制造半导体装置的方法制造方法及图纸

技术编号:21162821 阅读:163 留言:0更新日期:2019-05-22 08:42
一种制造半导体装置的方法包括形成具有源极区及漏极区的晶体管。在源极区/漏极区上形成以下各者:第一通孔;第一金属层,在所述第一通孔上沿着第一方向延伸;第二通孔,在所述第一金属层上与所述第一通孔交叠;以及第二金属层,在所述第二通孔上沿着与所述第一方向不同的第二方向延伸;且在漏极区/源极区上形成以下各者:第三通孔;第三金属层,位于所述第三通孔上;第四通孔,在所述第三金属层之上与所述第三通孔交叠;以及受控装置,在所述第三金属层上处于与所述第二金属层相同的高度层级。

Method of Manufacturing Semiconductor Devices

A method for manufacturing semiconductor devices includes forming transistors with source and drain regions. The following are formed on the source/drain region: a first through hole; a first metal layer extending along the first through hole in the first direction; a second through hole overlapping the first through hole on the first metal layer; and a second metal layer extending along the second direction different from the first direction; and forming the following on the drain/source region. Each of them: a third through hole; a third metal layer located on the third through hole; a fourth through hole overlapping the third through hole on the third metal layer; and a controlled device at the same height level as the second metal layer on the third metal layer.

