The lithography device, lithography method, determination method, storage medium and article manufacturing method are disclosed. The present invention provides a photolithography device comprising a pattern forming device on a substrate of a second substrate including a first substrate and a second substrate after a first substrate. The device includes a determination unit configured to obtain a first layout of a plurality of injection areas on a first substrate from the detection values of the markings in the sample injection area included in each combination of different combinations, each of which has been provided by a detection unit. The composition of at least two sample injection areas in the sample injection area marked in fine alignment with respect to the first substrate is detected, and the sample injection area included in one of the multiple combinations is determined as the sample injection area marked by the detection unit in the pre-alignment with respect to the second substrate based on the first layout.
【技术实现步骤摘要】
光刻装置、光刻方法、决定方法、存储介质和物品制造方法
本专利技术涉及光刻装置、光刻方法、决定方法、存储介质和物品制造方法。
技术介绍
近年来,随着诸如IC和LSI之类的半导体器件和诸如液晶面板之类的液晶显示元件的小型化和集成化的进步,曝光装置的精度和功能已经改善。在移动基板(晶片)的同时,曝光装置将形成在原版(中间掩模(reticle))上的图案顺序地转印到基板上的压射(shot)区域上。被设计成将图案一起转印到压射区域上的曝光装置被称为步进器。被设计成在扫描台(stage)的同时将图案转印到压射区域上的曝光装置被称为扫描仪。在使原版与基板对准时,需要曝光装置使原版以纳米级精度与基板对准(重叠)。作为这种对准的一部分的基板位置测量包括两种类型的处理,即预对准和精细对准。预对准是测量当基板被放置在基板卡盘上时引起的位置偏移量并且以允许正常执行精细对准的精度粗略地对准基板的处理。因此,预对准需要利用具有宽视场(检测范围)的镜体(scope)进行标记检测,因此使用低倍率镜体。低倍率镜体具有宽视场,并且即使当由基板相对于基板卡盘的放置误差引起位置偏移时也可以执行标记检测。然而,该镜体不具有高精度,因此不能实现纳米级的对准精度。精细对准是在通过预对准粗略校正基板的位置偏移之后测量放置在基板卡盘上的基板的位置,并且然后精确地对准基板的处理。精细对准使用具有窄视场的高检测精度的高倍率镜体,以实现纳米级的对准精度。在执行精细对准时,通过对基板上的样本压射区域的检测值进行统计处理来获得基板的位置和形状(压射区域的布局)。所获得的信息被反映在基板上的曝光中。在日本专利特开No ...
【技术保护点】
1.一种光刻装置,其特征在于,所述光刻装置在基板上形成图案,所述基板包括第一基板和所述第一基板之后的第二基板,所述光刻装置包括:检测单元,被配置为检测分别设置在基板上的多个压射区域中的标记;处理单元,被配置为相对于所述基板执行预对准和预对准之后的精细对准;和决定单元,被配置为从不同的多个组合中的每个组合中包括的样本压射区域中的标记的检测值获得第一基板上的多个压射区域的第一布局,其中每个组合由检测单元已经在相对于第一基板的精细对准中检测了标记的样本压射区域中的至少两个样本压射区域构成,以及基于所述第一布局将所述多个组合中的一个组合中包括的样本压射区域决定为检测单元在相对于第二基板的预对准中检测标记的样本压射区域。
【技术特征摘要】
2017.11.13 JP 2017-2184111.一种光刻装置,其特征在于,所述光刻装置在基板上形成图案,所述基板包括第一基板和所述第一基板之后的第二基板,所述光刻装置包括:检测单元,被配置为检测分别设置在基板上的多个压射区域中的标记;处理单元,被配置为相对于所述基板执行预对准和预对准之后的精细对准;和决定单元,被配置为从不同的多个组合中的每个组合中包括的样本压射区域中的标记的检测值获得第一基板上的多个压射区域的第一布局,其中每个组合由检测单元已经在相对于第一基板的精细对准中检测了标记的样本压射区域中的至少两个样本压射区域构成,以及基于所述第一布局将所述多个组合中的一个组合中包括的样本压射区域决定为检测单元在相对于第二基板的预对准中检测标记的样本压射区域。2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述决定单元获得所述第一布局相对于已经在相对于第一基板的预对准中获得的第一基板上的多个压射区域的第二布局的评价值,并且将包括在评价值的可允许范围内的组合中的样本压射区域决定为检测单元在相对于第二基板的预对准中检测标记的样本压射区域。3.根据权利要求1所述的装置,其中,所述决定单元获得所述第一布局与已经从所述多个组合中的每一个组合中在相对于所述第一基板的预对准中获得的所述第一基板上的多个压射区域的第二布局之间的相关度,并将表现出最高相关度的组合中包括的样本压射区域决定为检测单元在相对于第二基板的预对准中检测标记的样本压射区域。4.根据权利要求1所述的装置,还包括被配置为保持和移动基板的台,其中,所述决定单元基于在相对于第二基板的预对准中检测样本压射区域中的标记所需的所述台的移动时间或移动距离来决定所述检测单元在相对于所述第二基板的预对准中检测标记的样本压射区域。5.根据权利要求1所述的装置,其中,所述决定单元决定所述检测单元在相对于所述第二基板的预对准中检测标记的样本压射区域,使得所述检测单元在相对于所述第二基板的精细对准中检测标记的第一样本压射区域变为检测单元在相对于第二基板的预对准中检测标记的最后的样本压射区域。6.根据权利要求1所述的装置,其中,所述检测单元在预对准中以第一倍率检测标记,并且在精细对准中以高于所述第一倍率的第二倍率检测标记。7.根据权利要求1所述的装置,其中,检测单元在预对准中检测标记的样本压射区域的数量不小于2,并且检测单元在精细对准中检测标记的样本压射区域的数量不小于检测单元在预对准中检测标记的样本压射区域的数量。8.根据权利要求1所述的装置,还包括:投影光学系统,被配置为将中间掩模的图案投影到基板上。9.一种在基板上形成图案的光刻方法,其特征在于,所述基板包括第一基...
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