发声装置和耳机制造方法及图纸

技术编号:21184338 阅读:19 留言:0更新日期:2019-05-22 15:01
本实用新型专利技术涉及一种发声装置和耳机。发声装置包括:磁路系统,磁路系统的中心部位形成有通孔,磁路系统在通孔外围形成有环形的磁间隙;振动组件,振动组件包括振膜和音圈,音圈连接在振膜的一侧表面上,音圈悬于磁间隙中;导电柱,导电柱穿过通孔并从磁路系统的上端露出,导电柱的顶端具有两个第一电连接点,音圈内侧引出有两支引线,两支引线分别与两个第一电连接点电连接;导电柱的上端面齐平于或低于音圈的上端面,导电柱的上端面与音圈的上端面之间的距离为第一距离L1,磁路系统的中心磁部的上端面与音圈的上端面的距离为第二距离L2,第一距离L1大于或等于0,第一距离L1小于或等于0.3倍的第二距离L2。

Sound Producing Device and Earphone

【技术实现步骤摘要】
发声装置和耳机
本技术属于电声换能
,具体地,本技术涉及一种发声装置。
技术介绍
近年来,消费类电子产品的得到快速发展,智能手机、VR设备等电子设备得到消费者的认可,得到了广泛的应用。本领域技术人员对相关的配套产品如耳机等也相应进行了改进,以满足电子产品的性能要求,满足消费者对产品性能的需要。发声装置是消费类电子产品中重要的电声换能部件,其作为扬声器、听筒、耳机等得到广泛的应用。随着电子产品的性能改进,有关发声装置的声学性能的改进也是必然的趋势。为了满足更好的声学性能,发声装置往往需要配置尺寸更大的、磁场强度更强的磁路系统。在发声装置中,音圈的尺寸与磁路系统的尺寸是相互匹配的。但是,以应用在耳机等电子产品上的发声装置为例,音圈的引线以及相关电路部件设置在音圈的外侧,从而限制了音圈以及磁路系统的尺寸,造成难以优化声学性能的问题。另一方面,音圈在发声装置中振动时容易产生偏振,从而造成声学效果出现瑕疵。此外,发声装置需要在音圈的振动方向上为引线留出足够的空间,以免引线与其它部件发生擦碰,这会造成发声装置外围的支架在音圈的振动方向上的高度增加,造成发声装置的体积增大,不利于配置更大尺寸的磁路系统。
技术实现思路
本技术的一个目的是提供一种改进的发声装置。根据本技术的一个方面,提供了一种发声装置,包括:磁路系统,所述磁路系统的中心形成有通孔,所述磁路系统在所述通孔外围形成有环形的磁间隙;振动组件,所述振动组件包括振膜和音圈,所述音圈连接在所述振膜的一侧表面上,所述振膜的边缘固定在所述发声装置中,所述音圈悬于所述磁间隙中;导电柱,所述导电柱穿过所述通孔并从所述磁路系统的上端露出,所述导电柱的顶端具有两个第一电连接点,所述音圈内侧引出有两支引线,两支引线分别与两个所述第一电连接点电连接;所述导电柱的上端面齐平于或低于所述音圈的上端面,所述导电柱的上端面与所述音圈的上端面之间的距离为第一距离L1,所述磁路系统的中心磁部的上端面与所述音圈的上端面的距离为第二距离L2,所述第一距离L1大于或等于0,所述第一距离L1小于或等于0.3倍的第二距离L2。可选地,所述磁路系统的外周的直径为第一直径D1,所述导电柱的位于所述通孔中的部分的直径为第二直径D2,所述第二直径D2小于或等于0.32倍的第一直径D1。可选地,所述磁路系统的外周的直径为第一直径D1,所述发声装置的外周的直径为第三直径D3,所述第一直径D1与第三直径D3的比值大于或等于0.65。可选地,两支引线从所述音圈上引出的位置相对于所述音圈的中心呈中心对称。可选地,两支所述引线从所述音圈上弯折延伸至两个所述第一电连接点。可选地,两支所述引线呈V型延伸;或者呈S型延伸。可选地,两支所述引线相对于所述音圈的一条径向的对称轴呈轴对称。可选地,所述导电柱的底端形成有两个第二电连接点,两个所述第二电连接点被配置为用于与外部设备形成电连接,两个所述第二电连接点分别与两个所述第一电连接点形成电连接。可选地,所述导电柱的底端从所述磁路系统的底部露出,所述导电柱的底端形成有支撑部,所述支撑部覆于所述磁路系统的底面上。可选地,所述导电柱包括侧面呈倒T型的塑料本体部和注塑于所述塑料本体部中的两个金属件,所述金属件包括平行的第一端部和第二端部,以及连接第一端部和第二端部的中间部,所述第一端部形成第一电连接点,所述第二端部形成第二电连接点。可选地,所述磁路系统包括磁轭和中心磁部,所述磁轭具有底壁和侧壁,所述中心磁部设置在所述磁轭中,所述中心磁部包括堆叠设置的磁铁和导磁板,所述中心磁部和所述磁轭的底壁上形成贯通的所述通孔,所述磁间隙形成在所述中心磁部与所述磁轭的侧壁之间。