一种铜保护剂制造技术

本发明专利技术提供一种铜保护剂，具有下列分子式(I)的分子结构：HS‑R(I)，其中，R为C1～20直链或支链烷基。

A Copper Protective Agent

The invention provides a copper protectant with the molecular structure of the following formula (I): HS R (I), where R is C1 - 20 linear chain or branched alkyl.

【技术实现步骤摘要】
一种铜保护剂
本专利技术涉及LCD制程领域，特别涉及一种铜保护剂。
技术介绍
在TFT-LCD的生产过程中，一般以化学蚀刻防方法形成金属电极。具体来说，首先对金属层表面的光阻进行图案化以定义光阻层，然后通过化学药品腐蚀掉未被所述光阻层保护的区域，再将所述光阻层剥离，完成金属层的图案化制程。光阻剥离液通常为有机体系，呈碱性。在剥离过程中，部分用于分解光阻的物质会同时对铜进攻，造成铜的腐蚀，所以在剥离液中一般添加铜保护剂，减少铜的腐蚀。然而，目前没有关于用于LCD制程的铜保护剂的相关报道。因此，我们需要一种新的铜保护剂，以解决目前存在的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种铜保护剂，所述铜保护剂可以降低铜在碱性环境中的腐蚀，并且具有合成方法简单、提纯方便等优点。为了达到上述目的，本专利技术首先提供一种铜保护剂，具有下列分子式(I)的分子结构：HS—R……………………………(I)，其中，R为C1～20直链或支链烷基。在本专利技术一实施例中，所述R为C1～10直链或支链烷基。例如，所述R为甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、2-乙基丁基、正戊基、异戊基、1-甲基戊基、1,3-二甲基丁基、正己基、1-甲基己基、正庚基、异庚基、1,1,3,3-四甲基丁基、1-甲基庚基、3-甲基庚基、正辛基、2-乙基己基、1,1,3-三甲基己基、1,1,3,3-四甲基戊基、壬基或癸基。在本专利技术一实施例中，所述R为正丁基、仲丁基、异丁基或叔丁基。在本专利技术一实施例中，所述铜保护剂具有下列分子式(1)至分子式(4)的分子结构：本专利技术还提供上述铜保护剂的制备方法。所述方法是在-78℃下，在惰性气体保护下，向卤代烃的四氢呋喃溶液中滴加正丁基锂；然后向反应体系加入硫粉，逐渐升至室温，并在室温下反应；随后以有机溶剂进行萃取，获得粗产物；最后，以柱层析技术或蒸馏技术提纯，获得纯化的铜保护剂。在本专利技术一实施例中，所述有机溶剂为二氯甲烷或乙醚。在本专利技术一实施例中，所述硫粉与所述卤代烃的质量比范围为1:1～1:1.5。在本专利技术一实施例中，所述卤代烃为溴代烃，并且优选地，所述卤代烃为一溴代烃。在本专利技术一实施例中，所述溴代烷为1-溴丁烷、2-溴丁烷、1-溴-2甲基丙烷或2-溴-2-甲基丙烷。在本专利技术一较佳实施例中，提供一种上述铜保护剂的制备方法。所述方法是在液氮丙酮浴中(-78℃下)，在惰性气体保护下，向溴代烷的四氢呋喃溶液中滴加1.2当量的正丁基锂；然后向反应体系加入1.5当量的硫粉，逐渐升至室温，并在室温下反应；随后以有机溶剂进行萃取，获得粗产物；最后，以柱层析技术或蒸馏技术提纯，获得纯化的铜保护剂；其中，所述溴代烷选自由1-溴丁烷、2-溴丁烷、1-溴-2甲基丙烷和2-溴-2-甲基丙烷组成的群组。本领域技术人员可以理解的是，术语“C1～20直链或支链烷基”是指具有1～20个碳原子的直链或支链烷基，例如单不限于甲基、乙基、异丙基、正丙基、异丁基、正丁基、叔丁基、正戊基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1,1-二甲基丙基、1,2-二甲基丙基、2,2-二甲基丙基、1-乙基丙基、正己基、正庚基、正辛基、乙基己基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基或二十烷基。本领域技术人员可以理解的是，如无特殊说明，本专利技术中所用试剂均为市售商品。所述1-溴丁烷的化学物质登录号(CAS号)为109-65-9，所述2-溴丁烷的CAS号为78-76-2，所述1-溴-2甲基丙烷的CAS号为78-77-3，所述2-溴-2-甲基丙烷的CAS号为507-19-7。在本专利技术的所述铜保护剂中，利用SH活性基团与铜的作用，降低了铜在碱性环境中的腐蚀。