光刻方法技术

本公开实施例提供一种光刻方法。上述方法包括放置具有多个曝光场域的一半导体晶圆在一晶圆平台上方。上述方法还包括投射一极紫外光在半导体晶圆上。上述方法还包括在极紫外光投射至半导体晶圆的第一群曝光场域的同时，通过施加一第一调控电压至晶圆平台的电极以固定半导体晶圆在晶圆平台。第一调控电压的范围介于约1.6kV至约3.2kV。

Photolithography

The embodiment of the present disclosure provides a photolithography method. The method includes placing a semiconductor wafer with multiple exposure fields above a wafer platform. The method also includes projecting an extreme ultraviolet light onto a semiconductor wafer. The method also includes fixing the semiconductor wafer on the wafer platform by applying a first regulating voltage to the electrode of the wafer platform while the extreme ultraviolet light is projected into the first group of exposure fields of the semiconductor wafer. The range of the first regulating voltage is from about 1.6 kV to about 3.2 kV.

【技术实现步骤摘要】
光刻方法
本专利技术部分实施例涉及一种半导体晶圆加工方法及设备，特别涉及一种在半导体制造中的光刻方法及设备。
技术介绍
半导体集成电路(IC)产业呈指数成长，在集成电路材料以及设计上的技术进步下产生了多个世代的集成电路，且其中每一世代较前一世代具有更小更复杂的电路。在集成电路发展的过程中，当几何尺寸(也就是工艺中所能产出的最小元件或者线路)缩小时，功能密度(也就是每一芯片区域所具有的互连装置的数目)通常会增加。一般而言，这种尺寸缩小的工艺可增加生产效率以及降低相关成本。这种尺寸缩小的工艺也会增加制造与生产集成电路的复杂度。光刻曝光工艺形成用于各种图案化加工(例如蚀刻或离子注入)的图案化光刻胶层。在典型的光刻曝光工艺中，半导体基板的表面施加有一光敏层(光刻胶)，并且通过曝光光的图案至上述光敏层，定义有半导体装置的一部分特征的影像即转移至上述光敏层上。随着半导体工艺发展至提供更小的关键尺寸，并且装置尺寸减小以及在多层结构上的复杂性增加，为了改善装置的品质、可靠性、及良率，图案化特征的方式需更加精确。尽管已经针对执行光刻曝光工艺的方法已提出许多改进，但是他们并非在所有方面都完全令人满意。因此，提供一种改进光刻系统的解决方案即被期待，以便提高半导体晶圆的良率。
技术实现思路
本公开部分实施例提供一种光刻方法。上述光刻方法包括放置一半导体晶圆在一晶圆平台上方并对半导体晶圆的一地形执行第一次调整。第一次调整是通过施加一初始电压至晶圆平台的一电极。上述光刻方法还包括在第一次调整完成后测量半导体晶圆的地形。上述光刻方法还包括对半导体晶圆的已调整的地形执行一第二次调整。第二次调整是根据测量结果施加一第一调控电压至晶圆平台的电极。另外，上述光刻方法包括投射一极紫外光至半导体晶圆。本公开部分实施例更提供另一种适用于半导体生产的光刻方法。上述方法包括放置具有多个曝光场域的半导体晶圆在晶圆平台上方。上述方法还包括连同半导体晶圆一同移动晶圆平台至一测量位置并执行一测量程序。上述方法还包括在测量程序期间通过施加一初始电压至晶圆平台的电极以固定半导体晶圆在晶圆平台。另外，上述方法包括连同半导体晶圆一同移动晶圆平台至一曝光位置并投射辐射至半导体晶圆以曝光第一群曝光场域。上述方法还包括在第一群曝光场域受辐射曝光的同时，施加与初始电压不同的第一调控电压至晶圆平台的电极以固定半导体晶圆在晶圆平台。本公开部分实施例亦提供一种光刻设备。上述光刻设备包括配置用于固定半导体晶圆并具有多个电极的晶圆平台。上述光刻设备还包括配置用于通过投射一极紫外光至半导体晶圆以执行一曝光工艺的曝光工具。上述光刻设备还包括在对半导体晶圆上的一第一群曝光场域执行曝光工艺的期间配置用于控制电源以施加一第一调控电压至电极的控制设备，以固定半导体晶圆至晶圆平台。第一调控电压是介于约1.6kV至约3.2kV。附图说明根据以下的详细说明并配合附图说明书附图做完整公开。应注意的是，根据本产业的一般作业，附图并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸，以做清楚的说明。图1显示根据部分实施例的一光刻系统的示意图。图2显示根据部分实施例的一晶圆平台的剖面示意图。图3显示根据部分实施例的一晶圆平台的俯视示意图。图4显示根据部分实施例的一晶圆平台的俯视示意图。