图像感测装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种图像感测装置，包含衬底、传感器阵列以及第一电极结构。传感器阵列具有多个感测单元，且安置在衬底上。第一电极结构安置在衬底上，且与传感器阵列的第一侧相邻，并沿传感器阵列的第一侧延伸。其中，第一电极结构被配置成当在传感器阵列的感测单元当中的第一多个感测单元上进行感测操作时接收第一补偿信号。

【技术实现步骤摘要】
图像感测装置
本专利技术涉及一种图像感测装置，且更具体地涉及用于感测指纹图像的图像感测装置。
技术介绍
请参考图1，其示出常规技术的图像感测装置。所述图像感测装置100为集成电路(integratedcircuit；IC)，且包含安置在衬底上的传感器阵列110。传感器阵列110通过密封件SEAR及切割道SCL包封。基于图像感测装置100的衬底耦合至参考电压(即接地电压)，在传感器阵列110的边缘与密封件SEAR及切割道SCL之间形成寄生电容CGND。基于寄生电容CGND，由图像感测装置100感测的感测图像的边缘的亮度可能较低，且降低感测图像的质量。请参考图2A及图2B，其分别示出理想感测图像及实际感测图像。将理想感测图像210及实际感测图像220进行比较，在实际感测图像220的边缘上存在不需要的黑色环，且实际感测图像220的分辨率降低。
技术实现思路
本专利技术提供一种用于降低寄生电容对感测图像的边缘的影响的图像感测装置。所述图像感测装置包含衬底、传感器阵列以及第一电极结构。传感器阵列具有多个感测单元，且安置在衬底上。第一电极结构安置在衬底上，与传感器阵列的第一侧相邻，且沿传感器阵列的第一侧延伸。其中，第一电极结构被配置成当在传感器阵列的感测单元当中的第一多个感测单元上进行感测操作时接收第一补偿信号。在本专利技术的例示性实施例中，其中通过绝缘结构将第一电极结构与传感器阵列的第一侧分隔开。根据本专利技术的例示性实施例中，其中第一电极结构安置在绝缘结构与图像感测装置的密封环结构之间。在本专利技术的例示性实施例中，其中第一多个感测单元靠近传感器阵列的第一侧安置。在本专利技术的例示性实施例中，所述图像感测装置还包含多个电荷放大器，且所述电荷放大器分别耦合至传感器阵列的感测单元。在本专利技术的例示性实施例中，其中当在第一多个感测单元上进行感测操作时，第一补偿信号的相位与驱动信号的相位相同，所述驱动信号耦合至每一个电荷放大器的非反相端子。在本专利技术的例示性实施例中，图像感测装置还包含第二电极结构。第二电极结构安置在衬底上，与传感器阵列的第二侧相邻，且沿传感器阵列的第二侧延伸。其中，第二电极结构被配置成当在传感器阵列的感测单元当中的第二多个感测单元上进行感测操作时接收第二补偿信号。在本专利技术的例示性实施例中，其中第一电极结构及第二电极结构以物理方式隔离。在本专利技术的例示性实施例中，图像感测装置还包含第二电极结构。第二电极结构安置在衬底上，与第一电极结构相邻，且沿传感器阵列的第一侧延伸。在本专利技术的例示性实施例中，其中第一电极结构安置在传感器阵列与第二电极结构之间。在本专利技术的例示性实施例中，其中第一多个感测单元比第二多个感测单元相对更接近传感器阵列的第一侧。在本专利技术的例示性实施例中，其中第一补偿信号的相位与第二补偿信号的相位相同。在本专利技术的例示性实施例中，其中第一电极结构为屏蔽结构。在本专利技术的例示性实施例中，其中第一电极结构安置在传感器阵列与图像感测结构的密封环结构之间。综上所述，本专利技术提供第一电极结构，其与传感器阵列的第一侧相邻且沿传感器阵列的第一侧延伸。通过在进行感测操作时将第一补偿信号施加至第一电极结构，可降低寄生电容对传感器阵列的第一侧的影响，且可提高感测图像的质量。附图说明包含附图以提供对本
技术实现思路
的进一步理解，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了本专利技术的实施例，且与描述一起用于解释本专利技术的原理。图1为常规技术的图像感测装置的示意图；图2A、图2B分别为理想感测图像及实际感测图像的示意图；图3为本专利技术的实施例的图像感测装置的示意图；图4为对应于图像感测装置300的每一个感测单元SCE的有效电路图；图5为本专利技术的实施例的驱动信号及补偿信号的波形曲线图；图6为本专利技术的另一实施例的图像感测装置的示意图；图7为本专利技术的另一实施例的图像感测装置的示意图；图8为本专利技术的另一实施例的图像感测装置的示意图；图9为本专利技术的另一实施例的图像感测装置的示意图；图10为本专利技术的另一实施例的图像感测装置的示意图。