同时，R基团则确保所述铜保护剂可以在剥离液中有较大的溶解性。具体实施方式以下，结合具体实施方式，对本专利技术的技术进行详细描述。应当知道的是，以下具体实施方式仅用于帮助本领域技术人员理解本专利技术，而非对本专利技术的限制。实施例1在本实施例中，提供一种铜保护剂，具有下列分子式(I)的分子结构：HS-R……………………………(I)，其中，R为C1～20直链或支链烷基。上述铜保护剂的合成线路如下：具体来说，在液氮丙酮浴中(-78℃)，在惰性气体保护下，向溴代烷的四氢呋喃溶液中滴加1.2当量的正丁基锂(通常是正丁基锂的正己烷溶液)，保温半小时。随后，向反应体系中加入相当于溴代烷1.5当量的硫粉，逐渐升至室温，并在室温下反应1h。随后将反应溶液加入水中，并用有机溶剂将反应产出R-SH萃取出来。随后，蒸干溶剂可得到R-SH粗产物。将粗产物利用柱层析技术或蒸馏技术提纯，可得到纯化产物。其中，所述有机溶剂为二氯甲烷或乙醚，所述溴代烷为1-溴丁烷、2-溴丁烷、1-溴-2甲基丙烷或2-溴-2-甲基丙烷。实施例2在本实施例中，提供一种铜保护剂，具有分子式(1)的分子结构：上述铜保护剂的合成线路如下：具体来说，在液氮丙酮浴中(-78℃)，在惰性气体保护下，向1-溴丁烷的四氢呋喃溶液中滴加1.2当量的正丁基锂(通常是正丁基锂的正己烷溶液)，保温半小时。随后，向反应体系中加入相当于1-溴丁烷1.5当量的硫粉，逐渐升至室温，并在室温下反应1小时。随后将反应溶液加入水中，并用二氯甲烷或乙醚进行萃取，蒸干溶剂可得到粗产物。将粗产物利用柱层析技术或蒸馏技术提纯，可得到纯化产物，即为目标产物。经质谱分析，目标产物的质核比(M/Z)值为90。实施例3在本实施例中，提供一种铜保护剂，具有下列分子式(2)的分子结构：上述铜保护剂的合成线路如下：具体来说，在液氮丙酮浴中(-78℃)，在惰性气体保护下，向2-溴丁烷的四氢呋喃溶液中滴加1.2当量的正丁基锂(通常是正丁基锂的正己烷溶液)，保温半小时。随后，向反应体系中加入相当于2-溴丁烷1.5当量的硫粉，逐渐升至室温，并在室温下反应1小时。随后将反应溶液加入水中，并用二氯甲烷或乙醚进行萃取，蒸干溶剂可得到粗产物。将粗产物利用柱层析技术或蒸馏技术提纯，可得到纯化产物，即为目标产物。经质谱分析，目标产物的质核比(M/Z)值为90。实施例4在本实施例中，提供一种铜保护剂，具有下列分子式(3)的分子结构：上述铜保护剂的合成线路如下：具体来说，在液氮丙酮浴中(-78℃)，在惰性气体保护下，向1-溴-2甲基丙烷的四氢呋喃溶液中滴加1.2当量的正丁基锂(通常是正丁基锂的正己烷溶液)，保温半小时。随后，向反应体系中加入相当于1-溴-2甲基丙烷1.5当量的硫粉，逐渐升至室温，并在室温下反应1小时。随后将反应溶液加入水中，并用二氯甲烷或乙醚进行萃取，蒸干溶剂可得到粗产物。将粗产物利用柱层析技术或蒸馏技术提纯，可得到纯化产物，即为目标产物。经质谱分析，目标产物的质核比(M/Z)值为90。实施例5在本实施例中，提供一种铜保护剂，具有下列分子式(4)的分子结构：上述铜保护剂的合成线路如下：具体来说，在液氮丙酮浴中(-78℃)，在惰性气体保护下，向2-溴-2甲基丙烷的四氢呋喃溶液中滴加1.2当量的正丁基锂(通常是正丁基锂的正己烷溶液)，保温半小时。随后，向反应体系中加入相当于2-溴-2甲基丙烷1.5当量的硫粉，逐渐升至室温，并在室温下反应1小时。随后将反应溶液加本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铜保护剂，具有下列分子式(I)的分子结构：HS——R……………………………(I)，其中，R为C1～20直链或支链烷基。

【技术特征摘要】
1.一种铜保护剂，具有下列分子式(I)的分子结构：HS——R……………………………(I)，其中，R为C1～20直链或支链烷基。2.如权利要求1所述的铜保护剂，其特征在于，所述R为C1～10直链或支链烷基。3.如权利要求1所述的铜保护剂，其特征在于，所述R为正丁基、仲丁基、异丁基或叔丁基。4.如权利要求1所述的铜保护剂，其特征在于，具有下列分子式(1)至分子式(4)的分子结构：5.一种权利要求1所述的铜保护剂的制备方法，其特征在于，所述方法是在-78℃下，在惰性气体的保护下，向卤代烃的四氢呋喃溶液中滴加正丁基锂；...

【专利技术属性】
技术研发人员：武岳，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44