摄像装置及照相机系统制造方法及图纸

目的是提供一种使耐光性提高的摄像装置。具备第1像素及第2像素；上述第1像素及第2像素分别包括：光电变换部，包括第1电极、第2电极、以及上述第1电极与上述第2电极之间的光电变换层，将入射光变换为电荷；放大晶体管，具有连接在上述第1电极的栅极电极，输出与上述电荷的量对应的信号；以及减光元件，被层叠在上述光电变换层上，使向上述光电变换层入射的光减光；上述第1像素的上述减光元件的透射率，与上述第2像素的上述减光元件的透射率不同。

【技术实现步骤摘要】
摄像装置及照相机系统
本公开涉及层叠型的摄像装置及照相机系统。
技术介绍
摄像装置被广泛地用在数字静像照相机、数字摄像机等中。作为摄像装置，已知有例如放大型摄像装置及电荷转送型摄像装置。作为放大型摄像装置的例子，可以举出CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor)等的MOS型图像传感器。作为电荷转送型摄像装置的例子，可以举出CCD(ChargeCoupledDevice)图像传感器。在图像传感器中，从画质的观点来说，受到重视的是光灵敏度。光灵敏度越高，即使是很少的入射光量也能得到较高的信号振幅，所以能够取得S/N较好的高画质的图像。为了使该光灵敏度增加而做了各种各样的精心设计。例如，通过提高将光变换为电信号的光电变换部的变换效率，能够使光灵敏度增加。例如，有将光电变换特性良好的有机薄膜作为光电变换膜而配置在硅基板的上方的有机膜层叠型的摄像装置(例如专利文献1)。通过使用这样的光电变换膜，能够使光灵敏度提高。专利文献1：日本特开2011－181595号公报
技术实现思路
在摄像装置中，要求提高光电变换部的耐光性。所以，在本公开中，提供抑制能够使耐光性提高的摄像装置及照相机系统。为了解决上述课题，根据本公开的非限定性的例示性的实施方式，提供以下技术方案。有关本公开的一技术方案的摄像装置具备第1像素及第2像素；上述第1像素及第2像素分别包括：光电变换部，包括第1电极、第2电极、以及上述第1电极与上述第2电极之间的光电变换层，将入射光变换为电荷；放大晶体管，具有连接在上述第1电极的栅极电极，输出与上述电荷的量对应的信号；以及减光元件，被层叠在上述光电变换层上，使向上述光电变换层入射的光减光；上述第1像素的上述减光元件的透射率，与上述第2像素的上述减光元件的透射率不同。根据本公开，能够提供一种使耐光性提高的摄像装置及照相机系统。附图说明图1是典型的有机膜层叠型的摄像装置的概略剖面图。图2是有关实施方式的摄像装置的概略剖面图。图3是说明将实施方式的减光元件的遮光度变更的情况下的烧伤程度的差异的图。图4是说明有关实施方式的摄像装置的设置状态的图。图5是由图4所示的摄像装置对外界进行摄影时的图像的一例。图6是将有关实施方式的摄像装置的摄像区域从相对于半导体基板的表面垂直的方向观察的图。图7是说明将有关实施方式的摄像装置设置为使受光面相对于水平面为90度时的太阳的仰角的图。图8是表示太阳的仰角与图7所示的摄像装置的受光面上的太阳光的放射照度的关系的曲线图。图9是说明摄像区域的Y轴方向上的遮光度的变化的图。图10是将有关实施方式的摄像装置的摄像区域从相对于半导体基板的表面垂直的方向观察的图。图11是表示有关实施方式的摄像装置中的减光元件的配置位置的决定方法的流程图。图12A是有关实施方式的照相机系统的结构图。图12B是实施方式的有关变形例的照相机系统的结构图。具体实施方式(达到本公开的认识)典型的MOS型图像传感器使用光敏二极管作为光电变换部。这样的MOS型图像传感器由配置在硅基板上的光敏二极管和将由光敏二极管变换后的电信号处理并数据化的逻辑电路部分构成。为了提高光灵敏度，需要使光敏二极管的面积相对于图像传感器全体的面积所占的比例变大。但是，由于不能将逻辑电路部分除去，所以在使光敏二极管的面积变大方面有极限。因此，研究了将光电变换部从硅基板切离、配置到硅基板的上方的方法。在将光电变换部配置到硅基板的上方的情况下，由于能够使光电变换部的面积增加，所以能够提高光灵敏度。例如，有将光电变换特性良好的有机薄膜配置到硅基板的上方的有机膜层叠型的摄像装置(例如专利文献1)。通过这样的结构，能够使光灵敏度提高。图1是典型的有机膜层叠型的摄像装置100的概略剖面图。如图1所示，典型的有机膜层叠型的摄像装置100在半导体基板101的上方配置有光电变换部109。半导体基板101例如是硅基板。光电变换部109由像素电极102、配置在像素电极102上的光电变换膜103和配置在光电变换膜103上的透明电极104构成。在透明电极104上配置有滤色器105，在其上配置有用来将光聚光的微透镜106。进而，在微透镜106的上方，配置有用来保护元件的玻璃罩107。如上述那样，为了提高光灵敏度，将光电变换部配置到硅基板的上方的构造是有用的(专利文献1)。但是，在作为光电变换膜而使用有机薄膜的层叠型的摄像装置的情况下，要求提高光电变换部中的耐光性的精心设计。例如，在太阳光等的较强的光被透镜聚光而向光电变换部入射的情况下，光电变换膜有可能受到不可逆的损伤。例如，通过光电变换膜的材料发生化学变化，有光电变换膜的光灵敏度下降的情况。进而，在损伤严重的情况下，有发生较强的光集中的部分的光电变换膜的材料发生化学变化而变得不能进行光电变换的现象、即烧伤现象，引起画质的下降的情况。这样的对光电变换部施加的损伤在例如如光敏二极管那样光电变换部被配置在硅基板中的以往的摄像装置中也可能发生。但是，在使用有机薄膜作为光电变换膜的摄像装置中，特别可以想到由太阳光带来的向光电变换部的损伤根据光电变换膜的材料可能变大。本公开是鉴于上述那样的耐光性的课题而做出的，目的是提供一种在保持光灵敏度的同时耐光性良好的摄像装置、摄像装置中的减光元件的配置位置的决定方法及照相机系统。本公开的一技术方案的概要是以下这样的。[项目1]一种摄像装置，具备第1像素及第2像素；上述第1像素及第2像素分别包括：光电变换部，包括第1电极、第2电极、以及上述第1电极与上述第2电极之间的光电变换层，将入射光变换为电荷；放大晶体管，具有连接在上述第1电极的栅极电极，输出与上述电荷的量对应的信号；以及减光元件，被层叠在上述光电变换层上，使向上述光电变换层入射的光减光；上述第1像素的上述减光元件的透射率，与上述第2像素的上述减光元件的透射率不同。[项目2]如项目1所述的摄像装置，上述第2电极作为上述减光元件发挥功能；上述第1像素的上述第2电极的透射率，与上述第2像素的上述第2电极的透射率不同。[项目3]如项目1或2所述的摄像装置，上述第1像素、上述第2像素分别包括位于上述第2电极上并且作为上述减光元件发挥功能的滤色器；上述第1像素的上述滤色器的颜色，与上述第2像素的上述滤色器的颜色相同；上述第1像素的上述滤色器的透射率，与上述第2像素的上述滤色器的透射率不同。[项目4]如项目1～3中任一项所述的摄像装置，上述第1像素、上述第2像素分别包括位于上述第2电极上并且作为上述减光元件发挥功能的微透镜；上述第1像素的上述微透镜的透射率，与上述第2像素的上述微透镜的透射率不同。[项目5]如项目1～4中任一项所述的摄像装置，上述第1像素、上述第2像素分别包括位于上述第2电极上并且作为上述减光元件发挥功能的玻璃罩；上述第1像素的上述玻璃罩的透射率，与上述第2像素的上述玻璃罩的透射率不同。[项目6]如项目1～5中任一项所述的摄像装置，上述第1像素、上述第2像素分别包括：滤色器，位于上述第2电极上；以及绝缘层，位于上述第2电极与上述滤色器之间，作为上述减光元件发挥功能；上述第1像素的上述绝缘层的透射率，与上述第2像素的上述绝缘层的透射率不同。[项目7]如项目1～6中任一项所述的摄像装置，上述第1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种摄像装置，其特征在于，具备第1像素及第2像素；上述第1像素及第2像素分别包括：光电变换部，包括第1电极、第2电极、以及上述第1电极与上述第2电极之间的光电变换层，将入射光变换为电荷；放大晶体管，具有连接在上述第1电极的栅极电极，输出与上述电荷的量对应的信号；以及减光元件，被层叠在上述光电变换层上，使向上述光电变换层入射的光减光；上述第1像素的上述减光元件的透射率，与上述第2像素的上述减光元件的透射率不同。

