阵列基板及其控制方法、制造方法、显示面板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板，包括设置在显示区域的第一晶体管和设置在非显示区域的第二晶体管；所述阵列基板还包括衬底电极，所述衬底电极设置在所述第一晶体管和/或第二晶体管的远离出光方向一侧，用于调整所述第一晶体管和/或第二晶体管的阈值电压。本发明专利技术还公开了一种阵列基板的控制方法和制造方法，以及显示装置。本发明专利技术提出的阵列基板及其控制方法、制造方法、显示面板、显示装置，能够在一定程度上对阈值电压进行调节。

Array Substrate and Its Control Method, Manufacturing Method, Display Panel and Display Device

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其控制方法、制造方法、显示面板、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是指一种阵列基板及其控制方法、制造方法、显示面板、显示装置。
技术介绍
对于有源驱动的显示面板而言，其阵列基板上通常设置有薄膜晶体管阵列(TFT)。TFT是否处于正常工作状态，对于显示效果十分重要。其中，TFT的阈值电压就是影响TFT工作状态的一个重要因素。但是，现有技术中，TFT一旦制成，其阈值电压就基本固定，后续难以对其阈值电压进行调节。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例的目的之一在于，提出一种阵列基板及其控制方法、制造方法、显示面板、显示装置，能够在一定程度上对阈值电压进行调节。基于上述目的，本专利技术实施例的第一个方面，提供了一种阵列基板，包括设置在显示区域的第一晶体管和设置在非显示区域的第二晶体管；所述阵列基板还包括衬底电极，所述衬底电极设置在所述第一晶体管和/或第二晶体管的远离出光方向一侧，用于调整所述第一晶体管和/或第二晶体管的阈值电压。可选的，所述阵列基板包括设置在所述第一晶体管远离出光方向一侧的第一衬底电极以及设置在所述第二晶体管远离出光方向一侧的第二衬底电极，且所述第一衬底电极与第二衬底电极之间为开路。可选的，所述的阵列基板还包括遮光层，所述遮光层用于遮挡从所述阵列基板背面入射的光线，以防止其照射所述第一晶体管和第二晶体管中的有源层；所述衬底电极与所述遮光层处于同一层。可选的，所述衬底电极由所述遮光层通过一次构图工艺制得。可选的，所述衬底电极为面状；所述第一晶体管的数量为多个，多个所述第一晶体管在衬底电极所在平面内的投影均位于所述衬底电极内，或者，所述第二晶体管的数量为多个，多个所述第二晶体管在衬底电极所在平面内的投影均位于所述衬底电极内。可选的，所述衬底电极的数量为多个，多个所述衬底电极排列为阵列；所述第一晶体管的数量为多个且排列为阵列，多个所述第一晶体管在衬底电极所在平面内的投影一一对应地位于多个所述衬底电极内，或者，所述第二晶体管的数量为多个，多个所述第二晶体管在衬底电极所在平面内的投影一一对应地位于多个所述衬底电极内。本专利技术实施例的第二个方面，提供了一种显示面板，包括如前所述的阵列基板。本专利技术实施例的第三个方面，提供了一种显示装置，包括如前所述的阵列基板。本专利技术实施例的第四个方面，提供了一种应用于如前所述的阵列基板的控制方法，包括：确定所述第一晶体管和第二晶体管的目标阈值电压；向所述第一晶体管和第二晶体管提供驱动电压，若所述第一晶体管或第二晶体管的远离出光方向一侧设置有所述衬底电极，则设置所述驱动电压为未设置衬底电极的晶体管的目标阈值电压，并向所述衬底电极提供调节电压以使设置有衬底电极的晶体管工作在其目标阈值电压下；若所述第一晶体管和第二晶体管的远离出光方向一侧均设置有所述衬底电极，则根据所述驱动电压，向所述第一晶体管远离出光方向一侧的衬底电极提供调节电压以使所述第一晶体管工作在其目标阈值电压下，并向所述第二晶体管远离出光方向一侧的衬底电极提供调节电压以使所述第二晶体管工作在其目标阈值电压下。本专利技术实施例的第五个方面，提供了一种阵列基板的制造方法，包括：在衬底基板上形成衬底电极；在显示区域形成第一晶体管，在非显示区域形成第二晶体管；其中，所述衬底电极位于所述第一晶体管和/或第二晶体管的远离出光方向一侧，用于调整所述第一晶体管和/或第二晶体管的阈值电压。可选的，在衬底基板上形成衬底电极，包括：在所述衬底基板上形成遮光层，所述遮光层用于遮挡从所述阵列基板背面入射的光线，以防止其照射所述第一晶体管和第二晶体管中的有源层；通过构图工艺在所述遮光层中形成所述衬底电极。可选的，在衬底基板上形成衬底电极，包括：在衬底基板上形成金属薄膜；通过一次构图工艺在所述金属薄膜中形成遮光层和衬底电极；所述遮光层用于遮挡从所述阵列基板背面入射的光线，以防止其照射所述第一晶体管和第二晶体管中的有源层。从上面所述可以看出，本专利技术实施例提供的阵列基板及其控制方法、制造方法、显示面板、显示装置，通过在晶体管远离出光方向一侧设置衬底电极，从而能够基于衬偏效应原理利用所述衬底电极调节其上方的晶体管的阈值电压；这样，即使晶体管本身的制作工艺导致其阈值电压出现偏差，也可以通过衬底电极进行调整，使其工作在理想状态。