The volume of the invention relates to a photomask blank and a method for preparing a photomask. A photomask blank comprising a transparent substrate and a chromium-containing film is specifically provided. The chromium-containing film comprises a layer composed of carbon-containing chromium compounds containing oxygen or oxygen and nitrogen. The carbon/chromium atom ratio is above 0.3, the nitrogen/chromium atom ratio is below 0.1, the chromium content is below 50 at%, and the carbon/oxygen atom ratio is above 0.8, or the chromium content is below 60 at%, and the carbon/oxygen atom ratio is above 1. The blank of photomask is processed into photomask by dry etching of chromium-containing film.
【技术实现步骤摘要】
光掩模坯料和制备光掩模的方法相关申请的交叉引用该非临时申请根据35U.S.C.§119(a)要求2017年11月13日在日本提交的专利申请No.2017-218156的优先权,其全部内容通过引用并入本文。
本专利技术涉及一种被加工成适合于使用曝光光进行图案转印的光掩模的光掩模坯料,以及一种由该光掩模坯料制备光掩模的方法。
技术介绍
为了诸如微电子器件的更高运转速度和节省功耗的目标,对于大规模集成电路的更高集成度的挑战仍在继续。为了满足对缩小电路图案的日益增长的需求,先进的半导体微处理技术变得重要。例如,用于缩小构成电路的布线图案的技术和用于缩小构成电池的层间连接的接触孔图案的技术变得必不可少。先进的微处理技术依赖于使用光掩模的光刻法。光掩模是小型化技术的一个重要领域,光刻系统和抗蚀剂材料也是如此。为了获得具有微细尺寸布线图案或微细尺寸接触孔图案的光掩模的目的,努力开发以更高精度在光掩模坯料上形成更微细尺寸图案的技术。为了在光掩模衬底上形成高精度的光掩模图案,优先考虑以高精度在光掩模坯料上对抗蚀剂膜进行图案化。由于用于微加工半导体衬底的光刻法采用缩小投影,因此在光掩模上形成的图案的尺寸约是在半导体衬底上形成的图案尺寸的4倍。这并不意味着相应地放松在光掩模上形成的图案的精度。光掩模图案必须以高精度形成。目前,通过光刻法写在半导体衬底上的电路图案的尺寸远小于曝光光的波长。如果使用具有仅是电路图案4倍放大率的图案的光掩模进行缩小曝光,则由于曝光光的干涉和其他影响,光掩模图案不会精确地转印到抗蚀剂膜上。解决该问题的超分辨率掩模包括OPC掩模(其中所谓的光学邻近校正( ...
【技术保护点】
1.一种光掩模坯料,使用波长250nm以下的曝光光将其加工成适于图案转印的光掩模,所述光掩模坯料包括透明衬底和含铬膜,所述含铬膜直接设置在衬底上或通过光学膜设置在衬底上,且能够用含氧的氯基气体干法刻蚀,其中所述含铬膜由单层或多层构成,所述单层或所述多层中的至少一层是由含氧或者氧和氮的含碳的铬化合物组成的层,所述由含氧或者氧和氮的含碳的铬化合物组成的层具有如下组成:碳与铬的原子比是0.3以上,氮与铬的原子比是0.1以下,铬含量是50at%以下且碳与氧的原子比是0.8以上,或铬含量是60at%以下且碳与氧的原子比是1以上。
【技术特征摘要】
2017.11.13 JP 2017-2181561.一种光掩模坯料,使用波长250nm以下的曝光光将其加工成适于图案转印的光掩模,所述光掩模坯料包括透明衬底和含铬膜,所述含铬膜直接设置在衬底上或通过光学膜设置在衬底上,且能够用含氧的氯基气体干法刻蚀,其中所述含铬膜由单层或多层构成,所述单层或所述多层中的至少一层是由含氧或者氧和氮的含碳的铬化合物组成的层,所述由含氧或者氧和氮的含碳的铬化合物组成的层具有如下组成:碳与铬的原子比是0.3以上,氮与铬的原子比是0.1以下,铬含量是50at%以下且碳与氧的原子比是0.8以上,或铬含量是60at%以下且碳与氧的原子比是1以上。2.权利要求1所述的光掩模坯料,其中所述由含氧或者氧和氮的含碳的铬化合物组成的层的氧含量是20at%以上。3.权利要求1所述的光掩模坯料,其中如通过在原子力显微镜下的表面轮廓测量在任何1μm见方的区域所分析的那样,所述含铬膜的远离所述衬底设置的表面的均方根粗糙度(RMS)是1nm以下且最大高度差(Rmax)是9nm以下。4....
【专利技术属性】
技术研发人员:稻月判臣,笹本纮平,松桥直树,
申请(专利权)人:信越化学工业株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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