A device and method for controlling the excitation of a laser includes detecting the first signal of radiation scattered by a given target droplet irradiated by a first radiation source at the first position at the droplet detector. The method of controlling the laser excitation also includes detecting the second signal of the radiation scattered by the given target droplet at the second position of a fixed distance from the first position at the droplet detector by the second radiation source, and determining the velocity of the given target droplet based on the time delay between the detection of the first signal and the detection of the second signal. The method also includes controlling a triggering pulse to heat the triggering time of a given target droplet based on the determined velocity of the given target droplet.
【技术实现步骤摘要】
用于控制极紫外光辐射源中的激发激光的装置
本专利技术实施例关于一种在半导体制造过程中使用的产生极紫外光辐射(extremeultraviolet(EUV)radiation)的方法和设备。
技术介绍
对计算能力的需求呈指数成长,这种计算能力的增加可通过增加半导体集成电路(integratedcircuits(ICs))的功能密度(即,每个芯片上互连装置的数目)来实现。随着功能密度的增加,芯片上各个装置的尺寸会减小。基于微影制程(lithography,光刻)等半导体制造技术的进步,集成电路中元件尺寸的减小可得到满足。举例来说,用于微影制程的辐射波长已经从紫外光减小到深紫外光(deepultraviolet(DUV)),再到最近的极紫外光(extremeultraviolet(EUV))范围。元件尺寸的进一步减小需要微影制程的分辨率的进一步改善,此可以利用极紫外光微影制程(EUVlithography(EUVL))来实现。极紫外光微影制程采用波长约1到100纳米(nm)的辐射。一种产生极紫外光辐射的方法是激光产生等离子体(laser-producedplasma(LPP))。在一基于激光产生等离子体的极紫外光源(source)中,一高功率激光束聚焦在小的掺锡液滴标靶(tindroplettargets)上以形成高度离子化等离子体,其可发出峰值波长在约13.5纳米的极紫外光辐射。由激光产生等离子体产生的极紫外光辐射的强度取决于通过高功率激光从标靶液滴(targetdroplets)产生等离子体的有效性。使高功率激光的脉冲与标靶液滴的产生和移动同步(Synchr ...
【技术保护点】
1.一种用于控制一极紫外光辐射源中的一激发激光的装置,该极紫外光辐射源包括配置用以产生标靶液滴的一液滴产生器,并且该激发激光配置用以使用激发脉冲加热所述标靶液滴,该装置包括:一第一辐射源,配置用以在一第一位置照射各所述标靶液滴;一第二辐射源,配置用以在相距该第一位置一固定距离的一第二位置照射各所述标靶液滴;一液滴检测器,配置用以检测在该第一位置由一给定标靶液滴散射的辐射的一第一信号和在该第二位置由该给定标靶液滴散射的辐射的一第二信号;以及一定时模块,配置用以接收该第一信号和该第二信号、基于接收到的所述信号测量该给定标靶液滴的一速度、基于所测量的该速度估计提供一激发脉冲以加热该给定标靶液滴的一触发时间以及向该激发激光提供该触发时间。
【技术特征摘要】
2017.11.14 US 62/585,778;2018.02.27 US 15/906,5741.一种用于控制一极紫外光辐射源中的一激发激光的装置,该极紫外光辐射源包括配置用以产生标靶液滴的一液滴产生器,并且该激发激光配置用以使用激发脉冲加热所述标靶液滴,该装置包括:一第一辐射源,配置用以在一第一位置照射各所述标...
【专利技术属性】
技术研发人员:赖韦志,张汉龙,刘柏村,陈立锐,郑博中,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。