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本专利技术的一些实施例，而非对本专利技术的限制。图1为本专利技术实施例提供的阵列基板的一个实施例的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的阵列基板的另一个实施例的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的阵列基板的又一个实施例的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的阵列基板的又一个实施例的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的阵列基板的一个实施例的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的阵列基板的控制方法的流程示意图；图7为本专利技术实施例提供的阵列基板的制造方法的流程示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。本专利技术实施例的第一个方面，提出了一种阵列基板，能够在一定程度上解决阈值电压差异带来的问题。所述阵列基板，包括设置在显示区域10的第一晶体管11和设置在非显示区域20的第二晶体管21；所述阵列基板还包括衬底电极31/32，如图1所示，所述衬底电极31设置在所述第一晶体管11的远离出光方向一侧，用于调整所述第一晶体管11的阈值电压；或者，如图2所示，所述衬底电极32设置在所述第二晶体管21的远离出光方向一侧，用于调整所述第二晶体管21的阈值电压。可选的，所述显示区域10可以是指阵列基板的像素区，所述非显示区域20可以是指阵列基板的GOA区(GOA，GateDriveronArray，阵列基板栅极驱动技术)。所述阵列基板中的晶体管在工作时，通过对衬底电极31/32施加一定的调节电压，从而能够基于衬偏效应原理调整衬底电极31/32对应位置的晶体管的阈值电压，使晶体管工作在理想状态。这是因为，晶体管工作时，在有源层中出现沟道(反型层)以后，虽然沟道下面的耗尽层厚度达到了最大(这时，栅极电压即使再增大，耗尽层厚度也不本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括设置在显示区域的第一晶体管和设置在非显示区域的第二晶体管；所述阵列基板还包括衬底电极，所述衬底电极设置在所述第一晶体管和/或第二晶体管的远离出光方向一侧，用于调整所述第一晶体管和/或第二晶体管的阈值电压。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括设置在显示区域的第一晶体管和设置在非显示区域的第二晶体管；所述阵列基板还包括衬底电极，所述衬底电极设置在所述第一晶体管和/或第二晶体管的远离出光方向一侧，用于调整所述第一晶体管和/或第二晶体管的阈值电压。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括设置在所述第一晶体管远离出光方向一侧的第一衬底电极以及设置在所述第二晶体管远离出光方向一侧的第二衬底电极，且所述第一衬底电极与第二衬底电极之间为开路。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括遮光层，所述遮光层用于遮挡从所述阵列基板背面入射的光线，以防止其照射所述第一晶体管和第二晶体管中的有源层；所述衬底电极与所述遮光层处于同一层。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底电极由所述遮光层通过一次构图工艺制得。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底电极为面状；所述第一晶体管的数量为多个，多个所述第一晶体管在衬底电极所在平面内的投影均位于所述衬底电极内，或者，所述第二晶体管的数量为多个，多个所述第二晶体管在衬底电极所在平面内的投影均位于所述衬底电极内。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底电极的数量为多个，多个所述衬底电极排列为阵列；所述第一晶体管的数量为多个且排列为阵列，多个所述第一晶体管在衬底电极所在平面内的投影一一对应地位于多个所述衬底电极内，或者，所述第二晶体管的数量为多个，多个所述第二晶体管在衬底电极所在平面内的投影一一对应地位于多个所述衬底电极内。7.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述阵列基板。8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：王丽，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11