The invention provides a temperature reactor and a manufacturing method thereof. By forming a sealed chamber and an observation window in the manufacturing process of a temperature reactor and setting a temperature measuring resistance in the sealing layer of the sealed chamber, the invention can overcome the problems of easy contamination of test samples, poor sealing property of the temperature reactor, inaccurate heating in the testing and observation process and traditional temperature reversal caused by the difficulty of aligning the upper and lower windows in the use of the traditional temperature reactor. The transducer is difficult to observe and detect in TEM/SEM test equipment.
【技术实现步骤摘要】
温度反应器及其制作方法
本专利技术涉及微纳制造
,尤其涉及一种温度反应器及其制作方法。
技术介绍
温度反应器在生产TEM/SEM类测试设备的应用已随处可见,具体地,所述温度反应器设置在所述TEM/SEM类测试设备内部,用来观察化学、生物等领域样品的原位反应过程。在实现本专利技术的过程中,专利技术人发现现有技术中至少存在如下技术问题:首先,传统的温度反应器使用时存在上下窗口难以对准,样品容易污染以及密封性难以保证的问题;其次,温度反应器在TEM/SEM类测试设备内部不易观察和探测,而且由于加温过程难以控制导致加温不准确。
技术实现思路
本专利技术提供的温度反应器及其制作方法,通过在温度反应器制作工艺过程中形成密封腔体和观察窗口并在形成密封腔体的密封层中设置测温电阻,能够克服传统的温度反应器使用时存在的由于上下窗口难以对准导致测试样品容易污染以及密封性难以保证的问题,传统的温度反应器在TEM/SEM类测试设备内部不易观察和探测以及避免测试观察过程中出现加温不准确的问题发生。第一方面,本专利技术提供一种温度反应器,所述温度反应器自下而上依次包括保护层、硅衬底、观察层、第一钝化层、密封腔、密封层、第二钝化层,所述温度反应器还包括多个加热电阻、多个测温电阻、两个连通所述密封腔的凹槽和一个观察窗口;其中,所述多个加热电阻沉积在所述观察层上且位于所述第一钝化层中,所述多个测温电阻沉积在所述密封层上且位于所述第二钝化层中,所述凹槽贯穿于所述保护层、所述硅衬底、所述观察层、所述第一钝化层以连通所述密封腔,所述观察窗口贯穿于所述保护层和所述硅衬底。第二方面,本专利技术提供一 ...
【技术保护点】
1.一种温度反应器,其特征在于,所述温度反应器自下而上依次包括保护层、硅衬底、观察层、第一钝化层、密封腔、密封层、第二钝化层,所述温度反应器还包括多个加热电阻、多个测温电阻、两个连通所述密封腔的凹槽和一个观察窗口;其中,所述加热电阻沉积在所述观察层上且位于所述第一钝化层中,所述测温电阻沉积在所述密封层上且位于所述第二钝化层中,所述凹槽贯穿于所述保护层、所述硅衬底、所述观察层、所述第一钝化层以连通所述密封腔,所述观察窗口贯穿于所述保护层和所述硅衬底。
【技术特征摘要】
1.一种温度反应器,其特征在于,所述温度反应器自下而上依次包括保护层、硅衬底、观察层、第一钝化层、密封腔、密封层、第二钝化层,所述温度反应器还包括多个加热电阻、多个测温电阻、两个连通所述密封腔的凹槽和一个观察窗口;其中,所述加热电阻沉积在所述观察层上且位于所述第一钝化层中,所述测温电阻沉积在所述密封层上且位于所述第二钝化层中,所述凹槽贯穿于所述保护层、所述硅衬底、所述观察层、所述第一钝化层以连通所述密封腔,所述观察窗口贯穿于所述保护层和所述硅衬底。2.根据权利要求1所述的温度反应器,其特征在于,所述加热电阻的材料为铂、镍或者钨,所述测温电阻的材料为铂、铜、镍或者铁。3.根据权利要求1所述的温度反应器,其特征在于,所述密封层的材料为二氧化硅、氮化硅或者三氧化二铝。4.根据权利要求1所述的温度反应器,其特征在于,所述第一钝化层为氮化硅或者二氧化硅透明介质材料。5.根据权利要求1所述的温度反应器,其特征在于,所述第二钝化层为氮化硅,二氧化硅或者三氧化二铝透明介质材料。6.根据权利要求1所述的温度反应器,其特征在于,所述保护层和所述观察层为应力小于50兆帕的低应力氮化硅层。7.一种温度反应器的制备方法,其特征在于,包括:在硅衬底的上下表面上同时沉积观察层和保护层;刻蚀所述保护层以形成贯穿于所述保护层的两个凹槽下开口和一个观察窗口开口;在所...
【专利技术属性】
技术研发人员:蒋文静,刘战峰,欧文,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,
类型:发明
国别省市:北京,11
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