The invention discloses a coplanar waveguide-like gold wire bonding interconnection structure for millimeter-wave chip packaging, which includes millimeter-wave power amplifier chip, heat dissipation carrier and PCB coplanar waveguide. The millimeter-wave power amplifier chip is eutectically sintered onto the heat dissipation carrier, the heat dissipation carrier is embedded in the cavity structure, and the GSG PAD of the millimeter-wave power amplifier chip passes through the coplanar wave between the PCB coplanar waveguide. Gold wire bonding interconnection structure for interconnection. The invention interconnects a coplanar waveguide-like gold wire bonding interconnection structure between the GSG PAD of the millimeter wave power amplifier chip and the PCB coplanar waveguide, so that the transmission performance of the millimeter wave power amplifier chip no longer depends on the integrity of the ground surface, overcomes the influence of the ground surface defects on the transmission performance, and is compatible with the traditional printed circuit and the wire bonding process, and has simple structure and simple structure. With the advantages of easy implementation, it has good application prospects in the interconnection design of active and passive devices in millimeter wave and terahertz band.
【技术实现步骤摘要】
一种用于毫米波芯片封装的类共面波导金丝键合互连结构
本专利技术涉及毫米波及太赫兹频段芯片封装,具体为一种用于毫米波芯片封装的类共面波导金丝键合互连结构。
技术介绍
随着微波频段频谱资源的利用和开发,各种电子系统的工作频率已经从微波频段扩展到了毫米波及太赫兹频段。与微波相比,毫米波及太赫兹波具有波长短、频带宽、信息容量大等优势,毫米波及太赫兹波技术被广泛应用于通信、雷达、电子对抗、精确制导、生物医疗等领域。在毫米波及太赫兹频段,放大器能够放大毫米波及太赫兹频段的信号,是该频段收发系统的关键器件。功放MMIC(MicrowaveMonolithicIntegratedCircuit,微波单片集成电路)将直流功率转化为输出的射频功率,同时也提高了系统的集成度。一般来说,在毫米波及太赫兹频段的功放其效率大多在20%左右,其余大部分能量以热能的形式损耗掉。如果功放芯片工作时产生是热量不能及时的散出去,可能导致芯片工作不稳定,甚至烧毁芯片。所以,在进行系统设计时,必须考虑MMIC放大器芯片的散热问题。微带线作为微波集成电路中最广泛使用的传输线,具有设计简单、成本低廉、便于平面集成等优点,也一直沿用到毫米波及太赫兹频段。MMIC芯片的输入输出一般为GSGPAD结构,方便进行在片测试。GSG(GroundSignalGround,地-信号-地)PAD(引脚)结构本质上相当于一段很短的共面波导,中间的主线也可以作为微带线使用。当MMIC芯片与微带线互连时,通常是在微带线与芯片输入、输出微带之间键合金丝来实现互连,而芯片输入输出GSG结构的接地PAD通常被忽略使用。微带线作为 ...
【技术保护点】
1.一种用于毫米波芯片封装的类共面波导金丝键合互连结构,其特征在于,包括毫米波功放芯片、散热载体和PCB共面波导,所述毫米波功放芯片共晶烧结到散热载体上,所述散热载体嵌入到腔体结构中,所述毫米波功放芯片的GSG PAD与PCB共面波导之间通过类共面波导金丝键合互连结构进行互连。
【技术特征摘要】
1.一种用于毫米波芯片封装的类共面波导金丝键合互连结构,其特征在于,包括毫米波功放芯片、散热载体和PCB共面波导,所述毫米波功放芯片共晶烧结到散热载体上,所述散热载体嵌入到腔体结构中,所述毫米波功放芯片的GSGPAD与PCB共面波导之间通过类共面波导金丝键合互连结构进行互连。2.如权利要求1所述的用于毫米波芯片封装的类共面波导金丝键合互连结构,其特征在于,所述毫米波功放芯片的GSGPAD的主信号线与PCB共面波导的信号主线通过金丝键合连接,毫米波功放芯片的GSGPAD的两个地线分别与PCB共面波导的两个地线通过金丝键合连接,构成类共面波导金丝键合互连结构。3.如权利要求2所述的用于毫米波芯片封装的类共面波导金丝键合互连结构,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:张勇,吴成凯,朱华利,杜浩,徐锐敏,延波,
申请(专利权)人:电子科技大学,
类型:发明
国别省市:四川,51
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