图5显示根据部分实施例的一晶圆平台的俯视示意图。图6显示根据部分实施例中用于执行一光刻曝光工艺的方法的流程图。图7显示根据部分实施例的一光刻曝光工艺方法中施加一初始电压至晶圆平台的操作的示意图。图8显示根据部分实施例的一光刻曝光工艺方法中施加一初始电压至晶圆平台的操作的示意图。图9显示根据部分实施例的一光刻曝光工艺方法中施加相异的第一调控电压(如条状图所呈现)至晶圆平台的操作的示意图。图10显示根据部分实施例的一光刻曝光工艺方法中施加一第二调控电压至晶圆平台的操作的示意图。附图标记列表1～光刻系统2～半导体晶圆10～追踪设备11～卡匣平台12～卡匣13～传送机构14～涂布腔15～显影腔16～加热腔165～测量工具30～负载锁定室50～曝光设备51～真空槽52、52a、52b、52c～晶圆平台521～介电本体53～光学测量工具531～换能器532～收集器54～曝光工具541～光源542～照明器543～掩模平台544～掩模545～投影光学盒5451～光学透镜56～传送机构57～电源供应器571、573、574、575、576、577、578、579～电极580、581、582～电极70～控制设备80～方法81-86～操作C～中心d～厚度E1、E2～曝光场域(第一群曝光场域)E3、E4～曝光场域(第二群曝光场域)FP1～原始焦点FP2～新焦点G～间隙P、P'～颗粒S1～卡匣站S2～加工站T1、T2～目标水平V1～初始电压V2～第一调节电压V3～第二调节电压具体实施方式以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例，以实施本专利技术的不同特征而本说明书以下的公开内容是叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以求简化专利技术的说明。当然，这些特定的范例并非用以限定本专利技术。例如，若是本说明书以下的公开内容叙述了将一第一特征形成于一第二特征之上或上方，即表示其包含了所形成的上述第一特征与上述第二特征是直接接触的实施例，亦包含了尚可将附加的特征形成于上述第一特征与上述第二特征之间，而使上述第一特征与上述第二特征可能未直接接触的实施例。另外，本专利技术的说明中不同范例可能使用重复的参考符号及/或用字。这些重复符号或用字为了简化与清晰的目的，并非用以限定各个实施例及/或所述外观结构之间的关系。再者，为了方便描述附图中一元件或特征部件与另一(多个)元件或(多个)特征部件的关系，可使用空间相关用语，例如“在...的下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及类似的用语等。可以理解的是，除了附图所示出的方位之外，空间相关用语涵盖使用或操作中的装置的不同方位。所述装置也可被另外定位(例如，旋转90度或者位于其他方位)，并对应地解读所使用的空间相关用语的描述。可以理解的是，在所述方法之前、期间及之后，可提供额外的操作步骤，且在某些方法实施例中，所述的某些操作步骤可被替代或省略。应注意的是，此处所讨论的实施例可能未必叙述出可能存在于结构内的每一个部件或特征。举例来说，附图中可能省略一或多个部件，例如当部件的讨论说明可能足以传达实施例的各个样态时可能将其从附图中省略。再者，此处所讨论的方法实施例可能以特定的进行顺序来讨论，然而在其他方法实施例中，可以以任何合理的顺序进行。当前公开内容中所描述的先进光刻工艺、方法、和材料可被使用于包括鳍式场效晶体管(fin-typefieldeffecttransistors,FinFETs)的各种应用中。举例而言，鳍结构可以被图案化以在结构之间产生相对较小之间隔，而所述公开内容是适合应用于此。再者，所述公开内容可以应用在用来形成鳍式场效晶体管的鳍结构之间隙壁(spacers)的工艺。图1是根据部分实施例的光刻系统1的示意图。在部分实施例中，光刻系统1包括一追踪设备10，一负载锁定室30，曝光设备50、及一控制设备70。应当理解，以下关于光刻系统中1所描述的特征可以在其他实施例中被替换或消除。在部分实施例中，追踪设备10包括按顺序排列的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻方法，适用于半导体生产，该光刻方法包括：放置一半导体晶圆在一晶圆平台上方并对该半导体晶圆的一地形执行一第一次调整，其中该第一次调整是通过施加一初始电压至该晶圆平台的一电极；在该第一次调整完成后测量该半导体晶圆的该地形；对该半导体晶圆的已调整的该地形执行一第二次调整，其中该第二次调整是根据该测量结果施加一第一调控电压至该晶圆平台的该电极：以及投射一极紫外光至该半导体晶圆。

【技术特征摘要】
2017.11.13 US 62/584,992;2018.06.27 US 16/019,7321.一种光刻方法，适用于半导体生产，该光刻方法包括：放置一半导体晶圆在一晶圆平台上方并对该半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴政宽，郑博中，陈立锐，石志聪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71