【技术实现步骤摘要】
制造半导体装置的方法
本专利技术的实施例是有关于一种制造半导体装置的方法。更具体来说,本专利技术的实施例是有关于一种具有垂直布线结构的半导体装置及一种制造所述半导体装置的方法,所述半导体装置是通过由所述装置的垂直布线结构提供的策略而设计。
技术介绍
随着对用于小型化装置(例如便携式装置)或使计算能力更强大的高密度集成电路的需求增加,开发出了高纵横比(highaspectratio)装置。虽然高纵横比装置所占据的衬底表面积与低纵横比薄膜装置相比减小,然而高纵横比装置的控制电路的组件仍分散在衬底的表面之上。对于由多个控制装置控制的装置(例如,控制晶体管的源极的多个电压电平以对装置的漏极实现精密控制),所述多个控制装置将占据衬底中大量的表面积。因此,需要一种可以在增强可控制性的同时有效地减小由装置以及对装置进行控制的控制装置所占据的衬底表面积的多功能装置。
技术实现思路
本专利技术的一实施例公开一种制造半导体装置的方法,其特征在于,所述方法包括:在衬底上形成晶体管,所述晶体管具有源极区及漏极区;在所述源极区:在所述源极区之上形成第一通孔;在所述第一通孔上形成第一金属层,所述第一金属层沿着第一方向延伸;在所述第一金属层之上形成第二通孔,所述第二通孔与所述第一通孔交叠;以及在所述第二通孔上形成第二金属层,所述第二金属层沿着与所述第一方向不同的第二方向延伸,以及在所述漏极区:在所述漏极区之上形成第三通孔,所述第三通孔处于与所述第一通孔相同的高度层级;在所述第三通孔上形成第三金属层;在所述第三金属层之上形成第四通孔,所述第四通孔与所述第三通孔交叠;以及在所述第四通孔上形成受控装置,所述受控装置处于与所述第二金属层相同的高度层级并由所述晶体管控制。本专利技术的一实施例公开一种制造半导体装置的方法,其特征在于,所述方法包括:在衬底之上形成晶体管,所述晶体管具有源极区及漏极区;在所述源极区:在所述源极区上在第一层间介电层中形成被第一保护层环绕的第一通孔;在所述第一通孔上形成第一金属层,所述第一金属层沿着第一方向延伸;在所述第一金属层之上在第二层间介电层中形成被第二保护层环绕的第二通孔,所述第二通孔与所述第一通孔交叠;以及在所述第二通孔上形成第二金属层,所述第二金属层沿着与所述第一方向不同的第二方向延伸,以及在所述漏极区:在所述漏极区之上在所述第一层间介电层中形成被第三保护层环绕的第三通孔,所述第三通孔处于与所述第一通孔相同的高度层级;在所述第三通孔上形成第三金属层;在所述第三金属层之上在所述第二层间介电层中形成被第四保护层环绕的第四通孔,所述第四通孔与所述第三通孔交叠;以及在所述第四通孔上形成受控装置,所述受控装置处于与所述第二金属层相同的高度层级并由所述晶体管控制。本专利技术的一实施例公开一种半导体装置,其特征在于,包括:晶体管,位于衬底上,所述晶体管具有源极区及漏极区;第一通孔,位于所述源极区/漏极区之上;第一金属层,位于所述第一通孔上,所述第一金属层沿着第一方向延伸;第二通孔,位于所述第一金属层之上,所述第二通孔与所述第一通孔交叠;以及第二金属层,位于所述第二通孔上,所述第二金属层沿着与所述第一方向不同的第二方向延伸;第三通孔,位于所述漏极区/源极区之上,所述第三通孔处于与所述第一通孔相同的高度层级;第三金属层,位于所述第三通孔上;第四通孔,位于所述第三金属层之上,所述第四通孔与所述第三通孔交叠;以及受控装置,位于所述第四通孔上,所述装置处于与所述第二金属层相同的高度层级并由所述晶体管控制。附图说明结合附图阅读以下详细说明,会最佳地理解本专利技术。应强调,根据业内标准惯例,各种特征并非按比例绘制且仅用于说明目的。事实上,为使论述清晰起见,可任意增大或减小各种特征的尺寸。图1示出根据本专利技术实施例沿着x方向或源极-漏极方向被剖切的半导体装置的剖视图。图2(a)示出图1所示半导体装置的俯视平面图,且图2(b)及图2(c)示出图2(a)的替代实施例。图3、图4、图5、图6、图7、图8(a)或图8(b)、图9(a)或图9(b)、及图10(a)或图10(b)示出根据本专利技术实施例形成图1所示半导体装置的一部分的循序制造操作。图11、图12、图13、图14、图15、图16、及图17示出根据本专利技术实施例形成图1所示半导体装置的剩余部分的循序制造操作。图18示出根据本专利技术另一实施例的半导体装置的剖视图。图19示出根据本专利技术另一实施例的半导体装置的剖视图。图20示出根据本专利技术实施例形成图1所示半导体装置的方法。图21示出根据本专利技术实施例的半导体装置的剖视图。图22、图23、图24、图25、图26、图27、图28、及图29示出根据本专利技术实施例形成图21所示半导体装置的一部分的循序制造操作。图30、图31、图32、图33、图34、及图35示出根据本专利技术实施例形成图21所示半导体装置的剩余部分的循序制造操作。图36示出根据本专利技术实施例形成图21所示半导体装置的方法。附图标号说明100:半导体衬底/衬底110:缓冲层120:第一井层/井层130:隔离绝缘层/浅沟槽隔离层140:源极区/源极部分/漏极区/漏极部分/扩散区/左扩散区/右扩散区140’:凹槽150:第二半导体层160:栅极介电层170:栅极电极层180:侧壁间隔物190a、190b、190c、190d、190e、190f、190g、190h、190i、190j、190k、190l、190m、190n、190o:通孔190a’、190b’、190c’、190d’、190e’、190f’、190g’、190h’、190i’、190j’、190k’、190l’:保护层200a、200b、200c、210a、210b、210c、210d、210e、210f、210g、210h:金属层220:受控装置300a、300b、300d、300f、300h、300j、300l:第一层间介电层/层间介电层300c、300e、300g、300i、300k:第二层间介电层/层间介电层400a、410a、410e:控制装置/装置400b、400c、410b、410c、410d、410f、410g、410h:控制装置C:假想圆S2001、S2002、S2003、S2004、S2005、S2006、S2007、S2008、S2009、S2010、S2011、S2012、S3601、S3602、S3603、S3604、S3605、S3606、S3607、S3608、S3609、S3610、S3611、S3612:操作x、y、z:方向具体实施方式应理解,以下公开内容提供用于实现本专利技术的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件及构造的具体实施例或实例以简化本专利技术。当然,这些仅为实例且不旨在进行限制。举例来说,各元件的尺寸并非仅限于所公开的范围或值,而是可取决于装置的工艺条件及/或所需性质。此外,以下说明中将第一特征形成在第二特征之上或第二特征上可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例,且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有额外特征、从而使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。为简洁及清晰起见,可以不同比例任意地绘制各种特征。此外,为易于说明,本文中可能使用例如“在...下方(beneath)”、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体装置的方法,其特征在于,所述方法包括:在衬底上形成晶体管,所述晶体管具有源极区及漏极区;在所述源极区:在所述源极区之上形成第一通孔;在所述第一通孔上形成第一金属层,所述第一金属层沿着第一方向延伸;在所述第一金属层之上形成第二通孔,所述第二通孔与所述第一通孔交叠;以及在所述第二通孔上形成第二金属层,所述第二金属层沿着与所述第一方向不同的第二方向延伸,以及在所述漏极区:在所述漏极区之上形成第三通孔,所述第三通孔处于与所述第一通孔相同的高度层级;在所述第三通孔上形成第三金属层;在所述第三金属层之上形成第四通孔,所述第四通孔与所述第三通孔交叠;以及在所述第四通孔上形成受控装置,所述受控装置处于与所述第二金属层相同的高度层级并由所述晶体管控制。

【技术特征摘要】
2017.11.15 US 62/586,726;2018.03.30 US 15/941,7161.一种制造半导体装置的方法,其特征在于,所述方法包括:在衬底上形成晶体管,所述晶体管具有源极区及漏极区;在所述源极区:在所述源极区之上形成第一通孔;在所述第一通孔上形成第一金属层,所述第一金属层沿着第一方向延伸;在所述第一金属层之...

【专利技术属性】
技术研发人员:温伟志林仲德蔡瀚霆
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1