A storage system includes: a first unit array comprising multiple storage units; a second unit array comprising multiple storage units; and an address operation circuit suitable for generating a first unit array address for accessing at least one first unit in the first unit array by adding the first value to the address, and by adding the second value to the address. A second cell array address for accessing at least one second cell in a second cell array.
【技术实现步骤摘要】
存储系统相关申请的交叉引用本申请要求于2017年11月13日提交的申请号为10-2017-0150558的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术的示例性实施例涉及一种存储系统。
技术介绍
最近,学术研究人员和业界正在开发用于替代动态随机存取存储器(DRAM)和快闪存储器的下一代存储器件。提出的下一代存储器之一为使用可变电阻材料的电阻式存储器件,因为电阻根据所施加的偏压而迅速改变,因此该可变电阻材料是能够在至少两种不同的电阻状态之间切换的材料。电阻式存储器件的典型示例包括相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)、铁电随机存取存储器(FRAM)等。电阻式存储器件可以以交叉点阵列结构来形成存储单元阵列。交叉点阵列结构为多个下电极(例如,多个行线(字线))和多个上电极(例如,多个列线(位线))相互交叉的结构并且存储单元设置在每个交叉点处。电阻式存储器件的存储单元可以包括串联耦接的可变电阻器件和选择器件。
技术实现思路
本专利技术的实施例针对一种包括多个单元阵列的存储系统,该多个单元阵列的不同位置的单元通过单个命令被一起访问。根据本专利技术的一个实施例,一种存储系统包括:第一单元阵列,其包括多个存储单元;第二单元阵列,其包括多个存储单元;以及地址运算电路,其适用于通过将第一值加到地址上来产生用于访问所述第一单元阵列中的至少一个第一单元的第一单元阵列地址,并且通过将第二值加到所述地址上来产生用于访问所述第二单元阵列中的至少一个第二单元的第二单元阵列地址。根据本专利技术的另一个实施例,一种存储 ...
【技术保护点】
1.一种存储系统,包括:第一单元阵列,其包括多个存储单元;第二单元阵列,其包括多个存储单元;以及地址运算电路,其适用于通过将第一值加到地址上来产生第一单元阵列地址,所述第一单元阵列地址用于访问所述第一单元阵列中的至少一个第一单元,以及通过将第二值加到所述地址上来产生第二单元阵列地址,所述第二单元阵列地址用于访问所述第二单元阵列中的至少一个第二单元。
【技术特征摘要】
2017.11.13 KR 10-2017-01505581.一种存储系统,包括:第一单元阵列,其包括多个存储单元;第二单元阵列,其包括多个存储单元;以及地址运算电路,其适用于通过将第一值加到地址上来产生第一单元阵列地址,所述第一单元阵列地址用于访问所述第一单元阵列中的至少一个第一单元,以及通过将第二值加到所述地址上来产生第二单元阵列地址,所述第二单元阵列地址用于访问所述第二单元阵列中的至少一个第二单元。2.根据权利要求1所述的存储系统,其中,所述第一单元阵列和所述第二单元阵列响应于所述地址而同时被访问。3.根据权利要求1所述的存储系统,其中,所述地址、所述第一单元阵列地址和所述第二单元阵列地址中的每一个包括行地址和列地址中的至少一个。4.根据权利要求1所述的存储系统,其中,所述地址、所述第一单元阵列地址和所述第二单元阵列地址中的每一个包括行地址和列地址,以及所述地址运算电路通过将所述第一值加到所述地址的行地址上来产生所述第一单元阵列地址的行地址,并且通过将所述第一值加到所述地址的列地址上来产生所述第一单元阵列地址的列地址,以及通过将所述第二值加到所述地址的行地址上来产生所述第二单元阵列地址的行地址,并且通过将所述第二值加到所述地址的列地址上来产生所述第二单元阵列地址的列地址。5.根据权利要求1所述的存储系统,其中,所述第一单元阵列和所述第二单元阵列被包括在存储器件中。6.根据权利要求1所述的存储系统,其中,所述第一单元阵列和所述第二单元阵列被包括在不同的存储器件中。7.根据权利要求1所述的存储系统,其中,所述地址运算电路包括至少两个加法器。8.根据权利要求1所述的存储系统,其中,所述地址被从存储器控制器传输到所述地址运算电路,以及其中,所述存储单元是电阻式存储单元。9.根据权利要求2所述的存储系统,其中,第一单元阵列中基于所述第一单元阵列地址来访问的存储单元的位置与所述第二单元阵列中基于所述第二单元阵列地址来访问的存储单元的位置不同。10.一种存储系统,包括:第一组,其包括两个或更多个单元阵列;第二组,其包括两个或更多个单元阵列;以及地址运算电...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑承奎,权正贤,洪道善,申原圭,
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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