)的下侧与所述第二晶片(30)的上侧键合;并且,‑使具有块状硅(13a)、所述传感器膜片(12)和所述第一空腔(13)的传感器芯(12、13、13a)从所述MEMS晶片(10)的上侧开始露出,其中,在传感器芯(12、13、13a)和所述硅衬底(11)的表面之间构造第二空腔(18),其中,借助蚀刻过程构造所述第二空腔(18),该蚀刻过程以与为了构造延伸到所述第二空腔(18)中的进入孔(17)所使用的蚀刻参数相比限定地改变了的蚀刻参数实施。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.10.14 DE 102016220077.11.用于制造微机械压力传感器(100)的方法,所述方法具有以下步骤:-提供具有硅衬底(11)和构造在该硅衬底中的、在传感器膜片(12)下面的第一空腔(13)的MEMS晶片(10);-提供第二晶片(30);-使所述MEMS晶片(10)的下侧与所述第二晶片(30)的上侧键合;并且,-使具有块状硅(13a)、所述传感器膜片(12)和所述第一空腔(13)的传感器芯(12、13、13a)从所述MEMS晶片(10)的上侧开始露出,其中,在传感器芯(12、13、13a)和所述硅衬底(11)的表面之间构造第二空腔(18),其中,借助蚀刻过程构造所述第二空腔(18),该蚀刻过程以与为了构造延伸到所述第二空腔(18)中的进入孔(17)所使用的蚀刻参数相比限定地改变了的蚀刻参数实施。2.根据权利要求1所述的方法,其中,为了构造所述第二空腔(18),所述蚀刻过程是深反应离子蚀刻过程,所述深反应离子蚀刻过程具有各向异性的开始和限定地各项同性的继续。3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,为了构造所述第二空腔(18),借助垂直的蚀刻过程在所述硅衬底(11)中产生进入开口(17),其中,所述垂直的蚀刻过程改变成侧面的蚀刻过程,其中,由所述侧面的蚀刻过程引起的球形蚀刻前沿共同生长。4.根据权利要求2或3所述的方法,其中,在所述深反应离子蚀刻过程之后移除该蚀刻过程的钝化和喷涂部分。5.根据权利要求1所述的方法,其中,整个蚀刻过程从开始就限定地各...
【专利技术属性】
技术研发人员:T·克拉默,T·弗里德里希,A·丹嫩贝格,J·弗里茨,
申请(专利权)人:罗伯特·博世有限公司,
类型:发明
国别省市:德国,DE
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