光刻装置、光刻方法、决定方法、存储介质和物品制造方法制造方法及图纸

技术编号:21182493 阅读:17 留言:0更新日期:2019-05-22 14:10
公开了光刻装置、光刻方法、决定方法、存储介质和物品制造方法。本发明专利技术提供了包括第一基板和第一基板之后的第二基板的基板上形成图案的光刻装置,该装置包括决定单元,被配置为从不同的多个组合中的每个组合中包括的样本压射区域中的标记的检测值获得第一基板上的多个压射区域的第一布局,其中每个组合由检测单元已经在相对于第一基板的精细对准中检测了标记的样本压射区域中的至少两个样本压射区域构成,以及基于所述第一布局将所述多个组合中的一个中包括的样本压射区域决定为检测单元在相对于第二基板的预对准中检测标记的样本压射区域。

Lithography device, lithography method, determination method, storage medium and article manufacturing method

The lithography device, lithography method, determination method, storage medium and article manufacturing method are disclosed. The present invention provides a photolithography device comprising a pattern forming device on a substrate of a second substrate including a first substrate and a second substrate after a first substrate. The device includes a determination unit configured to obtain a first layout of a plurality of injection areas on a first substrate from the detection values of the markings in the sample injection area included in each combination of different combinations, each of which has been provided by a detection unit. The composition of at least two sample injection areas in the sample injection area marked in fine alignment with respect to the first substrate is detected, and the sample injection area included in one of the multiple combinations is determined as the sample injection area marked by the detection unit in the pre-alignment with respect to the second substrate based on the first layout.