可选地,还包括塑料材料制成的承载框架,所述振膜的边缘固定连接在所述承载框架的上端面上,所述承载框架中心具有镂空,所述磁路系统固定在所述镂空处。可选地,所述磁路系统为圆柱形结构;所述磁轭的顶部边缘处形成有向磁轭外围延伸的若干个凸缘,所述磁轭和所述凸缘一体冲压成型;所述承载框架的下端面上形成有定位部;所述磁轭从所述承载框架的下端面一侧定位设置于所述镂空处,所述凸缘在水平方向上延伸至所述承载框架的底部与所述定位部固定连接。可选地,所述定位部包括形成于所述承载框架的下端面上的定位凹槽,所述定位凹槽延伸至所述镂空处,所述凸缘嵌于所述定位凹槽中。可选地,所述定位部包括形成于所述承载框架的下端面上的热熔结构,所述热熔结构与所述凸缘热熔固定连接;所述定位部还包括形成于所述承载框架的下端面上的定位凹槽,所述定位凹槽延伸至所述镂空处,所述热熔结构位于所述定位凹槽中,所述凸缘嵌于所述定位凹槽中;所述镂空的形状与所述磁轭的外形相匹配,所述磁轭的上端嵌于所述镂空中,所述磁轭嵌入所述镂空的深度相当于所述定位凹槽的深度。本技术还提供了一种耳机,所述耳机中设置上述发声装置。本技术的一个技术效果在于,有效节省空间,有利于设置体积更大的音圈和/或磁路系统。通过以下参照附图对本技术的示例性实施例的详细描述,本技术的其它特征及其优点将会变得清楚。附图说明构成说明书的一部分的附图描述了本技术的实施例,并且连同说明书一起用于解释本技术的原理。图1是本技术提供的发声装置的爆炸图;图2是本技术提供的发声装置的俯视示意图;图3是本技术提供的发声装置的侧面剖视图。具体实施方式现在将参照附图来详细描述本技术的各种示例性实施例。应注意到:除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本技术的范围。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的,决不作为对本技术及其应用或使用的任何限制。对于相关领域普通技术人员已知的技术和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术和设备应当被视为说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有例子中,任何具体值应被解释为仅仅是示例性的,而不是作为限制。因此,示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。本技术提供了一种发声装置,该发声装置包括磁路系统、振动组件和导电柱。该技术方案将用于导通信号的导电柱设置在振动组件的音圈内侧,从而改变了音圈上引出的引线的连接方式。通过这种设计方式,能够改善音圈的偏振问题。如图1、3所示,所述磁路系统中心形成有通孔10,所述通孔10从磁路系统的底部贯通至所述磁路系统的顶部。所述磁路系统中形成有磁间隙13,所述磁间隙13中形成有磁场,其用于驱动振动组件振动。所述磁间隙13呈环形,其环绕在所述通孔10的外围。如图1所示,所述振动组件则包括振膜21和音圈22。所述音圈22中可以通入声音信号,所述音圈22在磁路系统的磁场作用下能够产生振动。所述振膜21的边缘固定连接在所述发声装置中,所述音圈22连接在所述振膜21的一侧表面上,音圈22悬于所述磁路系统形成的磁间隙13中。音圈22在产生振动时能够带动所述振膜一同振动,使振膜振动产生声音。所述音圈22上引出有两支引线221,所述引线221用于将声音信号导入所述音圈22内。如图1-3所示,所述导电柱3插在所述磁路系统的通孔10中,导电柱3的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发声装置,其特征在于,包括:磁路系统,所述磁路系统的中心部位形成有通孔,所述磁路系统在所述通孔外围形成有环形的磁间隙;振动组件,所述振动组件包括振膜和音圈,所述音圈连接在所述振膜的一侧表面上,所述音圈悬于所述磁间隙中;导电柱,所述导电柱穿过所述通孔并从所述磁路系统的上端露出,所述导电柱的顶端具有两个第一电连接点,所述音圈内侧引出有两支引线,两支引线分别与两个所述第一电连接点电连接;所述导电柱的上端面齐平于或低于所述音圈的上端面,所述导电柱的上端面与所述音圈的上端面之间的距离为第一距离L1,所述磁路系统的中心磁部的上端面与所述音圈的上端面的距离为第二距离L2,所述第一距离L1大于或等于0,所述第一距离L1小于或等于0.3倍的第二距离L2。

