显示设备制造技术

提供了一种显示设备。该显示设备包括：衬底；被配置为发射光的发光层，所述发光层包括设置在衬底上的第一半导体层、设置在第一半导体层上的有源层以及设置在有源层上的第二半导体层；以及多个颜色转换层，设置在发光层上并且被配置为根据从发光层发射的光发射特定颜色的光。

【技术实现步骤摘要】
显示设备相关申请的交叉引用本申请要求2017年11月9日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0148717的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。
本公开的示例实施例涉及一种显示设备，并且更具体地涉及一种具有改进的光效率和颜色质量的高分辨率显示设备。
技术介绍
液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)显示器已广泛用作显示设备。近来，用于使用微型发光二极管(微型LED)制造高分辨率显示设备的技术已引起关注。然而，为了使用微型LED制造高分辨率显示设备，需要制造高效率的小型LED芯片，并且需要高度复杂的转移技术来将小型LED芯片布置在适当的位置处。
技术实现思路
一个或多个示例实施例提供了具有改进的光效率和颜色质量的高分辨率显示设备。根据示例实施例的一方面，提供了一种显示设备，包括：衬底；发光层，被配置为发射光，所述发光层包括设置在所述衬底上的第一半导体层、设置在所述第一半导体层上的有源层以及设置在所述有源层上的第二半导体层，并且被配置为发射光；以及多个颜色转换层，设置在所述发光层上并且被配置为根据从所述发光层发出的光发射预定颜色的光，其中所述发光层被设置为对应于所述多个颜色转换层。所述显示设备还可以包括电连接到所述第一半导体层的至少一个第一电极以及电连接到所述第二半导体层的多个第二电极。所述第二半导体层的与所述第二半导体层和所述第二电极之间的接触区域相邻的区域可以被蚀刻到预定深度或更小。所述至少一个第一电极可以被设置为对应于所述多个颜色转换层中的至少一个，以形成公共电极，并且所述多个第二电极可以被设置为与所述多个颜色转换层一一对应。所述多个第二电极可以分别连接到薄膜晶体管。所述显示设备还可以包括：电流注入限制层，设置在所述第二半导体层上并且被配置为限制从所述多个第二电极注入到所述第二半导体层中的电流。所述显示设备，其中，所述第二半导体层的与所述第二半导体层和所述第二电极之间的接触区域相邻的区域经由所述电流注入限制层的开口部分可以被蚀刻到预定深度或更小。所述电流注入限制层可以包括绝缘膜。所述电流注入限制层可以包括多层绝缘膜。所述多层绝缘膜可以包括分别具有不同折射率的多个层。所述电流注入限制层可以包括绝缘膜和设置在所述绝缘膜上的金属反射层。所述金属反射层可以包括第一金属层和设置在所述第一金属层上的第二金属层，所述第二金属层具有比所述第一金属层的反射率高的反射率。所述电流注入限制层可以包括设置在所述第二半导体层上的金属反射层以及设置在所述金属反射层上的绝缘膜。所述显示设备还可以包括：选择性透明绝缘层，设置在所述多个第二电极与所述多个颜色转换层之间，并且被配置为透射从所述发光层发射的光且反射从所述多个颜色转换层发射的光。所述显示设备还可以包括：选择性屏蔽层，设置在所述多个颜色转换层上并被配置为屏蔽预定颜色的光。所述显示设备还可以包括：光吸收层，设置在所述衬底与所述第一半导体层之间或设置在所述第一半导体层上。所述显示设备还可以包括：折射率匹配层，设置在所述衬底与所述第一半导体层之间并且被配置为减少光的反射。所述折射率匹配层可以包括氮化铝(AlN)。所述显示设备还可以包括：光吸收构件，设置在所述衬底的与所述发光层相对的表面上。所述第一半导体层可以包括n-GaN，所述第二半导体层可以包括p-GaN，并且所述有源层可以包括多量子阱(MQW)结构。所述发光层可以被配置成产生蓝光。所述多个颜色转换层可以包括被配置为通过被所述蓝光激发而发射红光的红色转换层、被配置为通过被所述蓝光激发而发射绿光的绿色转换层以及被配置为透射蓝光的蓝色透射层。所述发光层可以被配置为产生紫外光。所述多个颜色转换层可以包括被配置为通过被所述紫外光激发而发射红光的红色转换层、被配置为通过被所述紫外光激发而发射绿光的绿色转换层以及被配置为通过被所述紫外光激发而发射蓝光的蓝色转换层。可以通过在所述衬底上顺序地生长所述第一半导体层、所述有源层和所述第二半导体层来形成所述发光层。附图说明从结合附图对示例实施例的以下描述中，上述和/或其他方面将变得清楚明白并且更容易理解，其中：图1是根据示例实施例的显示设备的截面图；图2是图1的部分D的放大截面图；图3是根据示例实施例的显示设备的截面图；图4是根据示例实施例的显示设备的截面图；图5是图4的部分E的放大截面图；图6是根据示例实施例的显示设备的截面图；图7是根据示例实施例的显示设备的截面图；图8是根据示例实施例的显示设备的截面图；图9是根据示例实施例的显示设备的截面图；图10是根据示例实施例的显示设备的截面图；图11是示出了根据电流注入限制层的材料的反射率的曲线图；图12是根据示例实施例的显示设备的截面图；图13是根据示例实施例的显示设备的截面图；图14是根据示例实施例的显示设备的截面图；图15是根据示例实施例的显示设备的截面图；图16是根据示例实施例的显示设备的截面图；图17是根据示例实施例的显示设备的透视图；图18是图17的显示设备的修改示例的透视图；以及图19是图17的显示设备的示例电路配置的平面图。具体实施方式现在详细参考实施例，在附图中示出了实施例的示例，其中，贯穿附图类似的附图标记表示类似的元件。此外，为了便于解释和清楚起见，可以夸大附图中示出的每个层的尺寸。示例实施例可以具有不同形式，并且不应当被解释为受限于本文所阐明的描述。在以下描述中，当构成元件被布置在另一构成元件的“上方”或“之上”时，该构成元件可以直接位于该另一构成元件上并且接触，或者以非接触方式位于该另一构成元件上，其中一个或多个元件可位于其间。除非在上下文中另外明确指定，否则本说明书中的单数表达包括复数的表达。此外，诸如“包括”和/或“包含”之类的术语可以解释为表示构成元件，但是不可解释为排除一个或多个其他构成元件的存在或添加的可能性。术语“一”、“一个”和“该”以及类似指示物的使用应被解释为涵盖单数和复数两者。诸如“......中的至少一个”之类的表述在元件列表之后时修饰整个元件列表，而不是修饰列表中的单独元件。例如，表述“a、b和c中的至少一个”应被理解为：仅包括a，仅包括b，仅包括c，包括a和b两者，包括a和c两者，包括b和c两者，或包括a、b和c的全部。此外，可以按照任何适当顺序执行本文中描述的所有方法的步骤，除非本文中另外指出或者上下文另外明确地相反指示。本公开不限于所描述的步骤顺序。本文中提供的任何和所有示例或示例性语言(例如，“诸如(例如)”)的使用仅意在更好地阐述本专利技术构思且不对本公开的范围施加限制，除非另外声明。图1是根据示例实施例的显示设备100的截面图。图2是图1的部分D的放大截面图。参考图1和图2，显示设备100包括多个像素。在图1中，为了便于解释仅示出了两个像素，并且将理解，显示设备可以包括多于两个的像素。每个像素可以包括不同颜色的多个子像素。详细地，每个像素可以包括红色子像素SR、绿色子像素SG和蓝色子像素SB。显示设备100可以包括衬底110、设置在衬底110上的发光层120以及设置在发光层120上的多个颜色转换层160R、160G和160B。衬底110可以是用于在其上生长发光层120的生长衬底。衬底110可以包括由通用半导体工艺中使用的各种材料形成的衬底。例如，可以使用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示设备，包括：衬底；发光层，被配置为发射光，所述发光层包括设置在所述衬底上的第一半导体层、设置在所述第一半导体层上的有源层以及设置在所述有源层上的第二半导体层；以及多个颜色转换层，设置在所述发光层上并被配置为根据从所述发光层发射的光发射预定颜色的光。

【技术特征摘要】
2017.11.09 KR 10-2017-01487171.一种显示设备，包括：衬底；发光层，被配置为发射光，所述发光层包括设置在所述衬底上的第一半导体层、设置在所述第一半导体层上的有源层以及设置在所述有源层上的第二半导体层；以及多个颜色转换层，设置在所述发光层上并被配置为根据从所述发光层发射的光发射预定颜色的光。2.根据权利要求1所述的显示设备，还包括：至少一个第一电极，电连接到所述第一半导体层；以及多个第二电极，电连接到所述第二半导体层。3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述第二半导体层的与所述第二半导体层和所述多个第二电极之一之间的接触区域相邻的区域被蚀刻到预定深度或更小。4.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述至少一个第一电极被设置为对应于所述多个颜色转换层中的至少一个，以形成公共电极，以及所述多个第二电极被设置为与所述多个颜色转换层一一对应。5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述多个第二电极中的每一个连接到薄膜晶体管。6.根据权利要求2所述的显示设备，还包括：电流注入限制层，设置在所述第二半导体层上并且被配置为限制从所述多个第二电极注入到所述第二半导体层中的电流。7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述第二半导体层的与所述第二半导体层和所述多个第二电极之一之间的接触区域相邻的区域经由所述电流注入限制层的开口部分被蚀刻到一定深度或更小。8.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述电流注入限制层包括绝缘膜。9.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述电流注入限制层包括多层绝缘膜。10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述多层绝缘膜包括分别具有不同折射率的多个层。11.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述电流注入限制层包括绝缘膜和设置在所述绝缘膜上的金属反射层。12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述金属反射层包括第一金属层和设置在所述第一金属层上的第二金属层，所述第二金属层具有比所述第一金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄京旭，崔濬熙，朴正勋，韩周宪，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR