一种滤波电路及其形成方法技术

本申请实施例公开了一种滤波电路及其形成方法，通过在下层金属层形成金属槽线，从而使滤波电路具有优良的带外抑制度，在金属槽线上绑钉第一金属绑线可以调整金属槽线的参数，从而可以提高滤波电路的带外抑制度；通过缺陷耦合片可以使输入输出端口与谐振单元有较好的耦合度，在缺陷耦合片上绑钉第二金属绑线可以修正缺陷耦合片的加工误差，从而提高输入输出端口与谐振单元的耦合度，降低滤波电路的插入损耗。

A Filtering Circuit and Its Formation Method

The embodiment of this application discloses a filter circuit and its forming method. By forming a metal groove line in the lower metal layer, the filter circuit has excellent out-of-band rejection. The parameters of the metal groove line can be adjusted by binding the first metal tie line on the metal groove line, thereby improving the out-of-band rejection of the filter circuit. The input and output ports can be harmonized through the defective coupling chip. Vibration element has good coupling degree. The second metal tie on the defect coupling chip can correct the machining error of the defect coupling chip, thus improving the coupling degree between input and output ports and resonant element, and reducing the insertion loss of filter circuit.

【技术实现步骤摘要】
一种滤波电路及其形成方法
本申请涉及半导体领域，特别是涉及一种滤波电路及其形成方法。
技术介绍
滤波电路可以在射频/微波系统中实现选频滤波，具体的，信号在输入滤波电路后，滤波电路可以对信号中的特定频率进行滤除，输出该频率之外的其他频率的信号。现有技术中，利用微机电系统技术加工可以形成在毫米波段具有高Q值、低差损、小体积的滤波电路，该滤波电路可以与常规单片微波集成电路(MonolithicMicrowaveIntegratedCircuit，MMIC)工艺相兼容等优点，不仅成为各类电子器件的发展趋势，也成为解决毫米波收发组件单片化的最佳手段。然而，在小体积的滤波电路中，加工工艺对滤波电路的性能的影响越专利技术显，如何降低加工误差对滤波电路性能的影响，是一个亟待解决的问题。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本申请实施例提供一种滤波电路及其形成方法，以准确的提高滤波电路对频率的选择性。本申请实施例提供了一种滤波电路，包括叠层结构，所述叠层结构包括衬底、位于所述衬底第一面的上层金属层和位于所述衬底第二面的下层金属层；所述叠层结构上形成有第一谐振单元以及与所述第一谐振单元耦合的第二谐振单元；所述第一谐振单元包括贯穿所述叠层结构的第一通孔阵列；所述第二谐振单元包括贯穿所述叠层结构的第二通孔阵列；所述上层金属层上形成有第一输入输出端口和第二输入输出端口，所述第一输入输出端口与所述第一谐振单元通过第一缺陷耦合片耦合，所述第二输入输出端口与所述第二谐振单元通过第二缺陷耦合片耦合；所述下层金属层上形成有呈缺陷环状的金属槽线，所述金属槽线位于所述第一谐振单元和所述第二谐振单元耦合处；所述金属槽线上绑钉有第一金属绑线。可选的，所述第一缺陷耦合片和/或所述第二缺陷耦合片上绑钉有第二金属绑线。可选的，所述第一金属绑线和所述第二金属绑线的材质为金。可选的，所述第一谐振单元和所述第二谐振单元通过耦合孔连接。本申请实施例提供了另一种滤波电路，包括叠层结构，所述叠层结构包括衬底、位于所述衬底第一面的上层金属层和位于所述衬底第二面的下层金属层；所述叠层结构上形成有第一谐振单元以及与所述第一谐振单元耦合的第二谐振单元；所述第一谐振单元包括贯穿所述叠层结构的第一通孔阵列；所述第二谐振单元包括贯穿所述叠层结构的第二通孔阵列；所述上层金属层上形成有第一输入输出端口和第二输入输出端口，所述第一输入输出端口与所述第一谐振单元通过第一缺陷耦合片耦合，所述第二输入输出端口与所述第二谐振单元通过第二缺陷耦合片耦合，所述第一缺陷耦合片和/或所述第二缺陷耦合片上绑钉有第二金属绑线；所述下层金属层上形成有呈缺陷环状的金属槽线，所述金属槽线位于所述第一谐振单元和所述第二谐振单元耦合处。可选的，所述金属槽线上绑钉有第一金属绑线。可选的，所述第一金属绑线和所述第二金属绑线的材质为金。可选的，所述第一谐振单元和所述第二谐振单元通过耦合孔连接。本申请实施例提供了一种形成滤波电路的方法，所述方法包括：形成叠层结构，所述叠层结构包括衬底、位于所述衬底第一面的上层金属层和位于所述衬底第二面的下层金属层；在所述叠层结构上形成第一谐振单元以及与所述第一谐振单元耦合的第二谐振单元；所述第一谐振单元包括贯穿所述叠层结构的第一通孔阵列；所述第二谐振单元包括贯穿所述叠层结构的第二通孔阵列；在所述上层金属层上形成第一输入输出端口和第二输入输出端口，所述第一输入输出端口与所述第一谐振单元通过第一缺陷耦合片耦合，所述第二输入输出端口与所述第二谐振单元通过第二缺陷耦合片耦合；在所述下层金属层上形成呈缺陷环状的金属槽线，所述金属槽线位于所述第一谐振单元和所述第二谐振单元耦合处；在所述金属槽线上绑钉第一金属绑线。本申请实施例提供了另一种形成滤波电路的方法，所述方法包括：形成叠层结构，所述叠层结构包括衬底、位于所述衬底第一面的上层金属层和位于所述衬底第二面的下层金属层；在所述上层金属层上形成有第一输入输出端口和第二输入输出端口，所述第一输入输出端口与所述第一谐振单元通过第一缺陷耦合片耦合，所述第二输入输出端口与所述第二谐振单元通过第二缺陷耦合片耦合；在所述下层金属层上形成有呈缺陷环状的金属槽线，所述金属槽线位于所述第一谐振单元和所述第二谐振单元耦合处；在所述叠层结构上形成第一谐振单元以及与所述第一谐振单元耦合的第二谐振单元；所述第一谐振单元包括贯穿所述叠层结构的第一通孔阵列；所述第二谐振单元包括贯穿所述叠层结构的第二通孔阵列；在所述第一缺陷耦合片和/或所述第二缺陷耦合片上绑钉第二金属绑线。在本申请实施例中提供了一种滤波电路及其形成方法，通过在下层金属层形成金属槽线，从而使滤波电路具有优良的带外抑制度，在金属槽线上绑钉第一金属绑线可以调整金属槽线的参数，从而可以提高滤波电路的带外抑制度；通过缺陷耦合片可以使输入输出端口与谐振单元有较好的耦合度，在缺陷耦合片上绑钉第二金属绑线可以修正缺陷耦合片的加工误差，从而提高输入输出端口与谐振单元的耦合度，降低滤波电路的插入损耗。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的一种滤波电路的示意图；图2所示为本申请实施例提供的一种滤波电路的细节图；图3为本申请实施例提供的一种带通滤波电路的选频示意图；图4为本申请实施例提供的一种在金属槽线上绑钉第一金属绑线的示意图；图5为本申请实施例提供的第一金属绑线的不同绑钉位置对应的带外传输零点的示意图；图6为本申请实施例提供的一种在缺陷耦合片上绑钉第二金属绑线的示意图；图7为本申请实施例提供的一种滤波电路的形成方法的流程图。具体实施方式为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，但是本申请还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似推广，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。其次，本申请结合示意图进行详细描述，在详述本申请实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本申请保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。专利技术人经过研究发现，现有技术中，利用微机电系统技术加工可以得到在毫米波段性能较好的滤波电路，然而，这种滤波电路的体积通常较小，对微机电系统的加工工艺要求也较高，较小的加工误差也可能导致滤波电路的性能受到明显的影响，例如加工误差可能导致滤波电路的带外选择性不能满足用户的需求，也可能导致滤波电路的插入损耗增大，影响输出信号的质量。因此，如何在微机电系统技术中克服加工误差带来的影响，是一个亟待解决的问题。基于此，在本申请实施例中，提供了一种滤波电路及其形成方法，其中，滤波电路包括叠层结构，叠层结构包括衬底、位于衬底第一面的上层金属层和位于衬底第二面的下层金属层；叠层结构上形成有第一谐振单元以及与第一谐振单元耦合的第二谐振单元；第一谐振单元包括贯穿叠层结构的第一通孔阵列；第二谐振单本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种滤波电路，其特征在于，包括叠层结构，所述叠层结构包括衬底、位于所述衬底第一面的上层金属层和位于所述衬底第二面的下层金属层；所述叠层结构上形成有第一谐振单元以及与所述第一谐振单元耦合的第二谐振单元；所述第一谐振单元包括贯穿所述叠层结构的第一通孔阵列；所述第二谐振单元包括贯穿所述叠层结构的第二通孔阵列；所述上层金属层上形成有第一输入输出端口和第二输入输出端口，所述第一输入输出端口与所述第一谐振单元通过第一缺陷耦合片耦合，所述第二输入输出端口与所述第二谐振单元通过第二缺陷耦合片耦合；所述下层金属层上形成有呈缺陷环状的金属槽线，所述金属槽线位于所述第一谐振单元和所述第二谐振单元耦合处；所述金属槽线上绑钉有第一金属绑线。

【技术特征摘要】
1.一种滤波电路，其特征在于，包括叠层结构，所述叠层结构包括衬底、位于所述衬底第一面的上层金属层和位于所述衬底第二面的下层金属层；所述叠层结构上形成有第一谐振单元以及与所述第一谐振单元耦合的第二谐振单元；所述第一谐振单元包括贯穿所述叠层结构的第一通孔阵列；所述第二谐振单元包括贯穿所述叠层结构的第二通孔阵列；所述上层金属层上形成有第一输入输出端口和第二输入输出端口，所述第一输入输出端口与所述第一谐振单元通过第一缺陷耦合片耦合，所述第二输入输出端口与所述第二谐振单元通过第二缺陷耦合片耦合；所述下层金属层上形成有呈缺陷环状的金属槽线，所述金属槽线位于所述第一谐振单元和所述第二谐振单元耦合处；所述金属槽线上绑钉有第一金属绑线。2.根据权利要求1所述的滤波电路，其特征在于，所述第一缺陷耦合片和/或所述第二缺陷耦合片上绑钉有第二金属绑线。3.根据权利要求1或2所述的滤波电路，其特征在于，所述第一金属绑线和所述第二金属绑线的材质为金。4.根据权利要求1所述的滤波电路，其特征在于，所述第一谐振单元和所述第二谐振单元通过耦合孔连接。5.一种滤波电路，其特征在于，包括叠层结构，所述叠层结构包括衬底、位于所述衬底第一面的上层金属层和位于所述衬底第二面的下层金属层；所述叠层结构上形成有第一谐振单元以及与所述第一谐振单元耦合的第二谐振单元；所述第一谐振单元包括贯穿所述叠层结构的第一通孔阵列；所述第二谐振单元包括贯穿所述叠层结构的第二通孔阵列；所述上层金属层上形成有第一输入输出端口和第二输入输出端口，所述第一输入输出端口与所述第一谐振单元通过第一缺陷耦合片耦合，所述第二输入输出端口与所述第二谐振单元通过第二缺陷耦合片耦合，所述第一缺陷耦合片和/或所述第二缺陷耦合片上绑钉有第二金属绑线；所述下层金属层上形成有呈缺陷环状的金属槽线，所述金属槽线位于所述第一谐振单元和所述第二谐振单元耦合处。6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：万晶，梁晓新，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11