【技术实现步骤摘要】
光刻装置、光刻方法、决定方法、存储介质和物品制造方法
本专利技术涉及光刻装置、光刻方法、决定方法、存储介质和物品制造方法。
技术介绍
近年来,随着诸如IC和LSI之类的半导体器件和诸如液晶面板之类的液晶显示元件的小型化和集成化的进步,曝光装置的精度和功能已经改善。在移动基板(晶片)的同时,曝光装置将形成在原版(中间掩模(reticle))上的图案顺序地转印到基板上的压射(shot)区域上。被设计成将图案一起转印到压射区域上的曝光装置被称为步进器。被设计成在扫描台(stage)的同时将图案转印到压射区域上的曝光装置被称为扫描仪。在使原版与基板对准时,需要曝光装置使原版以纳米级精度与基板对准(重叠)。作为这种对准的一部分的基板位置测量包括两种类型的处理,即预对准和精细对准。预对准是测量当基板被放置在基板卡盘上时引起的位置偏移量并且以允许正常执行精细对准的精度粗略地对准基板的处理。因此,预对准需要利用具有宽视场(检测范围)的镜体(scope)进行标记检测,因此使用低倍率镜体。低倍率镜体具有宽视场,并且即使当由基板相对于基板卡盘的放置误差引起位置偏移时也可以执行标记检测。然而,该镜体不具有高精度,因此不能实现纳米级的对准精度。精细对准是在通过预对准粗略校正基板的位置偏移之后测量放置在基板卡盘上的基板的位置,并且然后精确地对准基板的处理。精细对准使用具有窄视场的高检测精度的高倍率镜体,以实现纳米级的对准精度。在执行精细对准时,通过对基板上的样本压射区域的检测值进行统计处理来获得基板的位置和形状(压射区域的布局)。所获得的信息被反映在基板上的曝光中。在日本专利特开No.9-218714中公开了这种技术。日本专利特开No.2009-212153公开了如下的技术,该技术用于缩短对准处理所需的时间以提高生产率,即,曝光装置的生产量。日本专利特开No.2009-212153公开了在预对准中执行标记检测的最后的压射区域与在精细对准中执行标记检测的第一压射区域相同。这可以缩短在对准处理中驱动基板台所需的时间,并因此可以提高生产率。各种因素导致基板的变形(distortion)。例如,这种变形包括由形成基材的装置引起的基材的变形和基板本身的变形。在精细对准中,存在许多要在其上执行标记检测的压射区域,即,样本压射区域,这些压射区域整体被布置在基板上。因此,在精细对准中,即使一些样本压射区域包括局部变形,所有样本压射区域中的包括变形的样本压射区域中的检测值也可以作为异常值被排除。以这种方式排除异常值可以获得适当地表示基板的变形的校正值。然而,在预对准中,虽然样本压射区域的数量越大,预对准的精度越高,但是处理时间增加。通常,这使得不可能设置许多样本压射区域。使用少量样本压射区域执行预对准使得难以确定样本压射区域中的检测值是否包括异常值。因此,当一些样本压射区域在预对准中包括变形时,不能排除这种样本压射区域中的检测值,因此不能获得适当地表示基板的变形的校正值。使用这样的校正值执行精细对准将导致基板(基板台)的对准中的大的误差。这使得高倍率镜体不可能捕获标记。这可能会导致检测误差。在精细对准中,如果在许多样本压射中发生检测误差,则确定在精细对准中发生了误差。这最终导致生产量降低。
技术实现思路
本专利技术提供了有利于执行预对准和精细对准的光刻装置。根据本专利技术的第一方面,提供了一种光刻装置,所述光刻装置在基板上形成图案,所述基板包括第一基板和所述第一基板之后的第二基板,所述光刻装置包括:检测单元,被配置为检测分别设置在基板上的多个压射区域中的标记;处理单元,被配置为相对于所述基板执行预对准和预对准之后的精细对准;和决定单元,被配置为从不同的多个组合中的每个组合中包括的样本压射区域中的标记的检测值获得第一基板上的多个压射区域的第一布局,其中每个组合由检测单元已经在相对于第一基板的精细对准中检测了标记的样本压射区域中的至少两个样本压射区域构成,以及基于所述第一布局将所述多个组合中的一个中包括的样本压射区域决定为检测单元在相对于第二基板的预对准中检测标记的样本压射区域。根据本专利技术的第二方面,提供了一种在基板上形成图案的光刻方法,所述基板包括第一基板和所述第一基板之后的第二基板,所述方法包括:相对于第一基板和第二基板中的每一个执行预对准和预对准之后的精细对准;和在相对于第二基板执行预对准之前,从不同的多个组合中的每个组合中包括的样本压射区域中的标记的检测值获得第一基板上的多个压射区域的第一布局,其中每个组合由已经在相对于第一基板的精细对准中检测了标记的样本压射区域中的至少两个样本压射区域构成,以及基于所述第一布局将所述多个组合中的一个中包括的样本压射区域决定为在相对于第二基板的预对准中检测标记的样本压射区域。根据本专利技术的第三方面,提供了一种在相对于第一基板和第一基板之后的第二基板中的每一个执行预对准和预对准之后的精细对准时决定在相对于第二基板的预对准中检测标记的样本压射区域的方法,所述方法包括:从不同的多个组合中的每个组合中包括的样本压射区域中的标记的检测值获得第一基板上的多个压射区域的第一布局,其中每个组合由已经在相对于第一基板的精细对准中检测了标记的样本压射区域中的至少两个样本压射区域构成,以及基于所述第一布局将所述多个组合中的一个中包括的样本压射区域决定为在相对于第二基板的预对准中检测标记的样本压射区域。根据本专利技术的第四方面,提供了一种存储程序的存储介质,所述程序用于使计算机执行如下的决定方法:该决定方法在相对于第一基板和第一基板之后的第二基板中的每一个执行预对准和预对准之后的精细对准时决定在相对于第二基板的预对准中检测标记的样本压射区域,所述程序使得计算机执行:从不同的多个组合中的每个组合中包括的样本压射区域中的标记的检测值获得第一基板上的多个压射区域的第一布局,其中每个组合由已经在相对于第一基板的精细对准中检测了标记的样本压射区域中的至少两个样本压射区域构成,以及基于所述第一布局将所述多个组合中的一个中包括的样本压射区域决定为在相对于第二基板的预对准中检测标记的样本压射区域。根据本专利技术的第五方面,提供了一种物品制造方法,包括:通过使用光刻装置在基板上形成图案;处理在成形中形成了图案的基板;和从处理的基板制造物品,其中,光刻装置在包括第一基板和第一基板之后的第二基板的基板上形成图案,并且所述光刻装置包括:检测单元,被配置为检测分别设置在基板上的多个压射区域中的标记;处理单元,被配置为相对于所述基板执行预对准和预对准之后的精细对准;和决定单元,被配置为从不同的多个组合中的每个组合中包括的样本压射区域中的标记的检测值获得第一基板上的多个压射区域的第一布局,其中每个组合由检测单元已经在相对于第一基板的精细对准中检测了标记的样本压射区域中的至少两个样本压射区域构成,以及基于所述第一布局将所述多个组合中的一个中包括的样本压射区域决定为检测单元在相对于第二基板的预对准中检测标记的样本压射区域。参考附图,根据示例性实施例的以下描述,本专利技术的其它方面将变得清楚。附图说明图1是示出了根据本专利技术的一个方面的曝光装置的布置的示意图。图2是示出了基板上的压射区域的布局的示例的图。图3是示出了从基板上的压射区域中选择的样本压射区域的示例的图。图4是示出了在基板上本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种光刻装置,其特征在于,所述光刻装置在基板上形成图案,所述基板包括第一基板和所述第一基板之后的第二基板,所述光刻装置包括:检测单元,被配置为检测分别设置在基板上的多个压射区域中的标记;处理单元,被配置为相对于所述基板执行预对准和预对准之后的精细对准;和决定单元,被配置为从不同的多个组合中的每个组合中包括的样本压射区域中的标记的检测值获得第一基板上的多个压射区域的第一布局,其中每个组合由检测单元已经在相对于第一基板的精细对准中检测了标记的样本压射区域中的至少两个样本压射区域构成,以及基于所述第一布局将所述多个组合中的一个组合中包括的样本压射区域决定为检测单元在相对于第二基板的预对准中检测标记的样本压射区域。