附图标号说明100：图像感测装置；110：传感器阵列；210：理想感测图像；220：实际感测图像；300：图像感测装置；320：电极结构；330：绝缘结构；600：图像感测装置；610：传感器阵列；620：电极结构；621：传感线；622：传感线；623：传感线；624：传感线；700：图像感测装置；710：传感器阵列；711：电极结构；712：电极结构；713：电极结构；721：传感线；722：传感线；723：传感线；724：传感线；800：图像感测装置；810：传感器阵列；830：电路区域；900：图像感测装置；910：传感器阵列；920：电极结构；1000：图像感测装置；1001：集成电路；1100：传感器阵列；1210：电极结构；1220：电极结构；1230：电极结构；1240：电极结构；8211：第一电极结构；8212：第一电极结构；8221：第二电极结构；8222：第二电极结构；8231：第三电极结构；8232：第三电极结构；CCOMP：寄生电容；CGND：寄生电容；CF：电容器；CL1：寄生电容；CL4：寄生电容；E1：补偿信号；E2：补偿信号；E3：补偿信号；FS：第一侧/第一边缘；FS1：第一侧；FS3：第三侧；GND：参考接地；IT：反相端子；L1：传感线；L2：传感线；LN：传感线；L(N-1)：传感线；NIT：非反相端子；OP1：电荷放大器；OT：输出端子；PSUB：封装衬底；S1：驱动信号；S2：补偿信号；SC：感测单元；SCE：感测单元；SCE1：感测单元；SCE2：感测单元；SCE3：感测单元；SCE4：感测单元；SCL：切割道；SD：扫描方向；SEAR：密封件；SUB：基底；VS1：电压电平VS2：电压电平具体实施方式应理解，在不脱离本专利技术的范围的情况下，可利用其它实施例，且可作出结构性改变。此外，应理解本文所使用的措词和术语是出于描述的目的且不应被视为是限制性的。本文中使用“包含”、“包括”或“具有”及其变体意指涵盖其后列出的项目及其等效物以及额外项目。除非另有限制，否则术语“连接”、“耦合”以及“安装”及其在本文中的变体是广义上使用的并且涵盖直接和间接连接、耦合和安装。请参考图3，其示出根据本专利技术的实施例的图像感测装置的示意图。图像感测装置300包含衬底SUB、多个感测单元SCE及感测单元SC以及电极结构320。感测单元SCE及感测单元SC安置在衬底SUB上，且形成传感器阵列310，其中感测单元SCE比感测单元SC相对更接近传感器阵列310的第一侧FS。电极结构320安置在衬底SUB上，且与传感器阵列310的第一侧FS相邻。此外，电极结构320沿传感器阵列310的第一侧FS延伸。在传感器阵列310的第一侧FS与电极结构320之间安置有绝缘结构330。在电极结构320的另一侧上，密封环SEAR及切割道SCL依序安置在衬底SUB上。也就是说，密封环SEAR安置在切割道SCL与电极结构320之间，电极结构320安置在密封环SEAR与绝缘结构330之间。基于图3的结构，在切割道SCL与传感器阵列310之间形成有寄生电容CGND，且在电极结构320与传感器阵列310的感测单元SCE(最接近第一边缘FS)之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像感测装置，其特征在于，包括：衬底；传感器阵列，具有多个感测单元，且安置在所述衬底上；以及第一电极结构，安置在所述衬底上，与所述传感器阵列的第一侧相邻，且沿所述传感器阵列的所述第一侧延伸，其中，所述第一电极结构被配置成当在所述传感器阵列的所述感测单元当中的第一多个感测单元上进行感测操作时接收第一补偿信号。

【技术特征摘要】
2017.11.02 US 62/581,0001.一种图像感测装置，其特征在于，包括：衬底；传感器阵列，具有多个感测单元，且安置在所述衬底上；以及第一电极结构，安置在所述衬底上，与所述传感器阵列的第一侧相邻，且沿所述传感器阵列的所述第一侧延伸，其中，所述第一电极结构被配置成当在所述传感器阵列的所述感测单元当中的第一多个感测单元上进行感测操作时接收第一补偿信号。2.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中通过绝缘结构将所述第一电极结构与所述传感器阵列的所述第一侧分隔开。3.根据权利要求2所述的图像感测装置，其中所述第一电极结构安置在所述绝缘结构与所述图像感测装置的密封环结构之间。4.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中所述第一多个感测单元靠近所述传感器阵列的所述第一侧安置。5.根据权利要求1所述的图像感测装置，还包括多个电荷放大器，所述多个电荷放大器分别耦合至所述传感器阵列的所述感测单元。6.根据权利要求5所述的图像感测装置，其中当在所述第一多个感测单元上操作所述感测操作时，所述第一补偿信号的相位与驱动信号的相位相同，所述驱动信号耦合至所述电荷放大器中的每一个的非反相端子。7.根据权利要求1所述的图像感测装置，还包括：第...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘汉铮，谢昌融，江绍阳，
申请(专利权)人：联咏科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71