【技术特征摘要】
1.一种发声装置,其特征在于,包括:磁路系统,所述磁路系统的中心部位形成有通孔,所述磁路系统在所述通孔外围形成有环形的磁间隙;振动组件,所述振动组件包括振膜和音圈,所述音圈连接在所述振膜的一侧表面上,所述音圈悬于所述磁间隙中;导电柱,所述导电柱穿过所述通孔并从所述磁路系统的上端露出,所述导电柱的顶端具有两个第一电连接点,所述音圈内侧引出有两支引线,两支引线分别与两个所述第一电连接点电连接;所述导电柱的上端面齐平于或低于所述音圈的上端面,所述导电柱的上端面与所述音圈的上端面之间的距离为第一距离L1,所述磁路系统的中心磁部的上端面与所述音圈的上端面的距离为第二距离L2,所述第一距离L1大于或等于0,所述第一距离L1小于或等于0.3倍的第二距离L2。2.根据权利要求1所述的发声装置,其特征在于,所述磁路系统的外周的直径为第一直径D1,所述导电柱的位于所述通孔中的部分的直径为第二直径D2,所述第二直径D2小于或等于0.32倍的第一直径D1。3.根据权利要求1所述的发声装置,其特征在于,所述磁路系统的外周的直径为第一直径D1,所述发声装置的外周的直径为第三直径D3,所述第一直径D1与第三直径D3的比值大于或等于0.65。4.根据权利要求1所述的发声装置,其特征在于,两支引线从所述音圈上引出的位置相对于所述音圈的中心呈中心对称。5.根据权利要求1至4任一所述的发声装置,其特征在于,两支所述引线从所述音圈上弯折延伸至两个所述第一电连接点。6.根据权利要求5所述的发声装置,其特征在于,两支所述引线呈V型延伸;或者呈S型延伸。7.根据权利要求5所述的发声装置,其特征在于,两支所述引线相对于所述音圈的一条径向的对称轴呈轴对称。8.根据权利要求1所述的发声装置,其特征在于,所述导电柱的底端形成有两个第二电连接点,两个所述第二电连接点被配置为用于与外部设备形成电连接,两个所述第二电连接点分别与两个所述第一电连接点形成电连接。9.根据权利要求8所述的发声装置,其特征在于,所述导电柱的底端从所述磁路系统的底部露出,所述导电柱的底端形成...

【专利技术属性】
技术研发人员:郭晓冬侯燕燕刘春发
申请(专利权)人:歌尔股份有限公司
类型:新型
国别省市:山东,37

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