【技术特征摘要】
2017.11.09 JP 2017-2161051.一种摄像装置，其特征在于，具备第1像素及第2像素；上述第1像素及第2像素分别包括：光电变换部，包括第1电极、第2电极、以及上述第1电极与上述第2电极之间的光电变换层，将入射光变换为电荷；放大晶体管，具有连接在上述第1电极的栅极电极，输出与上述电荷的量对应的信号；以及减光元件，被层叠在上述光电变换层上，使向上述光电变换层入射的光减光；上述第1像素的上述减光元件的透射率，与上述第2像素的上述减光元件的透射率不同。2.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，上述第2电极作为上述减光元件发挥功能；上述第1像素的上述第2电极的透射率，与上述第2像素的上述第2电极的透射率不同。3.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，上述第1像素、上述第2像素分别包括位于上述第2电极上并且作为上述减光元件发挥功能的滤色器；上述第1像素的上述滤色器的颜色，与上述第2像素的上述滤色器的颜色相同；上述第1像素的上述滤色器的透射率，与上述第2像素的上述滤色器的透射率不同。4.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，上述第1像素、上述第2像素分别包括位于上述第2电极上并且作为上述减光元件发挥功能的微透镜；上述第1像素的上述微透镜的透射率，与上述第2像素的上述微透镜的透射率不同。5.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，上述第1像素、上述第2像素分别包括位于上述第2电极上并且作为上述减光元...

【专利技术属性】
技术研发人员：百濑龙典，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP