基于OLED的液体流速光电传感器制造技术

技术编号:21163482 阅读:19 留言:0更新日期:2019-05-22 08:50
本专利是一种基于OLED的液体流速光电传感器,所述的光电传感器包括CMOS电路基底、两个OLED发光单元、六个光电二极管、封装层。所述的OLED发光单元,在阳极上制作一层Si‑SiO2光栅,用来增强OLED的光输出效率,提高传感器的灵敏度。将OLED和光电二极管与CMOS工艺结合,有利于光电传感器简化制作流程、降低成本、提高测量性能。

Liquid Flow Rate Photoelectric Sensor Based on OLED

This patent is a liquid flow photoelectric sensor based on OLED. The photoelectric sensor includes CMOS circuit base, two OLED light emitting units, six photodiodes and packaging layer. The OLED light emitting unit fabricates a layer of Si_SiO 2 grating on the anode to enhance the optical output efficiency of OLED and improve the sensitivity of the sensor. The combination of OLED and photodiode with CMOS technology can simplify the fabrication process, reduce the cost and improve the measurement performance of photoelectric sensors.

【技术实现步骤摘要】
基于OLED的液体流速光电传感器
本专利涉及液体流速监测领域,具体是一种基于OLED的液体流速光电传感器。
技术介绍
光电传感器的研究与应用是当今最为重要的一项技术,这种传感器是基于光电效应,物体在受到可见光照射后反射光波,传感器感应光波将广播信号转换成电流信号传输出去,同时将光电传感器集成在CMOS衬底上,使得观点传感器的制造流程简化、成本降低。但传统的光电传感器由于光源的光输出效率较低,并且感光器件的响应速度较慢等原因,大大降低了检测的灵敏度,使得测量结果偏差较大,同时液体对于光的反射能力不强,所以对于液体流速的测量存在着一定的困难。
技术实现思路
为了解决上述问题,本专利提供了一种基于OLED的液体流速光电传感器。一种基于OLED的液体流速光电传感器,包括两个OLED发光单元、六个光电二极管、CMOS电路基底、封装。将OLED与光电二极管依次集成在CMOS衬底上,并进行封装。其中,所述的OLED发光单元为顶部发光的结构,由阳极、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层、阴极组成,但是为了增强其发光效率,我们利用在阳极上制造的光栅层,来提高光的输出效率,用化学气相沉积沉积SiO2,利用光刻技术在阳极上形成二氧化硅光栅层,在所产生的SiO2光栅上覆盖一层通过PE-CVD沉积的掺杂非晶硅,最后通过化学机械平坦化使结构平坦化,使彼此相邻的SiO2和Si条带具有相同高度,增加了发光器件的外耦合效率,使其发光效率得到提高。进一步,所述OLED发光单元包含驱动电路,驱动电路为4T2C结构。进一步,所述光电二极管为PIN型光电二极管。附图说明图1是本专利法的结构示意图。图2是OLED发光单元光栅的结构示意图。图1中1为OLED发光单元,2为光电二极管,3为CMOS电路基板,4为封装薄膜;图2中1为硅,2为二氧化硅,3为阳极。具体实施方式下面结合附图对本专利技术进行详细说明。如图1所示,包括两个OLED发光单元、六个光电二极管、CMOS电路基底、封装,将OLED与光电二极管如图依次集成在CMOS衬底上,并进行封装。作为优选,光电二极管采用PIN型光电二极管,其具有响应速度快的有点。作为优选,OLED发光单元的驱动电路采用4T2C结构的驱动电路。所述的OLED发光单元由阳极、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层、阴极组成,如图2所示,在阳极上制作光栅层,在阳极上用化学气相沉积沉积SiO2,在SiO2层上放一层光刻胶薄膜,然后用紫外光通过掩模版照射出光栅图案,溶解去除曝光区域的光刻胶,使掩模版上的光栅图案复制到光刻薄膜上,最后利用刻蚀技术将光栅图案转移到SiO2层上形成光栅,在所产生的SiO2光栅上覆盖一层通过PE-CVD沉积的掺杂非晶硅,最后通过化学机械平坦化使结构平坦化,使彼此相邻的SiO2和Si条带具有相同高度,以此形成的光栅层可增强OLED的发光效率。集成的OLED照亮传输管道,根据流体的局部流动速度和粒子密度,发射光或多或少会反射回传感器,光电二极管测量这种反射光,通过分析多个光电二极管的输出信号和这多个信号的相关函数,可以计算流体的流动速度,同时需要考虑到光电二极管之间的距离。同时本专利还可以用于检测液体中某些特定大分子物质的存在,对于不同分子的来说,可以根据反射的光的强度也不同,来判断是否存在此物质。以上所述,只是本专利的较佳实施例而已,本专利并不局限于上述实施方式,只要其以相同的手段达到本专利技术的技术效果,都应属于本专利的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于OLED的液体流速光电传感器,所述的光电传感器包括CMOS电路基底、两个OLED发光单元、六个光电二极管、封装层,将OLED发光单元和光电二极管依次集成在CMOS电路上。

【技术特征摘要】
1.一种基于OLED的液体流速光电传感器,所述的光电传感器包括CMOS电路基底、两个OLED发光单元、六个光电二极管、封装层,将OLED发光单元和光电二极管依次集成在CMOS电路...

【专利技术属性】
技术研发人员:韦一柏沁园唐莹彭应全王玉龙杨媚
申请(专利权)人:中国计量大学
类型:发明
国别省市:浙江,33

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