【技术特征摘要】
2017.11.13 JP 2017-2184111.一种光刻装置,其特征在于,所述光刻装置在基板上形成图案,所述基板包括第一基板和所述第一基板之后的第二基板,所述光刻装置包括:检测单元,被配置为检测分别设置在基板上的多个压射区域中的标记;处理单元,被配置为相对于所述基板执行预对准和预对准之后的精细对准;和决定单元,被配置为从不同的多个组合中的每个组合中包括的样本压射区域中的标记的检测值获得第一基板上的多个压射区域的第一布局,其中每个组合由检测单元已经在相对于第一基板的精细对准中检测了标记的样本压射区域中的至少两个样本压射区域构成,以及基于所述第一布局将所述多个组合中的一个组合中包括的样本压射区域决定为检测单元在相对于第二基板的预对准中检测标记的样本压射区域。2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述决定单元获得所述第一布局相对于已经在相对于第一基板的预对准中获得的第一基板上的多个压射区域的第二布局的评价值,并且将包括在评价值的可允许范围内的组合中的样本压射区域决定为检测单元在相对于第二基板的预对准中检测标记的样本压射区域。3.根据权利要求1所述的装置,其中,所述决定单元获得所述第一布局与已经从所述多个组合中的每一个组合中在相对于所述第一基板的预对准中获得的所述第一基板上的多个压射区域的第二布局之间的相关度,并将表现出最高相关度的组合中包括的样本压射区域决定为检测单元在相对于第二基板的预对准中检测标记的样本压射区域。4.根据权利要求1所述的装置,还包括被配置为保持和移动基板的台,其中,所述决定单元基于在相对于第二基板的预对准中检测样本压射区域中的标记所需的所述台的移动时间或移动距离来决定所述检测单元在相对于所述第二基板的预对准中检测标记的样本压射区域。5.根据权利要求1所述的装置,其中,所述决定单元决定所述检测单元在相对于所述第二基板的预对准中检测标记的样本压射区域,使得所述检测单元在相对于所述第二基板的精细对准中检测标记的第一样本压射区域变为检测单元在相对于第二基板的预对准中检测标记的最后的样本压射区域。6.根据权利要求1所述的装置,其中,所述检测单元在预对准中以第一倍率检测标记,并且在精细对准中以高于所述第一倍率的第二倍率检测标记。7.根据权利要求1所述的装置,其中,检测单元在预对准中检测标记的样本压射区域的数量不小于2,并且检测单元在精细对准中检测标记的样本压射区域的数量不小于检测单元在预对准中检测标记的样本压射区域的数量。8.根据权利要求1所述的装置,还包括:投影光学系统,被配置为将中间掩模的图案投影到基板上。9.一种在基板上形成图案的光刻方法,其特征在于,所述基板包括第一基...

【专利技术属性】
技术研发人员:间濑友裕
申请(专利权)人:佳能株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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