【技术实现步骤摘要】
存储器件
本专利技术构思总地涉及一种存储器件,更具体地,涉及具有交叉点阵列结构的存储器件。
技术介绍
随着电子产品的小型化,对半导体器件的高集成的需求不断增长。作为下一代非易失性存储器件,在一些电子产品中已经使用通过改变电阻存储层的电阻来存储数据的存储器件。此外,由于存在对存储器件的提高的集成和按比例缩小的持续需求,所以在一些电子产品中也已经使用具有交叉点堆叠结构的存储器件,在交叉点堆叠结构中存储单元提供在彼此交叉的两个电极之间的交叉点处。
技术实现思路
本专利技术构思的一些实施方式可以提供具有交叉点堆叠结构的存储器件,其可以通过用于提高可靠性的简化工艺来实现。根据本专利技术构思的一方面,提供一种存储器件,该存储器件包括:第一导电线,沿着第一方向在衬底上延伸;第二导电线,沿着与第一方向交叉的第二方向在第一导电线上延伸;以及存储单元结构,在第一导电线和第二导电线之间的交叉处并且连接到第一导电线和第二导电线,每个存储单元结构包括第一电极层、第二电极层以及在第一电极层和第二电极层之间的电阻存储层,其中每个电阻存储层的第一侧壁是倾斜的并具有在远离衬底的方向上减小的水平宽度,并且其中电阻存储层的与第一侧壁相邻的第二侧壁是倾斜的并具有在远离衬底的方向上增大的水平宽度。根据本专利技术构思的另一方面,提供一种存储器件,该存储器件包括:第一导电线,沿着第一方向在衬底上延伸;一对第二导电线,沿着与第一方向交叉的第二方向在第一导电线上延伸;一对存储单元结构,在第一导电线和所述一对第二导电线之间的交叉点处;所述一对存储单元结构中的第一个包括第一电阻存储层;所述一对存储单元结构中的第二 ...
【技术保护点】
1.一种存储器件,包括:第一导电线,沿着第一方向在衬底上延伸;第二导电线,沿着与所述第一方向交叉的第二方向在所述第一导电线上延伸;以及存储单元结构,在所述第一导电线和所述第二导电线之间的交叉点处并且连接到所述第一导电线和所述第二导电线,每个所述存储单元结构包括第一电极层、第二电极层以及在所述第一电极层和第二所述电极层之间的电阻存储层,其中每个所述电阻存储层的第一侧壁是倾斜的并具有在远离所述衬底的方向上减小的水平宽度,并且其中每个所述电阻存储层的与所述第一侧壁相邻的第二侧壁是倾斜的并具有在远离所述衬底的方向上增大的水平宽度。
【技术特征摘要】
2017.11.09 KR 10-2017-01487221.一种存储器件,包括:第一导电线,沿着第一方向在衬底上延伸;第二导电线,沿着与所述第一方向交叉的第二方向在所述第一导电线上延伸;以及存储单元结构,在所述第一导电线和所述第二导电线之间的交叉点处并且连接到所述第一导电线和所述第二导电线,每个所述存储单元结构包括第一电极层、第二电极层以及在所述第一电极层和第二所述电极层之间的电阻存储层,其中每个所述电阻存储层的第一侧壁是倾斜的并具有在远离所述衬底的方向上减小的水平宽度,并且其中每个所述电阻存储层的与所述第一侧壁相邻的第二侧壁是倾斜的并具有在远离所述衬底的方向上增大的水平宽度。2.根据权利要求1所述的存储器件,其中所述第一侧壁和所述第二侧壁在不同的方向上倾斜。3.根据权利要求1所述的存储器件,其中所述第一电极层和所述第二电极层完全覆盖所述电阻存储层的底表面和顶表面。4.根据权利要求1所述的存储器件,其中所述第一侧壁与平行于所述衬底的表面的水平面之间的第一夹角是锐角,并且所述第二侧壁与所述水平面之间的第二夹角是钝角。5.根据权利要求1所述的存储器件,其中所述多个电阻存储层中的一些沿着所述第一方向间隔开,其中所述存储器件还包括:第一绝缘图案和第二绝缘图案,交替布置在所述多个电阻存储层之间。6.根据权利要求5所述的存储器件,其中一对所述电阻存储层具有插设在其间的一个第一绝缘图案,所述一对电阻存储层和所述一个第一绝缘图案在一个第一电极层上。7.根据权利要求6所述的存储器件,其中在其间插设有所述一个第一绝缘图案的所述一对电阻存储层的顶表面被彼此间隔开布置的一对所述第二电极层覆盖。8.根据权利要求6所述的存储器件,还包括接触所述电阻存储层的所述第二侧壁的第三绝缘图案,其中所述第三绝缘图案沿着所述第二方向间隔开,并且其中所述电阻存储层沿着所述第一方向间隔开。9.根据权利要求1所述的存储器件,还包括选择器件结构,所述选择器件结构在所述第一导电线和所述第二导电线之间串联连接到所述存储单元结构,并分别包括所述第二电极层、第三电极层以及在所述第二电极层和所述第三电极层之间的选择器件层,其中每个选择器件结构具有倾斜的侧壁,使得所述选择器件结构的水平横截面面积在远离所述衬底的方向上减小。10.根据权利要求9所述的存储器件,其中每个选择器件结构的侧壁与平行于所述衬底的表面的水平面之间的第三夹角是钝角。11.一种存储器件,包括:第一导电线,沿着第一方向在衬底上延伸;一对第二导电线,沿着与所述第一方向交叉的第二方向在所述第一导电线上延伸;一对存储单元结构,在所述第一导电线和所述一对第二导电线之间的交叉点处;所述一对存储单元结构中的第一个,包括第一...
【专利技术属性】
技术研发人员:宋苏智,朴正勋,殷圣豪,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。